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公开(公告)号：CN116107161A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111321419.3
申请日：2021-11-09
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种i线光刻胶及其制备方法和应用。本发明公开的i线光刻胶组合物包括以下组分：树脂、光敏剂、有机硅流平剂和有机溶剂；所述树脂包括下述重量份数的组分：80‑90份酚醛树脂、20‑50份树脂C和10‑15份树脂D；所述酚醛树脂为酚醛树脂A和酚醛树脂B的至少一种；所述酚醛树脂A的制备方法包括下列步骤：在草酸的作用下，将间甲酚、对甲酚、3,5‑二甲酚和甲醛进行反应得到；所述酚醛树脂B的制备方法包括下列步骤：在草酸的作用下，将间甲酚、对甲酚和甲醛进行反应得到；所述有机硅流平剂为聚甲基苯基硅氧烷。采用本发明的i线光刻胶组合物在用于i线光刻时得到的光刻胶图光敏性和分辨率高。
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公开(公告)号：CN116102938A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111322701.3
申请日：2021-11-09
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC分类号： C09D145/00 , C09D135/00 , C08F234/02 , C08F232/08 , C08F222/40 , C08F220/40 , G02B1/111
摘要： 本发明公开了一种深紫外光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得，所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂；其中，所述聚合物由下述方法制得，其包括下列步骤：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。本发明制备方法制备得到的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。
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公开(公告)号：CN116102937A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111322699.X
申请日：2021-11-09
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC分类号： C09D145/00 , C09D135/00 , C08F234/02 , C08F232/08 , C08F222/40 , C08F222/20 , G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的底部抗反射涂层由下述组合物制得，所述的组合物包括聚合物、溶剂和光酸产生剂；其中，所述聚合物由下述方法制得，其包括下列步骤：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。本发明制备方法制备得到的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。
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公开(公告)号：CN116027635A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111245430.6
申请日：2021-10-26
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
摘要： 本发明公开了Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用。本发明具体公开了一种抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物由下述原料制得，所述的原料包括下列以重量份计的组分：80～150份的树脂A、5～20份的树脂B、5～15份的树脂C、3～10份的光酸产生剂、2～10份的交联剂、0.5～2.5份的酸扩散抑制剂和500～2000份的溶剂；其中，所述树脂A和所述树脂C的重量份数的比例为20:3～20:1，所述树脂B和所述树脂C的重量份数的比例为1:2～2:1；所述树脂A为取代苯乙烯树脂，由结构单元组成，其中，m为1或2；R1为H、乙酰基或丙酰基；树脂A的重均分子量为4000～10000，分子量分布指数为1.2～3.0。
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公开(公告)号：CN113801042B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110979286.2
申请日：2021-08-25
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC分类号： C07C309/42 , C07C321/30 , C07C323/20 , C07C319/20 , C07C303/32 , G03F7/004
摘要： 本发明公开了一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂。该光产酸剂为具有阴离子和鎓离子的鎓盐，所述阴离子具有式(I)所示的结构，所述鎓离子具有式(A)或式(B)所示的结构，所述鎓离子的个数使所述鎓盐的电荷保持中性。包含本发明鎓盐的光刻胶具有更好的分辨率、灵敏度和线宽粗糙度。
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公开(公告)号：CN113820919A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110979409.2
申请日：2021-08-25
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC分类号： G03F7/004 , C07C303/32 , C07C309/42 , C07C309/12 , C07C381/12
摘要： 本发明公开了一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂的应用。该光产酸剂为具有阴离子和鎓离子的鎓盐，所述阴离子具有式(I)所示的结构，所述鎓离子具有式(A)或式(B)所示的结构，所述鎓离子的个数使所述鎓盐的电荷保持中性。包含本发明鎓盐的光刻胶具有更好的分辨率、灵敏度和线宽粗糙度。
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公开(公告)号：CN116102680B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202111322707.0
申请日：2021-11-09
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC分类号： C08F222/20 , C08F234/02 , C08F232/08 , C08F222/40 , C09D135/02 , C09D145/00 , G02B1/111
摘要： 本发明公开了一种底部抗反射涂层及其制备方法和应用。本发明公开的聚合物由下述方法制备得到：(1)将溶剂I预热；(2)将如式(A)所示的单体、如式(B)所示的单体、如式(C)所示的单体、如式(L)所示的交联剂、引发剂和溶剂II混合，得一混合液；(3)将混合液加入到预热的溶剂中进行聚合反应；其中，步骤(1)和步骤(2)不分先后。所述的底部抗反射涂层能够降低反射率，在底部抗反射涂层旋涂光致抗蚀剂后，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。
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公开(公告)号：CN113820919B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110979409.2
申请日：2021-08-25
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC分类号： G03F7/004 , C07C303/32 , C07C309/42 , C07C309/12 , C07C381/12
摘要： 本发明公开了一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂的应用。该光产酸剂为具有阴离子和鎓离子的鎓盐，所述阴离子具有式(I)所示的结构，所述鎓离子具有式(A)或式(B)所示的结构，所述鎓离子的个数使所述鎓盐的电荷保持中性。包含本发明鎓盐的光刻胶具有更好的分辨率、灵敏度和线宽粗糙度。
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公开(公告)号：CN116203797A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111450747.3
申请日：2021-11-30
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 本发明公开了一种i线光刻胶及其制备方法和应用。本发明公开的i线光刻胶组合物包括以下组分：树脂、光敏剂、有机硅流平剂和有机溶剂；所述树脂包括下述重量份数的组分：80‑90份酚醛树脂、20‑50份树脂C和10‑15份树脂D；所述酚醛树脂为酚醛树脂A和酚醛树脂B的至少一种；所述酚醛树脂A的制备方法包括下列步骤：在草酸的作用下，将间甲酚、对甲酚、3,5‑二甲酚和甲醛进行反应得到；所述酚醛树脂B的制备方法包括下列步骤：在草酸的作用下，将间甲酚、对甲酚和甲醛进行反应得到；所述有机硅流平剂为聚甲基苯基硅氧烷。采用本发明的i线光刻胶组合物在用于i线光刻时得到的光刻胶图光敏性和分辨率高。
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公开(公告)号：CN116203794A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111444417.3
申请日：2021-11-30
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC分类号： G03F7/004 , C08F212/14 , C08F212/08 , C08F220/18
摘要： 本发明公开了一种KrF光源厚膜光刻胶组合物及其制备方法。具体地，本发明公开了一种包含如式Ⅰ所示的光产酸剂的KrF厚膜光刻胶组合物，由该光刻胶组合物形成的光刻胶胶膜矩形性佳。
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