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公开(公告)号：CN111525968B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202010366182.X
申请日：2020-04-30
Applicant: 上海师范大学
IPC: H04B17/29 , H04B17/391
Abstract: 本发明涉及一种用于亚毫米波接收机标定的波束映射系统及标定方法，包括：信号源，用于产生供亚毫米波接收机接收的信号，所述信号源由热负载和冷负载组成；斩波器，设于所述热负载和冷负载之间并进行切换；导轨滑台，所述信号源安装在所述导轨滑台上，实现在平面内的自由移动；数据采集单元，对亚毫米波接收机的输出信号进行采集并处理。本发明公开的波束映射系统面向天文应用，可用于亚毫米波接收机的观测空间位置响应、视场分布的标定，同时可显示实时视场分布图。
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公开(公告)号：CN113985500A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111133308.X
申请日：2021-09-27
Applicant: 上海师范大学
Abstract: 本发明涉及一种基于钛酸锶球壳结构的可调太赫兹波超材料吸收器，该吸收器包括：钛酸锶衬底层(1)；背电极掺杂Si层(2)，生长在钛酸锶衬底层(1)表面；石墨烯‑SiO2有源区，位于背电极掺杂Si层(2)上方：氧化铝间隔层(5)，生长在石墨烯‑SiO2有源区表面；钛酸锶球壳结构层(6)，包括周期阵列的钛酸锶球壳，并生长在间隔层(5)表面。所述的石墨烯‑SiO2有源区包括位于下方的SiO2绝缘层(3)，以及生长在SiO2绝缘层(3)上的石墨烯层(4)。与现有技术相比，本发明具有大调制深度、集多种调制方法于一体等优点。
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公开(公告)号：CN112652669A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011551857.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 上海师范大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/113 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种光学Tamm态增强型石墨烯光电探测器，该光电探测器包括自下而上依次堆叠的P型高掺硅片(1)、金属反射镜(2)、绝缘层(3)、光敏层和漏源电极(4)、介质保护层(5)和介质布拉格反射镜(6)，所述的光敏层(4)为二维材料或有机光电薄膜，包括石墨烯、二硫化钼、黑磷等、钙钛矿、量子点薄膜。本发明利用光学Tamm态将石墨烯的光吸收能力提升了26倍(从2.3％提升至60％)，解决了纯石墨烯光电探测器光响应率低的问题(从0.6mA/W提升至30mA/W)；通过改变结构参数(金属反射镜材料，介质布拉格反射镜参数)可以实现不同响应频率和带宽的光电探测，以满足不同的应用需求。
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公开(公告)号：CN108539423B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201810236320.5
申请日：2018-03-21
Applicant: 上海师范大学
Abstract: 本发明涉及石墨烯基互补型非对称Π型结构THz调制器及制备方法，THz调制器包括：聚合物柔性衬底层；氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)半导体溅射层；Al2O3绝缘‑石墨烯有源区结构复合层：生长在ITO层上，由至少一个Al2O3绝缘‑有源区子结构叠加组成，所述的Al2O3绝缘‑有源区子结构包括位于下方的Al2O3绝缘层，以及生长在Al2O3绝缘层上的互补型石墨烯微结构层；通过自旋喷涂的方法在最上方的一个有源区子结构上制作导电凝胶‑凝胶层为上电极。与现有技术相比，本发明可以实现对太赫兹波的有效调节，调制器的品质因子高(Q>30)、可调性能好和调制深度大等优点。
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公开(公告)号：CN111796437A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010702690.0
申请日：2020-07-21
Applicant: 上海师范大学
Inventor： 何晓勇
IPC: G02F1/017
Abstract: 本发明涉及一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法，通过基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波调制器进行实现，太赫兹波调制器包括聚合物柔性衬底、外延层、绝缘层和狄拉克半金属微结构，狄拉克半金属微结构上设置有金薄层和铬薄层，铬薄层设置在金薄层上，外延层设置在聚合物柔性衬底上，绝缘层设置在外延层上，狄拉克半金属微结构为太赫兹波调制器的有源区，设置在绝缘层上，狄拉克半金属微结构和外延层之间施加有外电压，改变对应的费米能级，从而调节共振谱线的波形。与现有技术相比，本发明具有提高幅值调制深度和频率调制深度、制作工艺更加简单、可行性更好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106200016A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610586405.7
申请日：2016-07-25
Applicant: 上海师范大学
IPC: G02F1/015
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2203/13
Abstract: 本发明提供了一种以石墨烯互补型微结构作为有源区的太赫兹调制器，包括衬底；在衬底上生长的掺杂半导体层；依次叠加的绝缘层和有源区层；其中最底部绝缘层在掺杂半导体层上生长，顶部为有源区层；所述有源区层为具有为互补微结构的石墨烯层；生长在最顶部有源区的电极。本发明还提供了所述太赫兹调制器的制作方法。本发明能够通过外加偏压改变石墨烯费米能级，从而实现对入射THz波实现深度调制。
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公开(公告)号：CN111525968A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010366182.X
申请日：2020-04-30
Applicant: 上海师范大学
IPC: H04B17/29 , H04B17/391
Abstract: 本发明涉及一种用于亚毫米波接收机标定的波束映射系统及标定方法，包括：信号源，用于产生供亚毫米波接收机接收的信号，所述信号源由热负载和冷负载组成；斩波器，设于所述热负载和冷负载之间并进行切换；导轨滑台，所述信号源安装在所述导轨滑台上，实现在平面内的自由移动；数据采集单元，对亚毫米波接收机的输出信号进行采集并处理。本发明公开的波束映射系统面向天文应用，可用于亚毫米波接收机的观测空间位置响应、视场分布的标定，同时可显示实时视场分布图。
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公开(公告)号：CN111146306A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911384674.5
申请日：2019-12-28
Applicant: 上海师范大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0352 , G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种基于声子激元磁共振的窄带红外吸收器，包括入射介质(1)和半导体衬底(2)，所述入射介质(1)贴合于半导体衬底(2)的上表面，所述半导体衬底(2)的顶端设有凹陷的狭缝。一种狭缝的制备方法，包括以下步骤：步骤S1：通过仿真模拟软件设计所述狭缝；步骤S2：通过有限元法计算所述狭缝的光谱与场分布；步骤S3：利用聚焦离子束，将优化完成的狭缝刻蚀在所述半导体衬底(2)上，形成窄带红外吸收器，红外吸收器工作时的大气窗口为10.32～12.61μm。与现有技术相比，本发明具有结构简单、易于制备、有效减小吸收器的体积等优点。
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公开(公告)号：CN110320678A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910697425.5
申请日：2019-07-30
Applicant: 上海师范大学
Abstract: 本发明涉及基于钛酸锶全介质超材料的太赫兹波调制器及其制备方法，太赫兹波调制器包括：聚合物柔性衬底层；掺杂半导体外延层：生长在聚合物柔性衬底层表面；生长在半导体硅外延层上的SiO2绝缘-钛酸锶微结构复合层：其包括位于下方的SiO2绝缘层，以及生长在SiO2绝缘层上的钛酸锶微结构层。与现有技术相比，本发明的制得的调制器的品质因子高、可调性能好和调制深度大，且制备工艺相对简单，适合于规模化生产应用。
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公开(公告)号：CN108539423A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810236320.5
申请日：2018-03-21
Applicant: 上海师范大学
Abstract: 本发明涉及石墨烯基互补型非对称Π型结构THz调制器及制备方法，THz调制器包括：聚合物柔性衬底层；氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)半导体溅射层；Al2O3绝缘-石墨烯有源区结构复合层：生长在ITO层上，由至少一个Al2O3绝缘-有源区子结构叠加组成，所述的Al2O3绝缘-有源区子结构包括位于下方的Al2O3绝缘层，以及生长在Al2O3绝缘层上的互补型石墨烯微结构层；通过自旋喷涂的方法在最上方的一个有源区子结构上制作导电凝胶-凝胶层为上电极。与现有技术相比，本发明可以实现对太赫兹波的有效调节，调制器的品质因子高(Q>30)、可调性能好和调制深度大等优点。
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