公开(公告)号：CN116565455A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310723095.9

申请日：2023-06-16

Applicant: 上海恩捷新材料科技有限公司

Inventor： 庄志 ,  曹大为 ,  孙敏强 ,  王琦 ,  金颖 ,  宁超宗 ,  单华靖 ,  陈永乐 ,  程跃

IPC: H01M50/449 ,  H01M50/446 ,  H01M50/403 ,  H01M50/489 ,  H01M50/46 ,  H01M10/0525

Abstract: 本申请提供一种隔膜及其制备方法、以及电池，属于电池隔膜领域。隔膜含多孔基底以及位于多孔基底的至少一个表面的多孔涂层，多孔涂层含无机粒子和粘合剂聚合物，粘合剂聚合物含第一类聚合物和第二类聚合物。一种隔膜中第一类聚合物和第二类聚合物的软化点不同，第一类聚合物含软化点为80℃～140℃的聚合物，第二类聚合物含软化点为40℃～80℃的聚合物。一种隔膜中第一类聚合物为氟系聚合物，第二类聚合物为非氟系聚合物，非氟系聚合物为包含两种及以上结构单元的共聚物。在隔膜的多孔涂层中，无机粒子能够为隔膜提供良好的耐热性能，指定要求的第一类聚合物和第二类聚合物的配合还使得多孔涂层兼具较好的粘接性能和较宽的加工温度窗口。

公开(公告)号：CN115615946A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211103996.X

申请日：2022-09-09

Applicant: 上海恩捷新材料科技有限公司

Inventor： 庄志 ,  曹大为 ,  周广盖 ,  宁超宗 ,  唐海旗 ,  单华靖 ,  廖晨博 ,  陈永乐 ,  崔如玉 ,  程跃

IPC: G01N21/3563 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明提供一种快速检测聚偏二氟乙烯的β相含量方法及其系统，以聚偏二氟乙烯的红外光数据进行数据分析后，并通过多个模块进行运算而可取得聚偏二氟乙烯中的β相含量，简化检测流程，以快速取得β相含量。

公开(公告)号：CN116111285A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211582916.3

申请日：2022-12-09

Applicant: 上海恩捷新材料科技有限公司

Inventor： 庄志 ,  曹大为 ,  卞士聪 ,  程龙 ,  宁超宗 ,  薛聪聪 ,  陈永乐 ,  崔如玉 ,  程跃

IPC: H01M50/457 ,  H01M50/434 ,  H01M50/403 ,  H01M10/0525 ,  H01M50/446 ,  H01M50/44

Abstract: 本申请公开了一种隔膜及其制备方法和应用，属于电池隔膜技术领域；所述隔膜包括基膜层和陶瓷涂层；所述基膜层包括第一基膜层和第二基膜层；所述陶瓷涂层设于所述第一基膜层和第二基膜层之间，所述陶瓷涂层的成分包括粘合剂和陶瓷，所述粘合剂和所述陶瓷的质量比值小于0.08；通过将陶瓷涂层置于第一基膜层和第二基膜层之间，基膜层能够向陶瓷涂层提供支撑力来抵消一部分陶瓷的重力，可减小陶瓷对粘合剂提供的粘接力的依赖，避免了完全依靠粘接力来抵消陶瓷的重力导致需要大量粘合剂的问题，有效地减小了粘合剂的用量，进而避免粘合剂堵塞第一基膜层和第二基膜层，解决了粘合剂堵塞隔膜微孔造成电化学性能降低的问题。