公开(公告)号：CN106783729B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201611196503.6

申请日：2016-12-22

申请人： 上海新微科技服务有限公司

发明人： 肖韩 ,  董业民 ,  陆梅君 ,  田意

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

摘要： 本发明提供一种SOI下衬底接触引出的方法，包括：步骤1），定义衬底的接触引出区域，采用引出孔的刻蚀工艺，从SOI的上表面打开SOI下衬底的接触引出区域；步骤2），对接触引出区域进行金属填充，并通过金属互联工艺实现SOI下衬底的电学引出；其中，SOI下衬底引出区域与SOI上的元器件的接触引出使用同一光刻制版，SOI下衬底接触引出区域的刻蚀工艺及金属填充工艺分别与元器件接触孔的刻蚀工艺及金属填充工艺采用同一工艺步骤。本发明的方法一方面与现有的常规工艺兼容，另一方面不需要额外的掩膜版，从而无需增加额外成本，实现了SOI下衬底的电学引出。本发明工艺步骤简单，且有利于成本的降低，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN106783729A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611196503.6

申请日：2016-12-22

申请人： 上海新微科技服务有限公司

发明人： 肖韩 ,  董业民 ,  陆梅君 ,  田意

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/481

摘要： 本发明提供一种SOI下衬底接触引出的方法，包括：步骤1），定义衬底的接触引出区域，采用引出孔的刻蚀工艺，从SOI的上表面打开SOI下衬底的接触引出区域；步骤2），对接触引出区域进行金属填充，并通过金属互联工艺实现SOI下衬底的电学引出；其中，SOI下衬底引出区域与SOI上的元器件的接触引出使用同一光刻制版，SOI下衬底接触引出区域的刻蚀工艺及金属填充工艺分别与元器件接触孔的刻蚀工艺及金属填充工艺采用同一工艺步骤。本发明的方法一方面与现有的常规工艺兼容，另一方面不需要额外的掩膜版，从而无需增加额外成本，实现了SOI下衬底的电学引出。本发明工艺步骤简单，且有利于成本的降低，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN107516677A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201610436465.0

申请日：2016-06-17

申请人： 上海新微科技服务有限公司

发明人： 肖韩 ,  陆梅君 ,  田意 ,  董业民 ,  高腾 ,  陈弼梅

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42356

摘要： 本发明提供了一种MOS场效应晶体管，包括源区，漏区，栅区，沟道区及半导体衬底区，源区、漏区和沟道区形成为晶体管的有源区，有源区外环绕设置有隔离区，栅区包括位于有源区所在平面的上方的闭合环形部分，源区和漏区分别位于该闭合环形部分的内外，栅区还包括延伸部分，该延伸部分从闭合环形部分、在第一直线方向上延伸覆盖至隔离区，位于隔离区上的栅区的延伸部分用来做电学引出。优化地，本发明所提供的MOS场效应晶体管，栅区的延伸部分位于闭合环形部分的两侧，且栅区的延伸部分与闭合环形部分在与第一直线方向垂直的第二直线方向上的最大外边界间距等宽。

公开(公告)号：CN205828395U

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201620597513.X

申请日：2016-06-17

申请人： 上海新微科技服务有限公司

发明人： 肖韩 ,  陆梅君 ,  田意 ,  董业民 ,  高腾 ,  陈弼梅

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08

摘要： 本实用新型提供了一种MOS场效应晶体管，包括源区，漏区，栅区，沟道区及半导体衬底区，源区、漏区和沟道区形成为晶体管的有源区，有源区外环绕设置有隔离区，栅区包括位于有源区所在平面的上方的闭合环形部分，源区和漏区分别位于该闭合环形部分的内外，栅区还包括延伸部分，该延伸部分从闭合环形部分、在第一直线方向上延伸覆盖至隔离区，位于隔离区上的栅区的延伸部分用来做电学引出。优化地，本实用新型所提供的MOS场效应晶体管，栅区的延伸部分位于闭合环形部分的两侧，且栅区的延伸部分与闭合环形部分在与第一直线方向垂直的第二直线方向上的最大外边界间距等宽。