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公开(公告)号：CN118263360A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410340022.6
申请日：2024-03-25
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司 , 上海恒羲光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , C25D7/12 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D5/10
摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池的制备方法，该异质结太阳能电池包括电池基底，电池基底包括晶硅衬底，在晶硅衬底的正面依次沉积第一非晶硅层、第一微晶硅层和第一透明导电层，在晶硅衬底的背面依次沉积第二非晶硅层、第二微晶硅层和第二透明导电层；第一透明导电层的表面采用光诱导电镀的方式制作正面电极，在第二透明导电层的表面采用激光转印的方式制作背面电极。本发明制备方法采用无种子层的方式，直接在透明导电层表面制备掩膜层，光诱导电镀的方式能增强电极的附着力。本发明制备方法能够减少电镀的工艺步骤，减少工艺时间。相比丝网印刷具有更优异的高宽比、附着性和接触电阻，可以显著改善异质结太阳电池的性能。
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公开(公告)号：CN118299433A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410435052.5
申请日：2024-04-11
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司 , 上海恒羲光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种异质结背接触电池及其制备方法。异质结背接触电池包括：半导体衬底层；半导体衬底层的背面具有交替排列的p型导电区和n型导电区；第一本征半导体层，位于n型导电区；n型掺杂半导体层，位于第一本征半导体层远离半导体衬底层的一侧表面；氮化钛层，位于n型掺杂半导体层远离半导体衬底层的一侧表面。本发明提供的异质结背接触电池通过在半导体衬底层背面的n型导电区引入氮化钛层，有利于提高异质结背接触电池结构的稳定性和电子传导效率。
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公开(公告)号：CN118251092A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410379237.9
申请日：2024-03-29
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司 , 上海恒羲光伏科技有限公司
IPC分类号： H10K71/10 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K71/00 , H10K85/50 , H10K71/40 , H10K30/80 , H10K30/50
摘要： 本发明涉及光伏技术领域，公开了钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池的制备方法。钙钛矿薄膜的制备方法包括：提供一基底；在基底的一侧表面，制备金属卤化物骨架层；在金属卤化物骨架层上，采用喷涂法制备填充层，填充层渗入所述金属卤化物骨架层中，以形成钙钛矿层。金属卤化物骨架层疏松的结构有利于有机组分阳离子的均匀高效渗入，有效提高钙钛矿有机组分和无机组分的有序结合，提升了钙钛矿层的结晶质量和均匀性，降低了钙钛矿层的缺陷和孔洞以及薄膜非辐射复合过程。喷涂法相较涂布法具有更大的渗入压力，无需采用复杂工艺制备超薄的金属卤化物骨架层，就能够形成高质量、低缺陷的钙钛矿薄膜。该方法降低制备难度，具有高经济效益。
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公开(公告)号：CN118084326A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410260648.6
申请日：2024-03-07
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司 , 上海恒羲光伏科技有限公司
IPC分类号： C03C6/04 , C03C1/00 , C03C4/12 , C03C4/06 , H01L31/048 , H01L31/054
摘要： 本发明属于太阳能光伏领域，公开了一种用于异质结太阳能电池的UV转光玻璃，所述UV转光玻璃包括基质玻璃以及掺杂于所述基质玻璃的UV转光材料，所述UV转光材料占所述基质玻璃的重量百分比为1％～10％，所述UV转光材料的发光中心为Ce3+，结构式为Na2CaSi6O14:Ce或Na2CaSi6O14:Ce,Al；所述UV转光材料还包括还原剂。本发明利用Ce3+的高吸光系数的优势，探究在UV转光玻璃中掺杂Ce3+的应用，从而实现低掺杂浓度、高吸光系数UV转光玻璃的制备。
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公开(公告)号：CN221841847U
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202420353946.5
申请日：2024-02-27
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司 , 上海恒羲光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/074
摘要： 本申请实施例中提供了一种异质结太阳能电池。该异质结太阳能电池包括衬底层、正面层叠结构和背面层叠结构，正面层叠结构位于衬底层的正面一侧，正面层叠结构包括沿远离衬底层的方向依次设置的正面钝化层、正面掺杂层、正面TCO层和正面金属电极；背面层叠结构位于衬底层的背面一侧，背面层叠结构包括沿远离衬底层的方向依次设置的背面钝化层、背面掺杂层、背面TCO层和背面金属电极；其中，正面TCO层的材料为氧化铟锡，背面TCO层包括有机半导体层和第一氧化铟锡层，有机半导体层和第一氧化铟锡层位于背面掺杂层和背面金属电极之间。通过本申请的处理方案，能够有效降低铟耗量，从而有效降低异质结太阳能电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN118156351A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410266839.3
申请日：2024-03-08
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0376 , H01L31/18
摘要： 本公开实施例中提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法，该异质结太阳能电池包括：单晶硅衬底；第一本征非晶硅层，设置于所述单晶硅衬底的一侧；第一掺杂非晶/微晶硅层，设置于所述第一本征非晶硅层的远离所述单晶硅衬底的一侧；以及第一透明导电氧化物TCO层，设置于所述第一掺杂非晶/微晶硅层的远离所述第一本征非晶硅层的一侧；以及第一电极，设置于所述第一透明导电氧化物TCO层的远离所述第一掺杂非晶/微晶硅层的一侧；其中所述第一透明导电氧化物TCO层包括层叠的第一氧化铟基TCO层、第一金属氧化物缓冲层和第一氧化锡基TCO层。通过本公开的方案，能够提升异质结太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117802521A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311801529.9
申请日：2023-12-25
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
IPC分类号： C25B11/052 , C25B1/04 , C25B9/23 , C25B11/075 , C25B11/031 , C25B11/061 , C25B11/065
摘要： 本发明公开了一种催化电极组件及其制备方法及制氢装置，催化电极组件包括：析氢电极和析氧电极；析氢电极包括呈中空筒状的第一骨架以及沉积在第一骨架的内外表面的磷化钼涂层；析氧电极包括呈中空筒状的第二骨架以及沉积在第二骨架的内外表面的镍钴磷化物涂层。在第一骨架和第二骨架上分别沉积磷化钼涂层和镍钴磷化物涂层，通过将第一骨架和第二骨架设置成中空筒状结构，从而增加表面积，从而增大磷化钼涂层、镍钴磷化物涂层与电解液的接触面积，提升制氢效率；且贱金属磷化物相较于电催化材料雷尼镍更具有更高的催化效率和使用安全性。该催化电极组件在降低成本的同时，提升了能源利用率。
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公开(公告)号：CN117794271A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410015734.0
申请日：2024-01-05
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
摘要： 本发明提供一种太阳能电池封装方法，涉及电池的技术领域，其中，所述方法包括：将封装物料和匹配所述封装物料的溶剂进行混合，得到混合封装溶液；在第一电池基底上设置电池组件；将雾化后的所述混合封装溶液喷涂至所述电池组件上，形成电池封装结构，所述电池封装结构覆盖所述电池组件背离述第一电池基底的一侧表面。本公开以雾化喷涂的方式，来形成更加致密的电池封装结构，以此阻隔水、氧同电池组件之间的接触，减缓太阳能电池的性能衰减速率；并且，此种雾化喷涂的方式能适用于大面积太阳能电池的封装处理，这能令大面积太阳能电池的封装处理更加灵活。
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公开(公告)号：CN117790634A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410016231.5
申请日：2024-01-05
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/075 , H01L31/0224
摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池表面处理方法，异质结太阳能电池具有以ITO构筑的TCO层，表面处理方法包括如下步骤：步骤S1，将异质结太阳能电池浸泡在具有单分子层自组装能力的有机材料SAM的稀溶液中，其中，SAM具有如下分子结构特征：由a、b、c三部分单元依次连接构成，a单元为#imgabs0#–Lowry酸或其衍生物，b单元为桥联基团，c单元为有机疏水基团；步骤S2，将浸泡一定时间后的电池取出进行溶剂冲洗及烘干，得到经表面处理后的异质结太阳能电池。经本发明方法表面处理过后的异质结太阳能电池会选择性地在正背面TCO层表面形成一层取向一致的单分子自组装层，其表面单分子层烷基疏水基团分布于面外，有效阻隔了水汽的进入，抑制因环境水汽而导致的电池衰减。
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公开(公告)号：CN118139489A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410573830.7
申请日：2024-05-10
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
摘要： 本公开实施例中提供了一种钙钛矿异质结太阳能电池及其制备方法，制备方法包括提供基底；于所述基底的背面分别形成电子收集区和空穴收集区；于所述电子收集区的背面及所述空穴收集区的背面形成背面导电层；于所述背面导电层的背面形成电极层；于所述基底的上表面形成钙钛矿半电池结构。通过本公开的方案，背接触异质结半电池和钙钛矿半电池相结合的方式，构成新型的太阳能电池结构，由于其正面没有金属电极和PN结区，有效降低遮光损失，充分利用太阳光，既具有钙钛矿电池结构性能优势，也具有背接触异质结电池性能优势。
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