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公开(公告)号：CN106252463B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201610801789.X
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种采用数字‑指数混合方式掺杂功能区的太阳电池及其制备方法，该制备方法采用数字掺杂配合指数掺杂的方式制备该太阳电池的功能区；其中，数字掺杂配合指数掺杂的方式是指：掺杂区分段进行数字式掺杂，掺杂剂的流量以数字式跃变掺入到反应室中；而在相邻的两个掺杂浓度之间采用指数式变化。本发明提供的采用数字‑指数混合掺杂方式的太阳电池，在太阳电池的主要功能层中采用该数字‑指数混合掺杂方式，以形成增强的内建电场，促进光生载流子更有效地分离。采用该结构能显著增强光生载流子的寿命，从而提高载流子的迁移率，对电池的开路电压提升尤为显著，为下一代超高效太阳电池的研制奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN106503374A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610966723.6
申请日：2016-10-28
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 本发明公开复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法，包含：分析器件结构的几何特征、物理特征、数值特征参数表现形式生成五种典型数据类型；确定典型数据类型对应的成员赋值语法规则；化合物半导体器件结构分解成五种典型数据类型并写成结构描述文件；生成面向器件结构描述文件的动态指针，依据描述语法规则读取结构描述文件；确定数值计算专属文件的储存排列及数据格式；以实验数据和动态指针储存的器件结构转换成模型参数、位置和维数固定数组表达得数值计算专属文件。本发明使得输入含有多个内部异质结界面、多个内部面掺杂、多个量子限制区域、多个非局域量子隧穿区域的复杂结构化合物半导体器件的结构变得可能与方便。
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公开(公告)号：CN106252450A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610801796.X
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , H01L31/06875 , H01L31/0693 , H01L31/184
Abstract: 本发明提供了一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池及其制备方法，该多结电池包含设置在多结电池末端的底电池，该底电池与衬底存在晶格失配。本发明通过在电池结构末端引入小失配底电池，降低了底电池材料的禁带宽度，提高了底电池光生电流，弥补了因底电池电流不足导致的多结电池电流失配。与此同时，小失配生长的底电池由于处于外延生长的末期，因晶格失配产生的晶格质量变差并不会对其它子电池产生影响。
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公开(公告)号：CN106248645B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610802581.X
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种多结太阳电池中各吸收层材料荧光寿命无损测量方法，具体包含：步骤1：单色光源近边激发，获得发射光子数与计数时间关系数据；步骤2：将所得关系数据结合检测系统自身响应特性数据，进行数据单指数或多指数拟合，提取发射光子寿命数据；步骤3：调整单色光源功率密度，提取发射光子寿命数据；步骤4：获得最大发射光子寿命对应的光源功率密度；步骤5：减小照射光斑面积，提取发射光子寿命数据；步骤6：获得该吸收层材料荧光寿命；步骤7：重复上述步骤，获得多结太阳电池各吸收层材料荧光寿命。本发明的方法实现了无损地对太阳电池各吸收层材料质量衡量，对太阳电池吸收层材料质量优化与改进工作具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN106370630B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610802839.6
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体双异质结结构的时间分辨光致发光谱模拟法，包含以下步骤：S1、将主导化合物半导体结构中载流子输运特性的含时半导体基本微分方程组进行含时数值离散；S2、在化合物半导体双异质结结构有/无光照情况下，建立载流子准费米势分布随时演化的数值模拟方法，并进行优化迭代；S3、建立能够模拟化合物半导体双异质结结构中不同缺陷参数、界面非局域量子隧穿光致发光谱随时演化的方法。本发明能综合考虑异质结面缺陷、跨越异质结面的非局域量子隧穿、不同材料层中不同材料内部缺陷与界面缺陷以及测试仪器自身特性对最终数值计算结果的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106129165B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201610801790.2
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/078
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种含有双边场助效应的异质结太阳电池，该电池依次设置的宽带隙材料区、窄带隙材料区和窗口层区域。宽带隙材料区包含依次设置的宽带隙基区和未掺杂区。宽带隙基区采用AlyGa1‑yAs，0.24≤y≤0.3，厚度为10~3000nm。窄带隙材料区采用AlxGa1‑xAs，x≤0.2，厚度为10~40nm。窗口层区域采用Al(Ga)InP或AlzGa1‑zAs，z≥0.4，厚度为10~50nm。宽带隙材料区和窄带隙材料区形成了第二异质结，在该异质结两侧存在i/p‑型场助和n+/n‑型场助结构。因此，该太阳电池第二异质结的载流子输运和跨越异质结势垒的能力均得到提高，从而提高了太阳电池的利用率。
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公开(公告)号：CN108534902A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810272551.1
申请日：2018-03-29
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于红外响应的全天候自供能目标侦察装置。该装置由外罩、太阳电池、超级电容器、红外探测器和信号发射模块构成，其中，利用太阳电池收集环境能量；采用超级电容器实现能量存储及为信号发射模块供电；采用可进行室温探测的红外探测器对装甲车、运输车和坦克等军用车辆进行状态侦察。数个小模块结合一个基站构成侦察集群，实现基于红外探测唤醒的自供能侦察器件研制，满足无人值守地区长时、连续防御侦察需求。
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公开(公告)号：CN106206824B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201610802857.4
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/0687
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 本发明公开了一种含有双谱段布拉格反射器的窄禁带多结太阳电池，其为基于InP衬底生长的晶格匹配窄禁带多结太阳电池，在该太阳电池结构的双谱段分别设置有布拉格反射器，该布拉格反射器由与InP衬底晶格匹配的窄禁带材料组成。本发明提供的太阳电池，通过在电池结构中引入双谱段布拉格反射器来增加窄禁带电池对未被吸收的光子的反射，实现光子再利用，增加电池光生电流，而且，布拉格反射器位于电池底部，处于外延生长的初始阶段，有效地抑制了来自衬底的缺陷，提高外延层晶格质量；从而提升太阳电池的整体性能，克服了窄禁带材料吸收系数小的缺点，显著提高了窄禁带子电池的晶格质量和光生电流，为下一代多结高效太阳电池的研制奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN106449848B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201610962842.4
申请日：2016-10-28
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/0735 , H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 本发明公开了一种含有复合多光子腔的多结太阳电池，该太阳电池包含从上至下依次设置的：n个宽带隙垂直光子腔，其中n为自然数，且n≥1，m个窄带隙垂直光子腔，其中m为自然数，且m≥1，以及设置在相邻垂直光子腔之间的隧穿结。宽带隙垂直光子腔包含从上至下依次设置的：第n前置反射镜，第n子电池，第n后置反射镜。窄带隙垂直光子腔包含从上至下依次设置的：第m前置反射镜，第m子电池，第m后置反射镜。本发明的太阳电池能够提高宽带隙材料近带边自发辐射光的利用效率，提高了电池的开路电压，进而提高太阳电池的光电转换效率。
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