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公开(公告)号：CN114136909B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202111460580.9
申请日：2021-12-02
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/3563
摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)羟基保护率的方法，通过获得已知羟基保护率的聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品的羟基保护率；该方法能够准确获得聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品的羟基保护率，且具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低等优势。
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公开(公告)号：CN113804867B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111138814.8
申请日：2021-09-27
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N33/44
摘要： 本申请提供了一种测试光刻胶树脂组分的方法，通过获得光刻胶树脂中保护基团R的结构及分子量，采用凝胶渗透色谱获得光刻胶树脂经衍生化处理前后的重均分子量，并经本申请的公式计算，获得光刻胶树脂中保护基团R的保护率，进而获得光刻胶树脂中各单体的组分；所述方法能够准确获得光刻胶树脂中各单体的组分，为确定光刻胶树脂的性能提供了理论依据，且所述方法具有简便、灵敏度高、分析速度快、准确率高、误差小等优势。
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公开(公告)号：CN114136910A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111474323.0
申请日：2021-12-02
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/3563
摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物中重复单元的摩尔分数的方法，通过获得已知两种重复单元的摩尔比的丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物样品中羰基的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将待测样品中羰基的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品中两种重复单元的摩尔比，进而换算得到待测样品中重复单元的摩尔分数。该方法能够准确获得丙烯酸叔丁酯与对羟基苯乙烯共聚物待测样品中重复单元的摩尔分数，且不需要使用毒性较大的良溶剂，具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低、安全环保等优势。
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公开(公告)号：CN114136909A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111460580.9
申请日：2021-12-02
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/3563
摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)羟基保护率的方法，通过获得已知羟基保护率的聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品的羟基保护率；该方法能够准确获得聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品的羟基保护率，且具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低等优势。
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公开(公告)号：CN113759046A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111116984.6
申请日：2021-09-23
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本申请涉及材料检测技术领域，具体而言，涉及一种气相色谱‑质谱联用检测光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的方法及半导体器件的加工工艺。检测方法包括以下步骤：将涂覆有光刻胶膜的硅片碎片放入萃取剂中进行超声萃取，将萃取液和内标溶液配置为待测样品液；配制不同浓度的丙二醇甲醚醋酸酯的标准品溶液；用气相色谱‑质谱联用检测各标准品溶液，根据丙二醇甲醚醋酸酯与内标物的离子色谱峰的面积比与丙二醇甲醚醋酸酯的浓度进行回归分析，建立回归方程；检测待测样品液，获得丙二醇甲醚醋酸酯与内标物的离子色谱峰的面积比，将其代入所述回归方程进行计算，得到待测样品液中丙二醇甲醚醋酸酯的浓度。实验重复性、分析测定灵敏度高，定量结果准确。
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公开(公告)号：CN115974880A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211695259.3
申请日：2022-12-28
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： C07D487/04 , G03F7/004
摘要： 本申请提供一种交联剂及其制备方法、光刻胶，属于光刻技术领域。光刻胶包括溶质和第一溶剂，其中，溶质包括70wt％～95wt％碱溶性树脂、1wt％～30wt％光致产酸剂、0.1wt％～15wt％酸淬灭剂和5wt％～20wt％上述的交联剂，第一溶剂的质量为碱溶性树脂的质量的1倍～10倍。本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中，并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀，减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷，得到的图形线条边缘更加垂直，且窗口更大。
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公开(公告)号：CN115947648A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211695370.2
申请日：2022-12-28
申请人： 北京彤程创展科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种交联剂及其制备方法、光刻胶，属于光刻技术领域。光刻胶包括溶质和第一溶剂，其中，溶质包括70wt％～95wt％碱溶性树脂、1wt％～30wt％光致产酸剂、0.1wt％～15wt％酸淬灭剂和5wt％～20wt％上述的交联剂，第一溶剂的质量为碱溶性树脂的质量的1倍～10倍。本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中，并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀，减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷，得到的图形线条边缘更加垂直，且窗口更大。
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公开(公告)号：CN115925645A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211695383.X
申请日：2022-12-28
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： C07D251/70 , G03F7/004 , G03F7/038
摘要： 本申请提供一种交联剂及其制备方法、光刻胶，属于光刻技术领域。光刻胶包括溶质和第一溶剂，其中，溶质包括70wt％～95wt％碱溶性树脂、1wt％～30wt％光致产酸剂、0.1wt％～15wt％酸淬灭剂和5wt％～20wt％上述的交联剂，第一溶剂的质量为碱溶性树脂的质量的1倍～10倍。本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中，并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀，减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷，得到的图形线条边缘更加垂直，且窗口更大。
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公开(公告)号：CN114136908B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111459965.3
申请日：2021-12-02
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/3563
摘要： 本申请涉及光刻胶树脂技术领域，提供了一种测试缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂保护率的方法，通过获得已知保护率缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值，建立得到标准曲线的回归方程；将缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂待测样品中醚键的特征峰高度和苯环对位取代基的特征峰高度的比值代入上述回归方程，即可计算得到待测样品的保护率；该方法能够准确获得缩醛部分保护的聚对羟基苯乙烯树脂待测样品的保护率，且不需要使用毒性较大的良溶剂，具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低、安全环保等优势。
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公开(公告)号：CN113804867A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111138814.8
申请日：2021-09-27
申请人： 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC分类号： G01N33/44
摘要： 本申请提供了一种测试光刻胶树脂组分的方法，通过获得光刻胶树脂中保护基团R的结构及分子量，采用凝胶渗透色谱获得光刻胶树脂经衍生化处理前后的重均分子量，并经本申请的公式计算，获得光刻胶树脂中保护基团R的保护率，进而获得光刻胶树脂中各单体的组分；所述方法能够准确获得光刻胶树脂中各单体的组分，为确定光刻胶树脂的性能提供了理论依据，且所述方法具有简便、灵敏度高、分析速度快、准确率高、误差小等优势。
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