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公开(公告)号：CN113998694A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111388999.8
申请日：2021-11-22
申请人： 上海大学
IPC分类号： C01B32/184
摘要： 本发明公开了一种利用固态碳源获取大尺寸石墨烯的方法，以金属原子与碳原子组成的碳化物粉末作为固态碳源，溶碳性低的金属作为衬底。将碳化物粉末均匀地平铺在金属衬底上，在惰性气体的保护下，加热至金属衬底熔点温度以上0‑1000℃，此时碳化物中的金属原子会扩散到金属衬底内部，而碳化物中的碳原子因为在金属衬底中的溶解度有限，留在衬底表面，重构形成石墨烯。本发明方法直接利用固态碳源制备石墨烯，工艺简单，操作方便，可控性性好；并且不涉及危险性气体，安全性极高，适用于实现工业化生产，可制备大尺寸石墨烯等优点。
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公开(公告)号：CN114044512A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111389077.9
申请日：2021-11-22
申请人： 上海大学
IPC分类号： C01B32/184
摘要： 本发明提供了一种利用固态碳源在复合强磁场下稳定制备石墨烯的方法，以金属元素与碳元素组成的碳化物粉末作为固态碳源，溶碳性低的金属作为衬底，将碳化物粉末均匀地平铺在金属衬底上，在惰性气体的保护下，加热至金属衬底熔点温度以上0‑1000℃，使衬底熔化。同时，施加强磁场抑制金属衬底熔体的流动。此时碳化物中的金属原子会扩散到金属衬底内部，而碳化物中的碳原子因为在金属衬底中的溶解度有限，在衬底表面形成石墨烯，制备石墨烯的稳定性得到提高。本发明具有如下优点：方法新颖、工艺稳定、操作方便、可控性好、安全性极高、可制备大尺寸的石墨烯等优点。
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公开(公告)号：CN116162801A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310170625.1
申请日：2023-02-27
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种利用梯度磁场去除再生铝中铁的方法及其装置，方法如下：通过在石墨坩埚外侧施加一个感应加热线圈，并在线圈中通入中/高频交流电，从而加热形成再生铝熔体；在水冷结晶器外部设置超导梯度磁场线圈，利用再生铝熔体与富铁相由于磁化率差异所受到的梯度磁场力差，克服两者由于密度差所受到的重力差，从而控制富铁相远离凝固界面的定向迁移，实现再生铝中铁的去除。并采用连续铸造技术，将提纯后再生铝凝固成型，实现其大规模批量化制备。上述过程连续进行，可以连续去除再生铝中铁，并制备出长尺寸、高洁净的再生铝合金坯材。与现有技术相比，本发明装置简单、操作容易，适用于合金熔体中与合金熔体存在磁化率差异的杂质的高效去除。
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公开(公告)号：CN114044512B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111389077.9
申请日：2021-11-22
申请人： 上海大学
IPC分类号： C01B32/184
摘要： 本发明提供了一种利用固态碳源在复合强磁场下稳定制备石墨烯的方法，以金属元素与碳元素组成的碳化物粉末作为固态碳源，溶碳性低的金属作为衬底，将碳化物粉末均匀地平铺在金属衬底上，在惰性气体的保护下，加热至金属衬底熔点温度以上0‑1000℃，使衬底熔化。同时，施加强磁场抑制金属衬底熔体的流动。此时碳化物中的金属原子会扩散到金属衬底内部，而碳化物中的碳原子因为在金属衬底中的溶解度有限，在衬底表面形成石墨烯，制备石墨烯的稳定性得到提高。本发明具有如下优点：方法新颖、工艺稳定、操作方便、可控性好、安全性极高、可制备大尺寸的石墨烯等优点。
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公开(公告)号：CN113998694B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111388999.8
申请日：2021-11-22
申请人： 上海大学
IPC分类号： C01B32/184
摘要： 本发明公开了一种利用固态碳源获取大尺寸石墨烯的方法，以金属原子与碳原子组成的碳化物粉末作为固态碳源，溶碳性低的金属作为衬底。将碳化物粉末均匀地平铺在金属衬底上，在惰性气体的保护下，加热至金属衬底熔点温度以上0‑1000℃，此时碳化物中的金属原子会扩散到金属衬底内部，而碳化物中的碳原子因为在金属衬底中的溶解度有限，留在衬底表面，重构形成石墨烯。本发明方法直接利用固态碳源制备石墨烯，工艺简单，操作方便，可控性性好；并且不涉及危险性气体，安全性极高，适用于实现工业化生产，可制备大尺寸石墨烯等优点。
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公开(公告)号：CN116084021A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310003498.6
申请日：2023-01-03
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种磁场下无籽晶连续制备单晶的方法及其装置，是一种全新的单晶制备方法及装置。在定向凝固过程中，结合熔融玻璃净化剂减少形核质点的特点以及稳恒静磁场在凝固过程中抑制形核以及对导电流体的流动的强烈抑制作用，为晶体的生长提供了稳定的热和溶质环境。本发明利用稳恒静磁场，将纯金属、混合均匀的合金或半导体通过凝固的方式连续制备单晶，实现了在凝固条件下，直接从高温熔体中连续生长单晶的方法，通过调整磁感应强度、温度梯度和抽拉速度可获得具有多尺度凝固组织的单晶晶体，适用于纯金属的提纯，高温合金等合金及半导体单晶制备。本发明工艺简单，可操作性强，无需籽晶体，可连续生产制备单晶产品，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114160766A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111387259.2
申请日：2021-11-22
申请人： 上海大学
IPC分类号： B22D11/115 , B22D11/14
摘要： 本发明公开一种强磁场复合强磁场震荡制备均质合金连铸坯的装置及方法，此装置包括强磁体、熔体存储器、结晶器、引锭装置、电磁震荡装置、冷却装置，电磁震荡装置由两片导电陶瓷以及电源组成，且结晶器中部左右两侧区域采用导电陶瓷替换直接接触熔体，左右两侧导电陶瓷分别与电源正负极连接，结晶器外围设置强磁体，电磁振荡装置及强磁场均作用于铸坯固‑液界面处，熔体凝固时长大和碰撞聚集过程被强磁场作用抑制，并且重力沉降也被有效抑制，进一步促进合金成分的均匀化，最终获得均质化的合金连铸坯。采用本发明提供的制备合金连铸坯的方法能够获得成分均匀的合金连铸坯，是一种工艺成本低，操作简单，稳定性好的均质合金连铸坯制备方法。
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公开(公告)号：CN114101613A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111387322.2
申请日：2021-11-22
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种通过强磁场复合熔体过热处理制备均质难混溶合金连铸坯的方法及装置，属于均质偏晶合金材料制备工艺技术领域。本发明的特点主要是利用强磁场和熔体过热处理的复合作用：在连铸前改变熔体结构，消除短程有序的原子团簇，促使熔体成分均匀；在连铸时增大形核过冷度，促进形核抑制生长，抑制第二相液滴的碰撞聚集和沉降运动，从而不会发生组织偏析，使第二相颗粒在基体中弥散分布，实现连铸坯成分的均匀化。本发明还提供一种通过强磁场复合熔体过热处理连续制备均质难混溶合金坯的装置，适用于获得各种均质化的难混熔合金铸坯。
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公开(公告)号：CN202385050U
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201220000923.3
申请日：2012-01-04
申请人： 上海大学
IPC分类号： H02P25/06
摘要： 本实用新型涉及一种基于FPGA的运动控制卡，特别适用于线性磁轴直线电机的运动控制，包括FPGA、脉冲电压转换模块、运放模块、差分单端转换模块、光耦隔离输入模块、光耦隔离输出模块、USB/串口接口模块、电源接口模块和时钟模块；所述的FPGA通过USB/串口接口模块与主控机进行通信；FPGA、脉冲电压转换模块、运放模块通过标准信号接口依次相连；运放模块输出端通过光耦隔离输出模块与电机的伺服驱动器相连；差分单端转换模块通过光耦隔离输入模块与电机检测设备光栅编码器相连，输出端与FPGA相连。本实用新型能够快速完成速度模式下闭环控制线性磁轴直线电机的运动，不但成本低，可靠性高，速度快，体积小，而且运动控制精度高达1KHz，响应时间为3KHz。
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