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公开(公告)号：CN106952566A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710189211.8
申请日：2017-03-27
Applicant: 上海师范大学
Abstract: 本发明涉及基于蝶翅鳞片微纳结构的灰度防伪标识及其制备方法，该方法首先采用油墨在银衬底上描绘出所需的防伪图案，然后于银衬底表面上排列单层聚苯乙烯小球，通过提拉获得表面负载有单层聚苯乙烯薄膜的银衬底，待单层聚苯乙烯薄膜上的溶液完全挥发，获得聚苯乙烯小球模板，再通过电镀银在除防伪图案以外的部位获得聚苯乙烯小球模板的反结构，后经超声除球、油墨清洗，即可。与现有技术相比，本发明方法通过仿制蝶翅表面微纳凹坑结构，可以将入射凹坑侧壁的线偏振光的偏振方向改变90°，通过旋转两块偏振片，可以看到有凹坑结构的部位和无此结构部位的明暗度区别，利用这种特点可以制成支持图案定制的新型灰度防伪标识。
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公开(公告)号：CN111129159B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201911268137.4
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海师范大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L21/368
Abstract: 本发明涉及一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管及其制备方法，该晶体管包括自下而上依次堆叠的基板(1)、栅电极(2)，SiO2栅绝缘层(3)，半导体层(4)和源漏电极(5)，所述的半导体层(0.1‑0.5):1，通过(1)射频磁控溅射沉积；(2)离子源辅助的电子束蒸发沉积；(3)溶胶凝胶；(4)旋涂、沉积、退火处理；(5)射频磁控溅射沉积，退火处理后最终得到。与现有技术相比，本发明具有半导体层制备成本低、成分简单且不含In、Zn元素、透明、晶体管阈值电压可调控等优点。(4)包括Eu和SnO2，其中Eu和SnO2的摩尔比为
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公开(公告)号：CN107065661B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710188782.X
申请日：2017-03-27
Applicant: 上海师范大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明涉及一种用于提取气‑液界面膜的设备，包括机架、朗谬尔水槽、控制机构和执行机构，朗谬尔水槽设置在机架的下方，执行机构吊设在机架上，经控制机构控制升降的速率。与现有技术相比，本发明运行过程中提拉到顶自动停机无需照看，步进速率小至0.1mm/min，可以精确控制提拉速度，并且调速区间广，可满足大部分实验需求。
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公开(公告)号：CN111129181B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201911266930.0
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海师范大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/101
Abstract: 本发明涉及一种在可见光到近红外波段具有带通滤波功能的石墨烯光电探测器，该探测器包括自下而上依次堆叠的基板(1)、第一膜堆(2)、光电探测器层、二氧化硅缺陷层(5)以及第二膜堆(6)，所述的二氧化硅缺陷层(5)厚度为100‑775nm。与现有技术相比，本发明具有光响应度高，容易与现代集成电路相兼容、在可见光到近红外波段具有窄带滤光功能等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107065661A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710188782.X
申请日：2017-03-27
Applicant: 上海师范大学
IPC: G05B19/042
CPC classification number: G05B19/0423 , G05B2219/25257
Abstract: 本发明涉及一种用于提取气‑液界面膜的设备，包括机架、朗谬尔水槽、控制机构和执行机构，朗谬尔水槽设置在机架的下方，执行机构吊设在机架上，经控制机构控制升降的速率。与现有技术相比，本发明运行过程中提拉到顶自动停机无需照看，步进速率小至0.1mm/min，可以精确控制提拉速度，并且调速区间广，可满足大部分实验需求。
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公开(公告)号：CN106816085A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710188783.4
申请日：2017-03-27
Applicant: 上海师范大学
IPC: G09F3/02
CPC classification number: G09F3/0294
Abstract: 本发明涉及一种基于蝶翅鳞片微纳结构的彩色防伪标识制备方法，该方法包括以下步骤：(1)对银衬底进行预处理；(2)通过提拉法在银衬底上排列单层小球模板，采用电镀法在该模板上获得反结构；(3)通过原子层沉积法结合掩模法在所述反结构表面交替镀上多个周期的薄膜，获得最终彩色防伪标识。与现有技术相比，本发明所得标识为凹坑结构，其侧面颜色和底部颜色因为入射角度的不同将会呈现不同的颜色。而且凹坑结构的侧面可以将入射线偏振光的偏振方向改变九十度。因此，通过旋转两块偏振片将可以看到有凹坑结构的部位和无此结构部位的颜色区别，制备过程中安全无毒，效果好。
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公开(公告)号：CN112652669A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011551857.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 上海师范大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/113 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种光学Tamm态增强型石墨烯光电探测器，该光电探测器包括自下而上依次堆叠的P型高掺硅片(1)、金属反射镜(2)、绝缘层(3)、光敏层和漏源电极(4)、介质保护层(5)和介质布拉格反射镜(6)，所述的光敏层(4)为二维材料或有机光电薄膜，包括石墨烯、二硫化钼、黑磷等、钙钛矿、量子点薄膜。本发明利用光学Tamm态将石墨烯的光吸收能力提升了26倍(从2.3％提升至60％)，解决了纯石墨烯光电探测器光响应率低的问题(从0.6mA/W提升至30mA/W)；通过改变结构参数(金属反射镜材料，介质布拉格反射镜参数)可以实现不同响应频率和带宽的光电探测，以满足不同的应用需求。
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公开(公告)号：CN111129181A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911266930.0
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海师范大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/101
Abstract: 本发明涉及一种在可见光到近红外波段具有带通滤波功能的石墨烯光电探测器，该探测器包括自下而上依次堆叠的基板(1)、第一膜堆(2)、光电探测器层、二氧化硅缺陷层(5)以及第二膜堆(6)，所述的二氧化硅缺陷层(5)厚度为100-775nm。与现有技术相比，本发明具有光响应度高，容易与现代集成电路相兼容、在可见光到近红外波段具有窄带滤光功能等优点。
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公开(公告)号：CN111129159A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911268137.4
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海师范大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L21/368
Abstract: 本发明涉及一种掺铕的二氧化锡基薄膜晶体管及其制备方法，该晶体管包括自下而上依次堆叠的基板(1)、栅电极(2)，SiO2栅绝缘层(3)，半导体层(4)和源漏电极(5)，所述的半导体层(4)包括Eu和SnO2，其中Eu和SnO2的摩尔比为(0.1-0.5):1，通过(1)射频磁控溅射沉积；(2)离子源辅助的电子束蒸发沉积；(3)溶胶凝胶；(4)旋涂、沉积、退火处理；(5)射频磁控溅射沉积，退火处理后最终得到。与现有技术相比，本发明具有半导体层制备成本低、成分简单且不含In、Zn元素、透明、晶体管阈值电压可调控等优点。
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