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公开(公告)号：CN112867179A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011643605.4
申请日：2020-12-31
申请人： 上海波汇科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于5G网络通信的高速半导体光通信芯片，包括系统控制模块、射频信号处理模块、MCU芯片与5G模块，所述系统控制模块分别与所述射频信号处理模块、所述MCU芯片连接，所述MCU芯片与5G模块连接，所述MCU芯片中安装有嵌入式操作系统，所述MCU芯片中安装有电源模块且电源模块与5G模块进行连接，用于提高芯片的传输速度，降低网络延迟，同时减小通信芯片的面积，降低通信芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN112838064A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011623629.3
申请日：2020-12-31
申请人： 上海波汇科技有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/16 , F16F15/067
摘要： 本发明公开了一种具有区域互连晶体管的半导体装置，包括安装框、芯片与防护罩，所述安装框的两侧皆固定安装有焊接球，所述安装框的内部活动安装有散热块，且安装框与散热块之间通过第一卡接机构相安装，所述散热块的顶部固定安装有基座，所述基座的顶部固定安装有芯片，所述芯片的一端固定安装有引脚，所述安装框的顶部活动安装有防护罩，所述防护罩的表面开设有散热网，所述防护罩内部的两侧皆固定安装有限位机构。本发明通过设置有一系列的结构使本装置在使用过程中能够有效对本发明进行散热，延长了本装置的使用寿命，且提升了本装置的稳定性。
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公开(公告)号：CN112864020A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011618751.1
申请日：2020-12-31
申请人： 上海波汇科技有限公司
IPC分类号： H01L21/34 , H01L21/48 , H01L21/768 , H04W88/06
摘要： 本发明公开了一种基于人工智能的高带宽芯片含Al材料BH工艺，包括如下步骤：S1获得第一晶圆结构，进行光栅图形制作，以获得第二晶圆结构，进行二次外延生长处理，加入Al材料，得到第三晶圆结构；所述第三晶圆结构进行脊图形处理，得到第四晶圆机构；S3在所述第一晶圆结构、第二晶圆结构、第三晶圆结构和第四晶圆结构上方布设至少两层金属层，作为布线层使用；S4经互联线连接，对第四晶圆结构进行PN限制层生长；S5计算连线间距、线宽、互联线长度；S6集成人工智能通讯芯片；S7外联MPU微处理器模块，制得集成芯片。本发明通过获取四个圆晶结构，多次外延生长，可得到Al材料BH结构，形成两组芯片，具有高带宽、低成本等性能，促使人工智能的实现。
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公开(公告)号：CN112864091A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011618721.0
申请日：2020-12-31
申请人： 上海波汇科技有限公司
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/8252 , H01L21/50 , H01L21/66 , H01S5/026 , H01S5/06 , H01S5/12
摘要： 本发明公开了一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，其特征在于，所述DFB激光器芯片的制作方法包括以下步骤：芯片设计：在设计DFB激光器芯片是会通过多个团队进行设计；圆晶生产：先进行光刻，然后对圆晶进行加工，使其更圆晶达到规格，完成圆晶的初步加工，圆晶检测：通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测，一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，从而需要长时间的测试，芯片封装，将同种芯片内核封装为不同的形式，提高产品的能力，本发明通过优先向对DFB激光器的精准以及带宽等方向进行设计，使其本装置相较于传统的装置，能对激光位置进行校准，使其本芯片可控制激光对其他物体进行高精度的切割。
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公开(公告)号：CN112834903A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011623628.9
申请日：2020-12-31
申请人： 上海波汇科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28 , G01N33/00 , G01N21/84 , G01B21/00 , H04B10/079
摘要： 本发明公开了一种应用于5G网络的高速光通信芯片的检测方法，其特征在于，光通信芯片的检测方法包括以下步骤：结构性检测，所述光通信芯片对晶格检测，所述晶格检测完成对内部裂纹进行检测；芯片检测，所述芯片检测为芯片晶体检测，所述晶体检测采用针检机；封装检测，所述封装检测具体为器材材料检测，所述器材检测完成后对尺寸进行检测，所述尺寸检测完成后对器材结构进行检测，本检测系统通过增强检测范围以及检测的功能项，使其本装置可很好的对光通信芯片进行检测，减少光通信芯片的故障率，通过检测出的故障对生产工艺进行改进，增加生产效率，同时本检测方式可对通信芯片的信号强度等问题进行检测。
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公开(公告)号：CN112864801A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011618711.7
申请日：2020-12-31
申请人： 上海波汇科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种便于精确切割的25Gbs高速调制DFB激光器芯片，包括保护壳、安装板和激光芯片体，所述安装板的顶部固定安装有激光芯片体，所述激光芯片体顶部的两侧固定安装有精度功能区，所述激光芯片体的顶部包裹有芯片封装，所述安装板的顶部固定安装有保护壳，所述保护壳的一侧设置有接线端，所述保护壳的正面固定安装有接线槽，本发明通过设置有的导热板能有效的将热量从装置当中传导至外界，从而使其内部芯片处于低温状态，从而不会由于芯片的自身过热的问题对激光造成影响的问题发生，通过设置有的校准功能区能单独对激光位置进行校准，增加装置的使用范围，同时避免切割出的物体发生龟裂等问题。
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公开(公告)号：CN112838471A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011623678.7
申请日：2020-12-31
申请人： 上海波汇科技有限公司
IPC分类号： H01S5/042
摘要： 本发明公开了一种低功率半导体元器件及其基本电路，包括半导体基板，半导体基板，具有大致矩形状的主面，所述主面具有第一方向的第一边以及与所述第一方向交叉的第二方向的第二边，所述沟槽硅化物层至少部分嵌入所述半导体衬底，其电气连接且接触于所述沟槽硅化物层，其电气连接至所述第一与第二晶体管的一个的栅极以及电气连接至所述第一区域互连层，由一个或者多个晶体管复合而成的大功率发射极跟随方式的晶体管组合，采用晶体管组合能再满足大电流的要求下又能够提供较低的发射极与集电机电压差，由此带来进一步降低供电电源电压的可能。
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公开(公告)号：CN112838056A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011643856.2
申请日：2020-12-31
申请人： 上海波汇科技有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种用于制造半导体芯片的方法，所述方法包括：在所述晶片上的凹凸不平的所述电路图形中填充液体光可固化的粘合剂，在所述晶片上固化所述光可固化的粘合剂形成粘结层，在每个半导体芯片的第一主面与各侧面之间的过渡部位形成凹处，将金属层布置到第二主面上和布置到所述多个侧面上，其中所述金属层不被沉积到所述凹入内的弯曲表面上，本发明通过执行后表面研磨，然后在透光支撑件上切割半导体晶片，以将半导体晶片分为半导体芯片的一系列步骤，通过粘结层在硬的透光支撑件上固定半导体晶片，由此晶片可以被研磨至非常小的厚度，而不导致任何损坏，以及也可以被切割，而不产生碎屑。
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公开(公告)号：CN112838012A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011623649.0
申请日：2020-12-31
申请人： 上海波汇科技有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/66 , H01L23/367
摘要： 本发明公开了一种半导体芯片单元加工的封装方法，其特征在于，所述芯片单元加工的封装方法包括以下流程：第一阶段：先对材料进贴膜，所述贴膜完成后通过磨削，研磨，化学机械抛光，干式抛光，电化学腐蚀等方法对硅片减薄，所述减薄完成后对硅片去膜，贴片切割；通过采用机械的方式对半导体进行切割，所述烘培完成后，所述切割完成后对引脚进行成型，本发明可对封装过程进行优化，同时增加了检测的步骤，避免发生成品制造完成后，产品不合格，而无法进行修复的问题出现，提高了芯片的成品率，同时增加了芯片的强度，同时通过采用的封装方式能使得整个芯片封装结构得以提升，降低封装翘曲和提高散热效果。
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公开(公告)号：CN216298296U
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202023304584.1
申请日：2020-12-31
申请人： 上海波汇科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种半导体用加工切割装置，属于半导体加工技术领域，包括支撑架一、支撑架二和壳体，所述支撑架一的右侧面开设有凹槽一，所述凹槽一的内底面开设有滑槽一，所述滑槽一内滑动安装有若干滑块一，所述滑块一上固定安装有滑轨一，所述滑轨一的上表面与凹槽一的内顶面相贴合，所述凹槽一内转动安装有螺纹杆；通过设置滑槽一，利用滑块一上设置的滑轨一，使得在转动螺纹杆时能够带动滑轨一进行移动，利用滑轨一与滑块二之间的连接，进而能够保证滑轨一的稳定，利用滑轨一内滑动的移动块，同时利用电机一上设置的直齿轮一，从而使得电机一的转动能够带动移动块移动，保证激光切割器对晶圆的稳定切割，确保切割精度。
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