公开(公告)号：CN102629645A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210124690.2

申请日：2012-04-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  昌海 ,  黄健 ,  唐可 ,  马礼敏 ,  夏义本

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种新型CdS-CdZnTe薄膜太阳能电池制备方法。本方法通过两步掺Zn法掺入一定量的Zn，可更容易控制薄膜中Zn的含量，并且可得到有利于提高电池性能的Zn分布，使其在背接触附近的薄膜层中具有较高的Zn含量，达到类似过渡层的效果，从而提高了电池的总体效率。

公开(公告)号：CN102709395B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210191009.6

申请日：2012-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  蔡良敏 ,  黄健 ,  唐可 ,  马礼敏 ,  张继军 ,  姜佳蔚

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明是一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的面积>1cm2，薄膜的厚度为>10μm，电阻率达109Ω·cm；金属电极的厚度为50~300nm。

公开(公告)号：CN102709395A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210191009.6

申请日：2012-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  蔡良敏 ,  黄健 ,  唐可 ,  马礼敏 ,  张继军 ,  姜佳蔚

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明是一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的面积>1cm2，薄膜的厚度为>10μm，电阻率达109Ω·cm；金属电极的厚度为50~300nm。