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公开(公告)号：CN113061971B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110214026.6
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法，基于溶液法，利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点，在析晶点附近，人为制造温差，可控诱导成核，达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐蚀、导热系数低、传热慢，金属传热快，在金属与聚四氟乙烯交界处附近形成一定温差，且该范围区域的温度高于其他位置，使该区域溶解度降低，相对低于其他位置，以诱导在该区域成核。这种方法制备相比于常规逆温生长方法能实现可控成核，可控生长；原料利用率高；生长出来的晶体质量高，形状规则，受到应力小，该制备方法制备出来的单晶可制作出优异性能的光电探测器以及高能粒子探测器。
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公开(公告)号：CN113299800B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110312954.6
申请日：2021-03-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/032 , H01L31/08
Abstract: 本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法，特别的是，通过双配体材料在相对湿度低于60％的大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜，成功降低其探测器暗电流。基于本发明制备的CsPbIBr2多晶膜适用于紫外光电探测技术领域，并有望进一步应用于X射线探测器技术领域。本发明利用两种配体材料，通过对两种配体材料在钙钛矿前驱体混合溶液中的比例调控以及采用制备多晶膜的喷涂法，在大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜，降低了其探测器的暗电流并提高了光响应。本发明方法工艺简单，操作方便，成本低廉，适于工业生产。
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公开(公告)号：CN113299800A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110312954.6
申请日：2021-03-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/032 , H01L31/08
Abstract: 本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法，特别的是，通过双配体材料在相对湿度低于60％的大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜，成功降低其探测器暗电流。基于本发明制备的CsPbIBr2多晶膜适用于紫外光电探测技术领域，并有望进一步应用于X射线探测器技术领域。本发明利用两种配体材料，通过对两种配体材料在钙钛矿前驱体混合溶液中的比例调控以及采用制备多晶膜的喷涂法，在大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜，降低了其探测器的暗电流并提高了光响应。本发明方法工艺简单，操作方便，成本低廉，适于工业生产。
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公开(公告)号：CN117677256A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311662742.6
申请日：2023-12-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种X射线探测器，具体涉及一种叠加喷涂工艺制备钙钛矿厚膜的方法以及一种直接式X射线探测器，包括如下步骤：采用气动喷涂法通过叠加喷涂工艺在衬底上形成钙钛矿厚膜；叠加喷涂工艺：一次喷涂：衬底喷涂前驱液，形成膜厚不超过30μm，表面活化处理；二次喷涂：在上次喷涂的表面喷涂前驱液，形成膜厚不超过30μm，表面活化处理；实施二次喷涂至少一次至总厚度达目标厚度。与现有技术相比，本发明解决气动喷涂法的厚膜不呈线性增长且质量差的问题，实现表面形貌致密、结晶度高的(100)择优生长的钙钛矿厚膜制备，实现了2670μC·Gyair‑1·cm‑2的高灵敏度探测性能，是α‑Se商用X射线探测器的133倍。
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公开(公告)号：CN114959605A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210387779.1
申请日：2022-04-13
Applicant: 上海大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/06 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种缺氮的亚氮化钛薄膜、其制备方法及其在制备单晶硅太阳能电池器件中的应用，将基底清洗干净；将基底放入样品架上，以纯Ti靶为原材料，采用直流反应磁控溅射制备工艺；在溅射过程中腔室内通入高纯N2气；起辉后将溅射压强调整到低压下制备TiNx薄膜。本发明拓展了TiNx薄膜的制备方法和单晶硅太阳能电池背部钝化接触层的选择，得到的TiNx薄膜具有高电子浓度和非化学配比的特性。本发明将SiOy/TiNx复合薄膜应用于晶硅太阳能电池，起到很好的辅助钝化接触效果，取决于它的电子结构与荷电的“正离子中心”。缺N的TiNx薄层与n‑Si衬底之间的势垒，有效地降低了少数载流子(空穴)的复合率，大大提高太阳能电池的开路电压，进而达到增强光电转换效率的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111884588A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010736268.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 上海大学
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开了一种硅基特定光伏器件界面态的测量方法，能准确评估硅基异质结光伏器件界面态密度，待测的器件的钝化隧穿介质为超薄准绝缘SiOx层，其厚度≤2.0nm，且内部含有少量金属元素。通常采用深能级瞬态谱方法测量具有较厚氧化物和氮化硅绝缘层的异质结器件界面态密度，然而针对界面层为超薄准绝缘SiOx层时，DLTS等常规方法在正偏压稍高的情况下，易产生电容溢出现象，难以获得界面态信号。因此针对该类异质结器件界面区电子结构的特殊性，本发明采用不低于1.0MHz的高频光注入方式测量器件在黑暗和光照下C-V特性，结合二极管电容近似和数值计算模型，从上述两种C-V曲线中提取与界面态相关信息，间接测量得到该类异质结器件的界面态密度。
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公开(公告)号：CN109888049A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910106988.2
申请日：2019-02-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法，能达到能够进行连续生长，制备出尺寸大、结晶度好的钙钛矿多晶厚膜的X-ray探测器，其结构为透明玻璃/CsPbBr3钙钛矿多晶厚膜/Au电极的全无机钙钛矿平面型半导体探测器。我们制作的探测器厚度较厚，具有较高的开关比，较快的响应速度以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料耐湿耐热性优异，并将此方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN106283195B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610805277.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN104134720A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410327199.9
申请日：2014-07-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L51/0008 , H01L51/0077 , H01L51/4226 , H01L51/4233
Abstract: 本发明涉及一种单源闪蒸法生长有机无机杂化钙钛矿材料及其平面型太阳能电池的制备方法，属于新型材料器件制造工艺领域。其中有机无机杂化钙钛矿薄膜制备方法是：用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用小于1秒的时间将金属蒸发舟迅速加热至1000℃以上的温度，可制备出成份准确的有机无机杂化钙钛矿薄膜。采用单源闪蒸法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜具有蒸发速率快，薄膜无空洞，适合做平面型器件的特点。并采用TiO2或ZnO为n型材料，Spiro-OMeTAD为p型材料与i型的有机无机杂化钙钛矿薄膜一起构成p-i-n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率为6.26%的器件。
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公开(公告)号：CN118006903A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410174270.8
申请日：2024-02-07
Applicant: 河北龙凤山辰昕新材料科技有限公司 , 上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院
Abstract: 利用连续式UHV垂直浮区区熔制备超纯金属工艺，利用真空预处理室和超高真空区熔工艺室相结合的双真空室结构，能够在全程真空环境下对金属棒材进行等离子表面清洗和n道次垂直区熔提纯以得到更高纯度级别的提纯金属棒材，有利于发挥杂质蒸发效应、杂质分凝效应或偏析效应、和杂质熔渣去除效应，实现连续式的金属棒材提纯作业，可应用于工业化生产。
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