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公开(公告)号：CN102465338A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010547714.6
申请日：2010-11-17
Applicant: 上海广电电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种感应加热非晶硅晶化方法，利用感应线圈产生强的交变磁场，交变磁场靠近覆盖有金属膜的非晶硅薄膜，金属膜会产生强的感应涡旋电流，可以迅速加热金属膜，从而加热金属膜下面的非晶硅，非晶硅被加热后，导电性增强，在交变磁场中也会产生涡旋电流，进一步对自己加热，因此非晶硅薄膜被迅速加热达到晶化温度，从而达到晶化的目的，所需设备简单，成本低。有利于多晶硅薄膜晶体管普及应用。
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公开(公告)号：CN102110786A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910200738.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 上海广电电子股份有限公司
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光照明器件的布线方法，多边形有机发光器件的一边为阴极接触区，其余边为阳极接触区，阳极接触区和阴极接触区隔断且分别与输入电源信号的正负极连接；多边形平面上排布了导电金属细线，金属细线与阳极接触区连接；金属细线及多边形平面边界和电极接触区之间用绝缘材料覆盖。通过增加了阳极输入面积，使得正向电荷量输入增加，多边形OLED亮度提高且发光较为均匀，是一种可实现大面积OLED照明器件电流注入性好、发光均匀、散热好的布线方法。
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公开(公告)号：CN101482672A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200810032543.6
申请日：2008-01-11
Applicant: 上海广电电子股份有限公司
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1333 , H01L27/32
Abstract: 一种用于液晶显示屏的背光源，涉及液晶显示屏的技术领域，所解决的是现有的液晶显示屏成本高、显示亮度低及能耗大的技术问题。其特征在于：在基板上设有平行排列的多对电极组，每对电极组由三条平行排列的依次镀有红、绿、蓝有机电发光层的能独立控制发光的同极性电极组成。利用本发明提供的用于液晶显示屏的背光源，能降低液晶显示屏的成本、提升显示亮度并降低能耗。
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公开(公告)号：CN1988207A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200510111947.0
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海广电电子股份有限公司
Abstract: 一种有机发光器件金属阳极的处理方法，涉及电子显示器件技术领域；该处理方法的特征在于，将金属阳极的基板在含有氧成分的等离子中进行金属的表面氧化处理，即将基板放入充有含氧混合气体的、设有射频电场的等离子处理腔中进行表面氧化处理，使金属阳极表面产生一薄层氧化物，从而提高金属表面的功函数，增加空穴注入能力。所述金属可以是银或镍。本发明能方便得把金属阳极转变成为一个性能优异的有机发光器件的阳极，使表面设有薄层金属的氧化物的金属阳极材料的功函数能达到5电子伏特以上，使它具有很高的空穴注入性能，提高有机发光器件的亮度与效率，而且处理的方法简单，与目前的有机发光器件的制造设备兼容。
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公开(公告)号：CN103137669A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110397460.9
申请日：2011-12-05
Applicant: 上海广电电子股份有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构的微晶硅薄膜晶体管，包括玻璃基板，栅电极，绝缘层，有源层，源电极，漏电极，源电极在玻璃基板上，源电极上面是有源层，有源层上面是漏电极，漏电极上面是绝缘层，漏电极通过绝缘层上设有的通孔延伸至绝缘层的上面，栅电极在绝源层的侧面。即由于源电极、漏电极是上下夹着沟道有源层，沟道电流方向是上下方向垂直于玻璃基板，使沟道电流沿着微晶硅的晶向流动，从而可以减弱微晶硅的晶界影响薄膜晶体管性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101752230A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810204187.1
申请日：2008-12-09
Applicant: 上海广电电子股份有限公司
IPC: H01L21/20
Abstract: 一种制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的方法及设备，涉及薄膜晶体管的技术领域，所解决的是现有技术的薄膜会晶化不均匀或受污染，以及制造成本高的技术问题。制造方法利用电子枪发射的电子束冲击非晶硅薄膜表面，使高速的电子能量转化为热能对非晶硅薄膜局部加热，通过对加热温度和时间的控制使该处微晶硅晶化，并通过控制电子束扫描整张非晶硅薄膜，从而将其晶化为微晶硅薄膜。制造设备包括设置于真空腔内的用于发射电子束电子枪、用于将电子束聚焦于被加工工件上的电子束聚焦电极、用于控制电子束偏转以扫描被加工工件的电场偏转电极。利用本发明提供的方法及设备，所制造的硅薄膜晶化均匀、制造过程中硅薄膜不会受污染，且能降低制造成本。
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公开(公告)号：CN101748362A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810204188.6
申请日：2008-12-09
Applicant: 上海广电电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种粉末靶，由ZnO构成、或以ZnO为组成之一且组成为InwGaxSnyZnzOu的多种金属氧化物粉末构成。本发明还公开了一种粉末靶的制备方法，还公开了一种ZnO基薄膜晶体管有源层的制作方法，包括一个制备粉末靶的步骤，粉末靶由ZnO构成、或以ZnO为组成之一的多种金属氧化物构成，采用一个高导热金属底座，在底座上设置有一个填料槽，在槽内设置有与之紧密结合且高度致密的粉末块体，然后采用射频磁控溅射法沉积薄膜晶体管的有源层。本发明提出的ZnO基粉末靶的制作方法简单、使用和维护成本低廉，作为溅射靶材沉积了高质量的薄膜晶体管有源层，所制造的薄膜晶体管性能优越。
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公开(公告)号：CN101748361A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810204401.3
申请日：2008-12-11
Applicant: 上海广电电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种溅射靶材的制造方法，涉及半导体器件技术领域；所要解决的是制造多组分、低成本、低熔点、不易开裂、大尺寸的溅射靶材的技术问题；该溅射靶材的制造方法，其特征在于，1)将制造溅射靶材所需的金属粉末和金属氧化物粉末按比例混合；2)将混合后的金属粉末和金属氧化物粉末在模具中压制成靶材的形状；3)将压制好的靶材进行脱气处理，然后进行烧结，烧结的环境是在真空或惰性气氛中，烧结的温度为金属的平均熔点的70-80％。本发明的溅射靶材的制造方法具有多组分，低成本，低熔点，不易开裂的，能制造大尺寸靶材的特点。
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公开(公告)号：CN1988168A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200510111948.5
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海广电电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种主动式有机顶发光器件的阴极装置，涉及电子显示器件技术领域；所述发光器件包括薄膜晶体管基板、在所述薄膜晶体管基板上的连接所有像素的透明公共阴极、行电极和列电极，其特征在于，在所述透明公共阴极与所述薄膜晶体管基板之间设有良导体的阴极的加强层，所述加强层为“口”字形，“口”字形四角设有引出电极，“口”字形中间是所有像素，所述透明公共阴极的四边分别连接“口”字形加强层的四条边。由于增加了加强层，可以降低公共透明阴极的引出电阻，加强该区域电极的机械强度，提高公共阴极的可靠性，减少阴极上的电压降，从而改善显示发光的均匀性。
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公开(公告)号：CN1510754A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN02160746.X
申请日：2002-12-26
Applicant: 上海广电电子股份有限公司
Abstract: 一种有机发光显示装置，包括电源(1)，显示单元(2)，所述电源(1)的负极通过与所述显示单元(2)中的阳极(3)，电子传输层(4)，复合发光层(5)，阳极(7)和正极依次连接，在所述电子传输层(4)中插入P型材料(8)，所述P型材料(8)的一端与电源(10)的正极连接，电源(10)的负极与所述阴极(3)连接；或者：在所述空穴传输层(6)插入N型材料(9)，所述N型材料(9)的一端与电源(11)的负极连接，所述电源(11)的正极与所述阳极7连接。这样一种三极式的结构作用是用一个小的电流去控制发光电流，这样就可以减少驱动电路上的电能消耗；而且能提高有机发光显示屏的性价比；以及可简化工艺流程，降低成本；还可采用全有机材料，可做成柔性的显示器，大大拓展有机发光显示屏的使用场合。
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