公开(公告)号：CN105322045A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410378546.0

申请日：2014-08-04

申请人： 上海建冶环保科技股份有限公司 ,  上海建冶科技工程股份有限公司

发明人： 宋太伟 ,  高伟波 ,  方祥 ,  杨光 ,  余文凤 ,  张长华

IPC分类号： H01L31/078 ,  H01L31/0224

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明公布了一种晶体硅/非晶硅薄膜叠层太阳能电池由集电电极层、底电池、顶电池、正电极层依次层叠组成，底电池为晶体硅电池，顶电池为非晶硅薄膜电池，底电池与顶电池间设置有一层耦合薄膜连接层，良导体层、透明半导体薄膜和金属膜层依次沉积在底电池背光面上，形成集电电极层，ITO薄膜与良导体栅依次沉积在顶电池的向光面上，构成正电极层。本发明中，在晶体硅电池与非晶硅薄膜电池之间采用纳米级良导体薄膜作为耦合连接结构，在保持高叠加开压、较高填充因子的同时，起到耦合放大电池单结电池短路电流密度JSC的良性作用，改善了非晶硅的缺陷及晶体硅与非晶硅界面质量对电池性能的影响。

公开(公告)号：CN105470339A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201410386632.6

申请日：2014-08-08

申请人： 上海建冶环保科技股份有限公司

发明人： 宋太伟 ,  高伟波 ,  方祥 ,  杨光 ,  余文凤 ,  张长华

IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/046 ,  H01L31/077

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明公布了一种纳米硅薄膜多结太阳能电池，包括正电极层和负电极层，在正电极层与负电极层之间设有多个P-I-N结作为光电转换层，每个P-I-N结由P型硅薄膜层、本征硅薄膜吸收层和N型硅薄膜层依次层叠组成，相邻P-I-N结之间设有耦合连接层。从顶电池到底电池，本征吸收层的厚度、折射率呈几何梯度递增，诱导光子前行，减少表面反射损失，带隙宽度依次递减，扩展对太阳光谱的吸收，降低光致衰退效应，实现电池转换效率的有效提升。

公开(公告)号：CN105088149A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410212548.2

申请日：2014-05-20

申请人： 上海建冶环保科技股份有限公司 ,  上海陆亿新能源有限公司

发明人： 宋太伟 ,  高伟波 ,  方祥 ,  余冬冬 ,  余文凤 ,  杨光

IPC分类号： C23C14/30

摘要： 本发明提供了一种真空蒸镀设备，包括真空腔室、位于真空腔室内底板中心区域的蒸发源、真空腔室内上部的可三维移动的基板、安装在基板底面上的套筒，所述的套筒在高度方向不同位置均匀设置有阻挡片，每层阻挡片上带有均匀分布的圆孔，所述的蒸发源包括蒸发盘和置于蒸发盘内的蒸发材料，蒸发源一侧设置有电子枪，通过控制电子枪内X、Y偏转线圈内的电流产生电子束实现蒸发材料的定点蒸发。本发明的实施通过控制蒸发盘内蒸发材料的蒸发量和基板上薄膜沉积速率，实现了纳米级薄膜的均匀沉积。