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公开(公告)号：CN112014922A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910464620.3
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种光波导结构及其制造方法，所述光波导结构具有：形成于金刚石晶体中的折射率调制区域，所述折射率调制区域的折射率不同于所述金刚石晶体的折射率；以及形成于所述金刚石晶体中的非折射率调制区域，所述非折射率调制区域的折射率与所述金刚石晶体的折射率相同，所述金刚石晶体中至少一个荧光点缺陷中心位于所述光波导结构中，所述光波导结构将所述至少一个荧光点缺陷中心发出的光引导到所述金刚石晶体的表面。本申请的光波导结构能够使金刚石晶体中点缺陷中心发出的光子的检测变得容易、高效，同时使检测系统小型化，并且，该光波导结构的制造方法简单，加工的自由度高，并且制造成本较低。
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公开(公告)号：CN118464281A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310102830.4
申请日：2023-02-09
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01L21/12 , B81B7/02 , B81B3/00 , B81C1/00 , C23C28/00 , C23C16/50 , C23C16/42 , C23C14/34 , C23C14/16 , C23C14/18
Abstract: 本发明提供一种微型真空计结构及其制备方法，该结构沿厚度方向依次包括基板及真空度感知薄膜；真空度感知薄膜由下向上依次包括第一介质薄膜、金属薄膜及第二介质薄膜，第一介质薄膜面向空腔的表面设置有两个以上第一凸起结构，以增大气体和真空度感知薄膜的接触面积。通过在第一介质薄膜的表面设置第一凸起结构，可以有效增加真空度感知薄膜的比表面积，使高真空条件下气体分子的传热能力得到大大提高，提高高真空范围的真空度检测灵敏度，同时具有足够的机械强度，使用性能得到保证；另外，相对于现有的微型真空计，本发明可以使用较小的器件体积和较简单的制备工艺达到高真空度范围内的高灵敏度气压检测，并可以降低器件整体的成本。
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公开(公告)号：CN117446740A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210845396.4
申请日：2022-07-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法，该具有微型加热器的薄膜吸气剂结构包括：在基板的一个主面一侧形成的一个或两个以上热子以及在所述热子表面形成有吸气剂薄膜，其中，所述热子包括：第一绝缘薄膜，在第一绝缘薄膜上表面形成的薄膜电阻，以及覆盖所述薄膜电阻的第二绝缘薄膜，所述薄膜电阻的端部从第二绝缘薄膜露出。所述基板的所述主面一侧具有多孔结构，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分位于所述多孔结构上方，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分通过连接部支撑于所述多孔结构周围的主面。
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公开(公告)号：CN117130225A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210563177.7
申请日：2022-05-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G03F7/16 , H01L21/027
Abstract: 本申请提供一种涂布光刻胶的方法和半导体器件的制造方法，包括：在以第一转速旋转的基板的第一位置处喷涂光刻胶；在所述基板的第二位置处喷涂光刻胶，在所述基板的径向上，所述第二位置和所述第一位置到所述基板边缘的距离不同；以及使所述基板以第二转速旋转预定时间。通过在基板的径向的不同位置喷涂光刻胶，能够提高光刻胶的均一性。
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公开(公告)号：CN116360207A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111613795.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种减少立体图形光刻失真的光刻方法，包括：1)提供一基底，基底的表面具有凹台结构；2)于基底表面、凹台结构的侧壁和底部形成光刻胶层；3)提供一光掩模，光掩模包括透光基底和掩膜图形层，在掩膜图形层上形成抗反射层；4)基于光掩模对光刻胶层进行曝光处理，掩膜图形层至少遮挡凹台结构底部的部分光刻胶层，且至少显露凹台结构侧壁的部分光刻胶层；5)对光刻胶层进行显影处理。本发明可以有效解决立体图形在接触式曝光时光掩膜界面反射光的问题，从而使得光刻图形得到保真。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116332112A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111598421.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Inventor： 王诗男
Abstract: 本发明提供一种用于微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制作方法，其包括：提供第一基板；提供第二基板，接着于所述第二基板的第二主面上形成膜层；于所述第二基板的第一主面上形成底部显露出所述膜层一部分的凹部，所述第二基板的第二主面上还形成有用于容纳微电子器件的空腔；使所述第二基板的第一主面与所述第一基板键合，以使所述空腔与所述第一基板形成气密性空腔，同时使所述凹部由所述膜层与周围环境气密性阻隔，所述膜层配置为根据所述密封室与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形。通过本发明所述的制作方法，可以在将微电子器件键合封装的同时形成该气密性监测结构，可解决现有技术中真空腔内MEMS器件的可信度较低等问题。
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公开(公告)号：CN112786515B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201911097225.2
申请日：2019-11-11
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Inventor： 王诗男
IPC: H01L21/683
Abstract: 本申请提供一种薄膜器件的加工方法，所述方法包括：在支撑基板的第一主面上形成释放薄膜，其中，所述支撑基板的第一主面的一部分从所述释放薄膜中露出；在所述释放薄膜的上表面和从所述释放薄膜中露出的所述支撑基板的第一主面的所述一部分上形成薄膜器件主体；在所述薄膜器件主体的上表面形成硬质掩膜的图形；以所述硬质掩膜的图形为保护膜，在所述薄膜器件主体的非工作区形成穿孔，以形成薄膜器件，所述释放薄膜的上表面从所述穿孔的底部露出；以及通过所述穿孔去除所述释放薄膜。
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公开(公告)号：CN110092348B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201810092061.3
申请日：2018-01-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种共晶键合结构和共晶键合方法，该共晶键合方法包括：在第一基片形成由第一材料形成的连同的第一主键合图形和第一补充键合图形；在第二基片形成由第二材料形成的连同的第二主键合图形和第二补充键合图形，第一材料不同于第二材料；将第一基片和第二基片加热至第一预定温度，并施加预定压力，使第一主键合图形和第二主键合图形、第一补充键合图形和第二补充键合图形共晶熔化；将第一基片和第二基片降温至第二预定温度，其中，第一补充键合图形和第二补充键合图形的共晶熔化温度低于第一主键合图形和第二主键合图形的共晶熔化温度，第一主键合图形和第二主键合图形的共晶熔化温度低于第一预定温度。根据本申请，能提高共晶键合的质量。
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公开(公告)号：CN110021553B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201810020289.1
申请日：2018-01-09
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Inventor： 王诗男
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , H01L23/528
Abstract: 本申请提供一种通孔结构及其制造方法，该方法包括：以自底至上的电镀方式从基板的第一面一侧开始向基板的通孔内部填充第一导电体，通孔贯通基板的第一面和与第一面相对的第二面，第一导电体填充通孔的一部分；在基板的第二面一侧形成导电薄膜，该导电薄膜与第一导电体的位于通孔内的上表面连接并且至少部分地覆盖通孔未被第一导电体填充部分的侧壁；以保形电镀方式以上述导电薄膜为起点向通孔内部填充第二导电体，直至通孔被第一导电体和第二导电体充满。根据本申请，能够减少通孔结构的导电体内空洞、导电体表面凹陷、以及导电体与通孔侧壁间空隙，能够提高通孔的质量和信赖性，也使得后续工艺变得容易。
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公开(公告)号：CN113146053A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202010076526.3
申请日：2020-01-23
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: B23K26/36 , B23K26/082 , B23K26/03 , B23K26/70 , B23K101/40
Abstract: 本申请提供一种在基板上形成微细结构的激光加工装置和加工方法，该激光加工装置包括：激光器，其发出激光；载物台，其承载基板；光学系统，其将所述激光器发出的激光导引到所述基板，从而向所述基板照射复数个光束；图形生成系统，其形成微细结构的加工图形；以及控制系统，其根据所述加工图形控制所述激光器、所述载物台以及所述光学系统。
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