公开(公告)号：CN108807584A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810538952.7

申请日：2018-05-30

申请人： 华南理工大学

发明人： 张曙光 ,  温雷

IPC分类号： H01L31/07 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/07 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/184

摘要： 本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种GaAs‑锑烯异质结太阳电池及其制备方法。所述GaAs‑锑烯异质结太阳能电池由下至上依次包括背电极、GaAs衬底、锑烯层、顶电极。本发明通过在GaAs片上通过分子束外延方式直接生长二维原子晶体材料锑烯，制备的太阳电池具有GaAs/锑烯异质结，锑烯层与GaAs之间形成良好的带隙匹配，实现太阳能电池高的光电转换效率。

公开(公告)号：CN104918878B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201380056223.3

申请日：2013-10-25

申请人： 艾利迪公司 ,  原子能与替代能源委员会

发明人： 娜塔莉·德绍克斯 ,  伯努瓦·阿姆斯塔特 ,  菲力浦·吉莱

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/28

CPC分类号： H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及光电子设备(10)，该设备包括：基板(14)；在基板的一个表面(16)上的触头(18)；半导体元件(24)，每个元件承接触头；至少覆盖每个触头的侧面(21)的部分，该部分防止半导体元件在所述侧面上的生长；和从前述表面延伸至基板并且对于每对触头而言将来自该对的一个触头与来自该对的另一个触头连接的电介质区域(22)。

公开(公告)号：CN107482069A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710554894.2

申请日：2017-07-10

申请人： 宋亮

发明人： 宋亮

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844

摘要： 本发明公开了一种多结化合物太阳能电池，包括基底、电极、至少两个子电池的堆叠；所述两个相邻的子电池之间均设有隧道二极管，所述隧道二极管包括以相反导电类型掺杂叠加的第一层和第二层；所述基底与相邻子电池之间还设有导电层，所述太阳能电池表面的子电池还设有外界导电线，所述隧道二极管的第一层和第二层与电极相连；所述太阳能电池表面还设有有机聚合物透光膜，所述有机聚合物透光膜表面还设有单向透视膜，所述单向透视膜包括迎光面和玻璃镜面，所述玻璃镜面与有机聚合物透光膜贴合；所述太阳能电池表面的子电池具10nm～700nm的均方根粗糙度Rrms。本发明太阳能电池具有较好的光电转化效率。

公开(公告)号：CN107248537A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710387962.0

申请日：2017-05-27

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 夏辉 ,  童中英 ,  李天信 ,  陈平平 ,  卢振宇 ,  张健 ,  姚晓梅 ,  张旭涛 ,  唐舟

IPC分类号： H01L31/0693 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： Y02E10/544 ,  H01L31/0693 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/184

摘要： 本发明公开了一种最优光电效能的半导体纳米线阵列制备方法，该方法首先通过热蒸发沉积金膜并退火形成无规均匀分布的催化剂颗粒，然后根据拟制备的III‑V族纳米线材料体系，选择最优V/III束流比，在不同的衬底温度下生长一系列的纳米线阵列试样，再使用导电原子力显微镜，对试样进行单纳米线垂直光电性能的统计评估，最后根据单纳米线的平均光电性能确定最佳制备条件。本方法适用于催化分子束外延生长砷化镓等III‑V族纳米线阵列，通过金属催化，使用直接、快速、简易的方法评估和确定纳米线阵列的最优生长条件，进而制备出一种最佳光电效能的半导体纳米线阵列，因此，本方法对高效太阳能电池和超灵敏光电探测器的制造有重要意义。

公开(公告)号：CN106486560A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610980109.5

申请日：2016-11-08

申请人： 电子科技大学

发明人： 王志明 ,  余鹏 ,  巫江 ,  姬海宁

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035218 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/184

摘要： 本发明公开了一种等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池，涉及太阳能电池制造技术领域。包括从下到上依次设置的衬底层、依附在衬底层上的缓冲层、在缓冲层上生长的第一隔离层、量子点与间隔结构层、第二隔离层、发射层和电极接触层；所述的量子点与间隔结构层包括量子点层和在量子点层上形成的砷化镓间隔层，所述的量子点与间隔结构层至少为两层；在形成的量子点太阳能电池上，耦合贵金属纳米颗粒，并通过化学刻蚀方法，将所述贵金属纳米颗粒往下沉至靠近量子点与间隔结构层。该太阳电池的效率能得到大幅度提高。

公开(公告)号：CN104054188B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380005558.2

申请日：2013-01-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： D·富尔曼

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725

CPC分类号： H01L31/03529 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种多结太阳能电池的半成品，其具有：构造为第一子太阳能电池的半导体本体，该半导体本体具有第一带隙；构造为第二子太阳能电池的半导体本体，该半导体本体具有第二带隙，其中，第一半导体本体和第二半导体本体构造成与隧道二极管进行材料锁合地连接，并且第一带隙构造为不同于第二带隙；以及构造为衬底层的第一载体材料，其中，在第一载体材料和第一子太阳能电池之间构造有牺牲层，并且在牺牲层破坏的情况下将第一载体材料从第一半导体本体去除。

公开(公告)号：CN103733355B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201280031610.7

申请日：2012-07-02

申请人： 佛罗里达大学研究基金会有限公司 ,  纳米控股有限公司

发明人： 弗兰基·索 ,  金渡泳 ,  李在雄 ,  布哈本德拉·K·普拉丹

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L27/3227 ,  H01L27/288 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/09 ,  H01L31/143 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/184 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/422 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/56 ,  H01L2031/0344 ,  H04N5/33 ,  Y02E10/549

摘要： 描述了光检测器、其制造方法和使用其检测辐射的方法。光检测器可以包括第一电极、光敏化层、电子阻挡／隧穿层和第二电极。还描述了红外-可见光上转换器件、其制造方法和使用其检测辐射的方法。红外-可见光上转换器件可以包括光检测器和与所述光检测器连结的OLED。

公开(公告)号：CN106206780A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610640931.7

申请日：2008-06-19

申请人： 昆南诺股份有限公司

发明人： L.萨穆尔森 ,  M.马格努森 ,  F.卡帕索

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735

CPC分类号： H01L31/0547 ,  G02B6/0096 ,  H01L29/885 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544

摘要： 根据本发明的太阳能电池结构包含构成该太阳能电池结构的光吸收部分的纳米线(205)以及包围该纳米线(205)的至少一部分的钝化壳含光导壳(210)，其优选地具有高的且间接的带隙以提供光导特性。在本发明的第二方面，太阳能电池结构包含多根纳米线，以相邻纳米线之间的最大间距定位所述多根纳米线，该最大间距比所述太阳能电池结构打算要吸收的光的波长短，以便为光吸收提供有效介质。归功于本发明，有可能提供高效率的太阳能电池结构。(209)。在本发明的第一方面，该钝化壳(209)包

公开(公告)号：CN106129183A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610649086.X

申请日：2016-08-10

申请人： 江苏大学

发明人： 花银群 ,  叶云霞 ,  陈瑞芳 ,  李志宝 ,  史志国 ,  胡志会

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0236

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/184 ,  H01L31/02363

摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种用飞秒激光在电池表面制备微纳米减反结构，从而提高太阳能电池的光电转换效率的方法。利用飞秒激光，在不同的环境介质中，辐照GaAs电池表面，通过选择相应的激光单脉冲能量，在GaAs电池表面得到不同的微纳米减反结构，从而降低GaAs电池表面的反射率，提高GaAs电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN105247117A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480030086.0

申请日：2014-03-11

申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社

发明人： 野田朗 ,  太田优 ,  平野立一

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B15/22 ,  C30B27/02 ,  H01L31/0735

CPC分类号： H01L31/03042 ,  C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B15/203 ,  C30B15/22 ,  C30B15/30 ,  C30B27/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 对于将含有Zn作为杂质的III-V族化合物半导体单晶作为基板的光电转换元件，可以不使转换效率降低，而将基板大型化。在耐热性的容器中填充原料和密封剂，将原料和密封剂加热，由此将原料熔解制成熔融液，同时使密封剂熔解，用密封剂将上述熔融液从上方覆盖，控制容器内的温度，以使相对于密封剂下部，密封剂上部的温度在不成为密封剂下部的温度以上的范围升高，在熔融液中浸渍晶种，将晶种相对于熔融液向上方提拉，由此使单晶由晶种生长。由此，虽然Zn的平均浓度是5×1017cm-3以上且3×1018cm-3以下的不会表现结晶硬化效果的低浓度，但可以得到直径2英寸以上的大型的、位错密度低、为5000cm-2的化合物半导体晶片。