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公开(公告)号：CN111423231A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010242269.6
申请日：2020-03-31
Applicant: 上海师范大学
Abstract: 本发明涉及一种三元系弛豫铁电薄膜材料及其制备和应用，材料的化学组成为(1-x-y)Pb(In1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3-zMn，其中x＝0.20～0.40，y＝0.18～0.60，z＝0.003～0.03，包括以下步骤：(a)将MnO2、In2O3、Nb2O5、MgO、PbO和TiO2混合，后依次进行球磨、烘干、过筛、预烧、造粒、压片和烧结，得到Mn-PIN-PMN-PT陶瓷靶材；(b)将SrTiO3单晶依次置于丙酮、乙醇和去离子水中进行超声洗涤，后干燥，得到衬底；(c)以激光溅射的方式，将SrRuO3陶瓷靶在衬底上进行沉积处理，后进行退火处理，得到底电极；(d)以激光溅射的方式，将Mn-PIN-PMN-PT陶瓷靶材在底电极有上进行沉积处理，后进行退火处理，得到薄膜材料。与现有技术相比，本发明的薄膜具有纯钙钛矿结构，且具有优异的铁电和压电性能，以及较高的居里温度和三方-四方相变温度。
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公开(公告)号：CN107008636B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710329558.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 上海师范大学
Abstract: 本发明一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法，涉及高频超声换能器技术领域。所述高频超声换能器由声匹配层(1)，发声材料(2)，背衬层(3)，金属外壳(4)组成，工作频率为20MHz至300MHz。其中，声匹配层(1)为聚对二甲苯；发声材料(2)为无铅压电单晶高频压电元件；背衬层(3)为导电胶；金属外壳(4)为不锈钢材料。高频超声换能器的制备方法，包括步骤：a.采用高居里温度的无铅压电单晶材料至l.将单晶元件封装在金属外壳内……。特别通过机械减薄‑化学机械减薄‑反应离子刻蚀相结合的减薄方法，将无铅压电单晶材料制成一种高性能无铅单晶元件，并以此元件制备一种换能器，解决了高频与铅污染问题。
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公开(公告)号：CN107008636A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710329558.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 上海师范大学
CPC classification number: B06B1/0644 , B06B2201/55 , B06B2201/76 , H01L41/33
Abstract: 本发明一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法，涉及高频超声换能器技术领域。所述高频超声换能器由声匹配层(1)，发声材料(2)，背衬层(3)，金属外壳(4)组成，工作频率为20MHz至300MHz。其中，声匹配层(1)为聚对二甲苯；发声材料(2)为无铅压电单晶高频压电元件；背衬层(3)为导电胶；金属外壳(4)为不锈钢材料。高频超声换能器的制备方法，包括步骤：a.采用高居里温度的无铅压电单晶材料至l.将单晶元件封装在金属外壳内……。特别通过机械减薄‑化学机械减薄‑反应离子刻蚀相结合的减薄方法，将无铅压电单晶材料制成一种高性能无铅单晶元件，并以此元件制备一种换能器，解决了高频与铅污染问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113774485A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110981620.8
申请日：2021-08-25
Applicant: 上海师范大学
IPC: C30B29/22
Abstract: 本发明涉及一种铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包含自下而上依次设置的衬底、导电缓冲层和薄膜层，所述薄膜层为铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅，化学组成为(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3，其中，x＝0.20～0.40，y＝0.18～0.60，所述铁电薄膜材料采用溶胶凝胶方法制备。与现有技术相比，本发明制备的薄膜具有纯钙钛矿结构，且具有优异的铁电、压电和热释电性能，以及高的居里温度，适用于新型的压电、热释电集成器件。
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公开(公告)号：CN119110666A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411078574.0
申请日：2024-08-07
Applicant: 上海师范大学
IPC: H10N30/086 , H10N30/082 , B81C1/00 , H03H3/00 , H03H3/007
Abstract: 本发明涉及压电薄膜晶圆的制备，属于MEMS领域。一种大尺寸压电薄膜晶圆的减薄方法，其特征在于包括如下步骤：首先，通过衬底图形化工艺，在衬底上制备出一个高度略大于或者等于薄膜晶圆目标厚度的限位凹槽，然后将压电晶圆键合在所述限位凹槽内，最后进行化学研磨，当压电晶圆薄膜被研磨到与衬底上所述限位凹槽的周边高度齐平，从而精准控制压电薄膜晶圆的减薄。本发明的方法能够精准控制压电晶圆薄膜的厚度，解决现在减薄工艺中出现的无法精准控制厚度，导致开裂以及破损的问题。本发明还提出了基于本减薄方法的压电薄膜晶圆以及基于本方法制备多种滤波器和谐振器的工艺，新工艺降低了对材料的限制，提高器件的性能，具有较高的应用前景。
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公开(公告)号：CN115763597A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211491383.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 上海师范大学
IPC: H01L31/0445 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种铌镍酸钡‑铌酸钾铁电薄膜材料及其制备方法与应用，该铌镍酸钡‑铌酸钾铁电薄膜材料包括自下而上依次设置的衬底、底电极层、薄膜层和透明顶电极层；所述衬底为无机云母衬底；所述薄膜层为铌镍酸钡‑铌酸钾，化学组成为[KNbO3]0.9[BaNi1/2Nb1/2O3]0.1，制备方法为溶胶凝胶法。与现有技术相比，本发明的制备方法经济环保，制备工艺简单，制备的铌镍酸钡‑铌酸钾铁电薄膜材料为全新柔性全无机薄膜，能实现稳定的光响应输出，有望在光伏器件领域实现应用。
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公开(公告)号：CN113774485B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110981620.8
申请日：2021-08-25
Applicant: 上海师范大学
IPC: C30B29/22
Abstract: 本发明涉及一种铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包含自下而上依次设置的衬底、导电缓冲层和薄膜层，所述薄膜层为铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅，化学组成为(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3，其中，x＝0.20～0.40，y＝0.18～0.60，所述铁电薄膜材料采用溶胶凝胶方法制备。与现有技术相比，本发明制备的薄膜具有纯钙钛矿结构，且具有优异的铁电、压电和热释电性能，以及高的居里温度，适用于新型的压电、热释电集成器件。
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公开(公告)号：CN113215538A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110295109.2
申请日：2021-03-19
Applicant: 上海师范大学
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/02 , C23C14/58 , C04B35/622 , C04B35/495 , C04B35/472
Abstract: 本发明涉及一种高居里点硅衬底铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包括Pt/Ti/SiO2/Si衬底以及自内向外依次沉积在衬底表面的导电缓冲层和薄膜层，所述导电缓冲层为镧锶钴氧，薄膜层为锰掺杂铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅(简写为Mn‑PIN‑PMN‑PT)，化学组成为zMn‑(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3，其中，x＝0.20～0.40，y＝0.20～0.50，z＝0.003～0.01。与现有技术相比，本发明制备的薄膜具有优良的铁电、压电、热释电性能，适用于新型的压电、热释电集成器件。
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