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公开(公告)号：CN104916740B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510278862.5
申请日：2015-05-27
申请人： 上海大族新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种退火氧化设备，该设备包括炉体、传送装置、进气装置、加热装置、冷却装置、保温层和控制装置。炉体一端设有进料口，另一端设有出料口，所述炉体包括相互连通的加热区和冷却区，所述冷却区靠近所述出料口；进气装置位于炉体内部并与炉体连通，加热装置和冷却装置均位于炉体外部，控制装置分别与传送装置、加热装置、进气装置和冷却装置连接。硅片经进料口进入炉体，经传送装置自进料口向出料口运动，硅片在炉体内的运动过程中，进气装置不断向炉体内输送氧气，控制装置通过控制加热装置、冷却装置以及传送装置进而调节炉体内的温度和硅片的传送速度，从而完成硅片的退火氧化工艺。硅片在从炉体中传送并输出的同时完成了硅片的退火氧化，减少了操作步骤，节约了生产时间。
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公开(公告)号：CN104916740A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510278862.5
申请日：2015-05-27
申请人： 上海大族新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1876 , H01L31/1864 , H01L31/1868
摘要： 本发明涉及一种退火氧化设备，该设备包括炉体、传送装置、进气装置、加热装置、冷却装置、保温层和控制装置。炉体一端设有进料口，另一端设有出料口，所述炉体包括相互连通的加热区和冷却区，所述冷却区靠近所述出料口；进气装置位于炉体内部并与炉体连通，加热装置和冷却装置均位于炉体外部，控制装置分别与传送装置、加热装置、进气装置和冷却装置连接。硅片经进料口进入炉体，经传送装置自进料口向出料口运动，硅片在炉体内的运动过程中，进气装置不断向炉体内输送氧气，控制装置通过控制加热装置、冷却装置以及传送装置进而调节炉体内的温度和硅片的传送速度，从而完成硅片的退火氧化工艺。硅片在从炉体中传送并输出的同时完成了硅片的退火氧化，减少了操作步骤，节约了生产时间。
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公开(公告)号：CN104907690A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510278880.3
申请日：2015-05-27
申请人： 上海大族新能源科技有限公司
IPC分类号： B23K26/046
CPC分类号： B23K26/046 , B23K2101/40
摘要： 本发明涉及一种激光焦点定位装置，该激光焦点定位装置包括探测器、载台、位置调整机构、光衰减器、位置调整机构、光衰减器以及图像采集与分析模块，载台位于探测器下方，位置调整机构位于载台两侧并与载台连接，光衰减器位于探测器上方，图像采集与分析模块与探测器通信连接。上述激光焦点定位装置对激光光斑进行处理并得到最精确的光斑大小，进而准确地确定焦点位置，克服了人为因素影响，焦点定位精度高。本发明还涉及采用上述装置的激光焦点定位方法，该方法步骤简单，焦点定位精度高。
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公开(公告)号：CN106024983A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610542614.1
申请日：2016-07-11
申请人： 上海大族新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L21/225
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L21/225 , H01L31/03529 , H01L31/0682
摘要： 本发明涉及一种太阳电池及其制作方法。该方法包括步骤：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼源膜层，通过激光对其进行处理，形成硼源区域和多个无硼源区域，相邻的无硼源区域之间有间隔；将N型硅片进行反应，在硼源区域的位置上形成依次层叠的p+发射极区域和硼硅玻璃区域，在第一表面上形成氧化硅层；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n+背表面场区域，在第一表面上依次形成n+前表面场层和磷硅玻璃层；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述太阳电池及其制作方法，减小了光生载流子在背表面的横向传输距离，提高了全背接触太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN104835875A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510188915.4
申请日：2015-04-20
申请人： 上海大族新能源科技有限公司 , 大族激光科技产业集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/186 , H01L31/18 , H01L31/1868
摘要： 本发明公开了一种晶体硅太阳电池的侧边激光隔离方法，利用激光在半成品太阳电池的侧边绕刻一周，将半成品太阳电池侧边的pn结隔断，形成一隔离槽。本发明还公开了一种晶体硅太阳电池的制备方法。本发明实现对常规太阳电池及n型双面电池等特殊电池的pn结隔离，降低太阳电池的因有效面积损失而带来的效率损失，使太阳电池的效率损失降低到0.1%abs及以下。
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公开(公告)号：CN106024983B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610542614.1
申请日：2016-07-11
申请人： 上海大族新能源科技有限公司 , 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L21/225
摘要： 本发明涉及一种太阳电池及其制作方法。该方法包括步骤：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼源膜层，通过激光对其进行处理，形成硼源区域和多个无硼源区域，相邻的无硼源区域之间有间隔；将N型硅片进行反应，在硼源区域的位置上形成依次层叠的p+发射极区域和硼硅玻璃区域，在第一表面上形成氧化硅层；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n+背表面场区域，在第一表面上依次形成n+前表面场层和磷硅玻璃层；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述太阳电池及其制作方法，减小了光生载流子在背表面的横向传输距离，提高了全背接触太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN205881928U
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201620725185.7
申请日：2016-07-11
申请人： 上海大族新能源科技有限公司 , 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L21/225
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本实用新型涉及一种太阳电池。一种太阳电池，包括具有绒面和抛光面的N型硅片，绒面侧包括n+前表面场层，抛光面侧包括p+发射极区域和多个n+背表面场区域，每个n+背表面场区域由p+发射极区域包围，n+背表面场区域和p+发射极区域均延伸至N型硅片内，并且其顶部表面齐平；位于n+前表面场层上的第一钝化减反射膜层和覆盖p+发射极区域和n+背表面场区域的第二钝化减反射膜层；位于第二钝化减反射膜层上的正电极和负电极，正电极向p+发射极区域延伸，延伸至p+发射极区域的顶部表面，负电极向所述n+背表面场区域，延伸至n+背表面场区域的顶部表面。上述太阳电池，提高了全背接触太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN204725003U
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201520352488.4
申请日：2015-05-27
申请人： 上海大族新能源科技有限公司
IPC分类号： B23K26/046
摘要： 本实用新型涉及一种激光焦点定位装置，该激光焦点定位装置包括探测器、载台、位置调整机构、光衰减器、位置调整机构、光衰减器以及图像采集与分析模块，载台位于探测器下方，位置调整机构位于载台两侧并与载台连接，光衰减器位于探测器上方，图像采集与分析模块与探测器通信连接。上述激光焦点定位装置对激光光斑进行处理并得到最精确的光斑大小，进而准确地确定焦点位置，克服了人为因素影响，焦点定位精度高。
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公开(公告)号：CN204760405U
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201520351700.5
申请日：2015-05-27
申请人： 上海大族新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本实用新型涉及一种退火氧化设备，该设备包括炉体、传送装置、进气装置、加热装置、冷却装置、保温层和控制装置。炉体一端设有进料口，另一端设有出料口，所述炉体包括相互连通的加热区和冷却区，所述冷却区靠近所述出料口；进气装置位于炉体内部并与炉体连通，加热装置和冷却装置均位于炉体外部，控制装置分别与传送装置、加热装置、进气装置和冷却装置连接。硅片经进料口进入炉体，经传送装置自进料口向出料口运动，硅片在炉体内的运动过程中，进气装置不断向炉体内输送氧气，控制装置通过控制加热装置、冷却装置以及传送装置进而调节炉体内的温度和硅片的传送速度，从而完成硅片的退火氧化工艺。硅片在从炉体中传送并输出的同时完成了硅片的退火氧化，减少了操作步骤，节约了生产时间。
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公开(公告)号：CN204668318U
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201520240093.5
申请日：2015-04-20
申请人： 上海大族新能源科技有限公司 , 大族激光科技产业集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/06 , H01L21/76
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本实用新型一种晶体硅太阳电池，包含：第一导电类型的晶体硅层；覆盖第一导电类型的晶体硅层正面及侧壁的第二导电类型的晶体硅层；减反射膜层，覆盖位于第一导电类型的晶体硅层正面的第二导电类型的晶体硅层；金属电极，位于减反射膜层，与第二导电类型的晶体硅层电连接；金属背电极，覆盖第一导电类型的晶体硅层的背面，并与第一导电类型的晶体硅层电连接；隔离槽，环绕设置在位于第一导电类型的晶体硅层侧壁的第二导电类型的晶体硅层。本实用新型实现对常规太阳电池及N型双面电池等特殊电池的PN结隔离，降低太阳电池的因有效面积损失而带来的效率损失，使太阳电池的效率损失降低到0.1%abs及以下。
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