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公开(公告)号：CN106206666B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201610754193.9
申请日：2016-08-29
申请人： 上海天马微电子有限公司 , 天马微电子股份有限公司
摘要： 本申请公开了有机发光显示面板和有机发光显示装置。有机发光显示面板包括基板、阴极层、位于基板和阴极层之间的阳极层、位于基板和阳极层之间的多个金属层以及位于金属层和阴极层之间的绝缘介质；其中，阳极层包括阳极区；阴极层复用为第一压感电极；金属层或者位于阳极层且与阳极区无交叠的区域设有第二压感电极；第一压感电极、第二压感电极以及位于第一压感电极和第二压感电极之间的绝缘介质用于压力感测。该有机发光显示面板和有机发光显示装置能够在现有有机发光显示面板的基础上实现压力感测，降低了制作成本，减小了压感显示装置的厚度。
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公开(公告)号：CN105489634B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201610094098.0
申请日：2016-02-19
申请人： 上海天马微电子有限公司 , 天马微电子股份有限公司
发明人： 霍思涛
摘要： 本发明实施例公开了一种显示面板及其制造方法、以及显示装置，该显示面板包括：基板；设置在基板上的有机发光层和驱动芯片，有机发光层与驱动芯片电连接；设置于有机发光层背离基板一侧的保护膜层；设置于保护膜层面向有机发光层一侧表面的触控电极层，触控电极层延伸至有机发光层的外围并与驱动芯片电连接。本发明中，显示面板的触控电极层和有机发光层共用一个驱动芯片，与现有技术相比，本发明中显示面板的结构简单、组件减少，相应的成本降低、工艺步骤减少，显示面板的厚度也相应减小，实现了显示面板的薄型化和轻量化。
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公开(公告)号：CN104393000B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410559714.6
申请日：2014-10-20
申请人： 上海天马微电子有限公司 , 天马微电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以减少工艺步骤，从而降低生产成本，提高生产效率。所述阵列基板包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、与每个薄膜晶体管的源极/漏极连接的数据线，以及位于衬底基板上的遮光层，其中，所述数据线与所述遮光层位于同一层，在所述数据线上方设置有第一过孔以暴露部分所述数据线，所述薄膜晶体管包括半导体有源层和第一透明电极，在所述半导体有源层上方设置有第二过孔以暴露部分所述半导体有源层，所述第一透明电极通过所述第一过孔和所述第二过孔将所述数据线与所述半导体有源层电连接。
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公开(公告)号：CN106505089A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610931458.8
申请日：2016-10-31
申请人： 上海天马微电子有限公司 , 天马微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本发明提供一种显示器件，包括：第一基板，包含显示区和非显示区，所述第一基板上的所述非显示区绑定有集成电路，所述第一基板的所述非显示区还设置有多个连接焊盘，电连接至所述集成电路；显示元件，位于所述第一基板之上的所述显示区内，所述显示元件与所述集成电路位于所述第一基板的同侧；密封层，位于所述显示元件背离所述第一基板的一侧，所述密封层的非显示区设置有多个过孔；以及触控层组，包括位于所述密封层之上的至少一触控电极层，所述触控电极层通过所述密封层的过孔与所述连接焊盘电连接。本发明提供的显示器件可以降低成本。
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公开(公告)号：CN104216129A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410466514.6
申请日：2014-09-12
申请人： 上海天马微电子有限公司 , 天马微电子股份有限公司
IPC分类号： G02B27/22 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/134336 , G02B27/2214 , G02F1/133512 , G02F1/133707 , G02F1/134309 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134318 , G02F2001/134345 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H04N13/305 , H04N2213/001
摘要： 本发明公开了一种显示面板和显示装置，所述显示面板中的每个像素单元包括位于数据线和扫描线交叉处的开关器件及与开关器件电连接的像素电极；位于第一基板上的公共电极；公共电极包括覆盖多条数据线或覆盖多条扫描线的具有相同第一宽度的多个第一公共电极，以及与各像素单元交叠的具有相同第二宽度的多个第二公共电极，第一宽度与第二宽度相同；或者，公共电极包括多个狭缝，多条狭缝包括位于多条数据线或扫描线上方的具有相同第一狭缝宽度的多个第一狭缝，以及位于各像素单元的具有相同第二狭缝宽度的多个第二狭缝，第一狭缝宽度与所述第二狭缝宽度相同。本发明能够消除显示面板加电时在图像中产生的莫尔条纹，提高图像显示的质量。
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公开(公告)号：CN103928470A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310254826.6
申请日：2013-06-24
申请人： 上海天马微电子有限公司 , 天马微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/127
摘要： 本发明提供一种氧化物半导体TFT阵列基板，包括薄膜晶体管和存储电容，所述薄膜晶体管包括位于第一导电层的栅极，位于栅极之上的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层之上的有源层，所述有源层为氧化物半导体层，位于有源层之上的刻蚀阻挡层，位于刻蚀阻挡层之上并且位于第二导电层的源极和漏极；所述存储电容包括位于第一导电层的第一极板，位于第一极板之上的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层之上刻蚀阻挡层，位于刻蚀阻挡层之上并且位于第二导电层的第二极板；其中，位于第一极板之上的刻蚀阻挡层的厚度小于位于栅极之上的刻蚀阻挡层的厚度。本发明提供的金属氧化物TFT阵列基板存储电容值较高，还减小周边电路的尺寸，提高了显示装置的性能。
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公开(公告)号：CN106505089B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610931458.8
申请日：2016-10-31
申请人： 上海天马微电子有限公司 , 天马微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本发明提供一种显示器件，包括：第一基板，包含显示区和非显示区，所述第一基板上的所述非显示区绑定有集成电路，所述第一基板的所述非显示区还设置有多个连接焊盘，电连接至所述集成电路；显示元件，位于所述第一基板之上的所述显示区内，所述显示元件与所述集成电路位于所述第一基板的同侧；密封层，位于所述显示元件背离所述第一基板的一侧，所述密封层的非显示区设置有多个过孔；以及触控层组，包括位于所述密封层之上的至少一触控电极层，所述触控电极层通过所述密封层的过孔与所述连接焊盘电连接。本发明提供的显示器件可以降低成本。
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公开(公告)号：CN106384739B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610756679.6
申请日：2016-08-29
申请人： 上海天马微电子有限公司 , 天马微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/44 , G06F3/041 , G09G3/3225
摘要： 本申请公开了有机发光显示面板及其驱动方法、有机发光显示装置。有机发光显示面板包括基板，位于所述基板上的阴极层、阳极层和位于所述阴极层和阳极层之间的介质层；所述阴极层复用为第一压感电极、所述阳极层复用为第二压感电极，所述阳极层包括多个阳极区；所述第一压感电极、所述介质层和所述第二压感电极用于压力感测。该实施方式能够在现有有机发光显示面板的基础上实现压力感测，降低了制作成本，减小了压感显示装置的厚度。
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公开(公告)号：CN105679805B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610192475.4
申请日：2016-03-30
申请人： 上海天马微电子有限公司 , 天马微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/32 , G06F3/041 , G09G3/3208
摘要： 本发明公开了一种显示面板、驱动方法及显示装置，包括：划分有多个发光区的基板，任意相邻两个发光区之间具有间隙；设置于基板一侧的金属功能膜层，金属功能膜层包括多个第一触控电极，且第一触控电极设置于多个发光区之间的间隙区域；以及，设置于金属功能膜层背离基板一侧的阴极层，阴极层对应第一触控电极的区域形成有镂空区。将第一触控电极设置于阴极层和基板之间，且将阴极层对应第一触控电极的区域上形成镂空区域，进而能够保证第一触控电极发出的电场穿过阴极层的镂空区延伸至外部。将具有触控功能的第一触控电极设置于显示面板内，而无需外挂触摸屏，提高显示装置的光透过率，且减小了显示装置的厚度，满足显示装置轻薄化的趋势。
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公开(公告)号：CN103928530B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201310170052.9
申请日：2013-05-09
申请人： 上海天马微电子有限公司 , 天马微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77
摘要： 本发明实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，本发明实施例通过在TFT阵列基板中，通过氧化物半导体将TFT器件中的有源层和像素区域的像素电极同层设置，将像素电极的氧化物半导体处理为掺氢的氧化物半导体，增加像素电极的导电性能，并且刻蚀阻挡层、源/漏电极层和钝化层均暴露出像素电极，源漏电极分别和有源层电连接，漏电极还与像素电极电连接，相比于现有技术中的氧化物TFT阵列基板，减少了像素ITO层，能够降低氧化物TFT阵列基板的生产成本。
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