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公开(公告)号：CN116288644A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211099422.X
申请日：2022-09-09
申请人： 上海大学
摘要： 本发明提供一种基于分裂环图案化晶膜阵列的制备方法及一种基于分裂环图案的溶液定向传输方法。制备方法包括：步骤1：提供衬底；步骤2：在衬底上通过蒸镀形成疏液层；步骤3：使用脉冲激光刻蚀疏液层，在疏液层上形成分裂环阵列结构的亲液图案；步骤4：将配置好的可通过溶液法生长晶体的溶液涂布在疏液层上，经过两次去润湿过程，实现各个分裂环单元上的液滴向分裂环内部的定向传输，最终在各个分裂环单元内形成分裂环状微液滴；步骤5：对衬底进行加热，形成致密的基于分裂环图案化晶膜阵列。本发明通过溶液法高通量低消耗地合成出具有高致密度的分裂环型薄膜阵列，工艺简单，成本低廉，并且成膜质量高。
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公开(公告)号：CN115566103A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211282445.4
申请日：2022-10-18
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本发明提供一种基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法，利用脉冲激光在刻蚀过程中的光热效应累积，通过脉冲激光刻蚀导电层形成绝缘沟道，同时脉冲激光束附近产生的光热效应破坏沟道两侧的疏液层从而降低其疏液效果，形成热影响区。当将可通过溶液法生长晶体的溶液涂布在基底上时，热影响区的存在保证了溶液可以润湿并完全覆盖激光刻蚀产生的沟道。最后经过沉积形成的晶膜可以横向跨越沟道两侧，形成横向结构的双电极器件。根据本发明的制备方法无需分别进行活性材料以及电极材料的阵列化制备，仅通过激光刻蚀一种图案化过程即可完成，实现大面积、高通量、阵列化横向结构双电极器件的制备。
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公开(公告)号：CN118482842A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410552211.X
申请日：2024-05-07
申请人： 上海大学
摘要： 本发明提供一种MXene织物压力传感器的制备方法及MXene织物压力传感器，制备方法包括：步骤1：制备MXene悬浮液；步骤2：提供基底，在基底上形成光刻胶层，在光刻胶层上形成疏液层；步骤3：激光刻蚀疏液层和光刻胶层形成叉指状凹槽，叉指状凹槽的侧壁和底部形成有起伏沟壑状微结构；步骤4：通过涂布法将MXene悬浮液涂布在基底上，MXene悬浮液在非连续性去润湿作用下钉扎在叉指状凹槽内，沉积成MXene叉指电极薄膜；步骤5：将纯棉织物浸渍在另取的MXene悬浮液中，取出干燥后将纯棉织物平铺在基底上作为压力感应层；步骤6：将封装层热封在压力感应层之上，用于保护基底和压力感应层。本发明提供的MXene织物压力传感器具有高灵敏度、高通量、低成本的优势。
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公开(公告)号：CN115480647A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211275739.4
申请日：2022-10-18
申请人： 上海大学
IPC分类号： G06F3/01 , G06F3/042 , G06F3/04883
摘要： 本发明提供一种基于光电传感器阵列的非接触式交互系统，包括：光电传感器阵列，光电传感器阵列包括：透明基底；形成在透明基底上的导电层；形成在导电层上的图案化限制层，用于形成光电活性材料图案阵列；形成在图案化限制层上的光电活性材料图案阵列，其中阵列中的每个图案单元在外置偏压的驱动下形成一个微型光电传感器单元；面光源，面光源位于所述光电传感器阵列的基底背面；反射物，反射物可移动的位于光电传感器阵列的基底正面。该交互系统通过利用光电传感器阵列的高响应度及快响应速度特性使得交互界面快速跟踪运动物体的信号，并通过来自反射物对面光源进行光反射实现光电流增长，从而实现响应灵敏的无接触式三维人机交互。
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公开(公告)号：CN116629474A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310598972.4
申请日：2023-05-25
申请人： 上海大学
IPC分类号： G06Q10/047 , B81B7/04 , B81C1/00
摘要： 本发明提供一种基于液滴去润湿的迷宫求解方法及迷宫求解器。该迷宫求解方法包括：步骤1：通过光刻工艺在基底表面形成至少一个迷宫图案，所述迷宫图案所处的区域为亲液区域，所述迷宫图案之外的区域为疏液区域，所述迷宫图案中通道的区域为疏液区域；步骤2：利用涂布法通过所述基底表面的亲疏液区域和非连续性去润湿过程，在所述基底的所述迷宫图案所处的区域形成液滴；步骤3：在所述迷宫图案中，通过自发性去润湿过程中液滴三相线的运动实现迷宫求解。该基于液滴去润湿的迷宫求解方法及迷宫求解器，提供了基于实验求解迷宫的新思路，迷宫循迹简单，适用范围广，并且可实现高通量的迷宫求解器制备。
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公开(公告)号：CN114672308B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210437351.3
申请日：2022-04-19
申请人： 上海大学
IPC分类号： G09F3/02
摘要： 本发明提供一种钙钛矿荧光防伪结构的制备方法及钙钛矿荧光防伪标签。该制备方法包括：步骤S1：制备钙钛矿晶膜；步骤S2：通过激光在所述钙钛矿晶膜表面刻蚀图案，所述图案在自然光下不可识别，在紫外光辐照下可识别。本发明基于图案化钙钛矿阵列开发出多色彩多维度的不可复制的荧光防伪结构，即用于防伪的图案信息展现出极高的隐蔽性，在明场下完全隐形，受紫外光辐照才可显现；并且结合高温退火可实现可擦除‑可重写特性；调节前驱体溶液中的卤素配比能获得不同颜色的荧光，实现多样化以及高安全性的光学防伪结构。
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公开(公告)号：CN114672308A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210437351.3
申请日：2022-04-19
申请人： 上海大学
摘要： 本发明提供一种钙钛矿荧光防伪结构的制备方法及钙钛矿荧光防伪标签。该制备方法包括：步骤S1：制备钙钛矿晶膜；步骤S2：通过激光在所述钙钛矿晶膜表面刻蚀图案，所述图案在自然光下不可识别，在紫外光辐照下可识别。本发明基于图案化钙钛矿阵列开发出多色彩多维度的不可复制的荧光防伪结构，即用于防伪的图案信息展现出极高的隐蔽性，在明场下完全隐形，受紫外光辐照才可显现；并且结合高温退火可实现可擦除‑可重写特性；调节前驱体溶液中的卤素配比能获得不同颜色的荧光，实现多样化以及高安全性的光学防伪结构。
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