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公开(公告)号：CN119092765A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411071747.6
申请日：2024-08-06
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01M8/1044 , H01M8/1046 , H01M8/1081
Abstract: 本发明公开了一种聚乙烯吡咯烷酮‑聚醚砜高温质子交换膜及其制备方法，所述聚乙烯吡咯烷酮‑聚醚砜高温质子交换膜包含膜主材和掺杂剂，所述膜主材包含聚乙烯吡咯烷酮和聚醚砜，所述掺杂剂为氨基硅烷偶联剂表面改性二氧化锡，所述掺杂剂的添加质量比例为1％～4％，以所述膜主材计。本发明的无机掺杂聚乙烯吡咯烷酮‑聚醚砜膜通过流延法成膜得到，本发明制备工艺简单，原料成本低，制备无机掺杂的膜掺杂磷酸后，具有机械强度良好，质子传导能力强等优点，在高温质子交换膜燃料电池中具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN117936886A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311761786.4
申请日：2023-12-20
Applicant: 中国石油大学(华东) , 上海空间电源研究所
IPC: H01M10/0565 , H01M10/058 , H01M10/052 , C08F120/34
Abstract: 本发明公开了一种高安全性高电压聚合物电解质的制备方法及其应用，将丁二腈和FUMA单体按照质量比4∶1混合加热搅拌，形成均匀的流动态溶液后，加入LiTFSI和LiDFOB，搅拌形成均匀流动态溶液前驱体，加入引发剂搅拌反应，得到聚合物电解质。本发明在保证防漏液风险的同时使电解质达到阻燃效果以及提高了对高压正极的稳定性，综合提升了提升电池的整体性能。
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公开(公告)号：CN117534117A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311400487.8
申请日：2023-10-26
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: C01G37/02 , H01M4/485 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种功率型铬氧化物及其制备方法和应用。所述方法包括：S1，向重铬酸盐溶液中加入酸溶液，反应液经蒸发结晶得到三氧化铬蒸发组分；加水溶解该蒸发组分，得到含铬溶液，加热至80℃～200℃并保温一段时间后，以一定降温速率降温至0～20℃，经低温结晶得到多孔球形三氧化铬；S2，氧气环境下对多孔球形三氧化铬进行第一热处理，得到铬氧化物混合物粉末；S3，前述粉末加入到去离子水中，混合液经超声、过滤烘干后，氧气环境下进行第二热处理，经冷却、研磨后得到功率型铬氧化物。本发明制得的铬氧化物具有高功率特性和低倍率容量特性，利于高比能和高功率原电池的制备，且制备方法简单，适于大规模工业生产和推广应用。
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公开(公告)号：CN116646532A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310697395.4
申请日：2023-06-13
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01M4/86 , H01M8/1004 , H01M4/88
Abstract: 本发明公开了一种抗CO低传质阻力的燃料电池阳极气体扩散电极的制备方法，包括：制备扩散层；在扩散层表面涂覆外催化层浆料，得到外催化层；外催化层浆料包括抗CO铂基催化剂、粘结剂和造孔剂；在外催化层表面涂覆内催化层浆料，得到内催化层；内催化层浆料包括铂基催化剂、粘结剂和造孔剂；外催化层的孔隙率大于内催化层的孔隙率，外催化层的平均孔径大于外催化层的平均孔径。本发明还公开了一种通过上述制备方法得到的阳极气体扩散电极。本发明能够有效降低传质阻力，缩短重整气进料与纯氢气进料下燃料电池的性能差异。
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公开(公告)号：CN113948736B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202110988387.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 上海空间电源研究所 , 航天氢能(上海)科技有限公司
IPC: H01M8/04007 , H01M8/04014 , H01M8/04225 , H01M8/04701 , H01M8/04858
Abstract: 本发明公开了一种液体燃料电池与内燃机混合能源系统，包括热管理子系统，燃料供给子系统，燃料电池子系统和内燃机子系统。燃料电池和内燃机以液体燃料为共同工质，液体燃料在燃料电池内部直接转化发电，发电尾液再进入内燃机进行燃烧做功，从而实现燃料电池发电与内燃机做功的协同供能，还提供了一种液体燃料电池与内燃机混合能源系统的工作方法。本发明具有显著的实用价值与性能优势。一方面，燃料电池子系统和内燃机子系统共用一套燃料供给子系统，可以达到简化系统结构，增加体积比功率的有益效果；另一方面，热管理子系统将直接液体燃料电池中产生的热量用于反应物预热，可以达到减少寄生能耗，提升系统整体能量利用效率的有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115642226A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211177029.8
申请日：2022-09-26
Applicant: 上海空间电源研究所
Abstract: 本发明公开了一种锂金属负极的制备方法，包括：制备高分子材料基底，高分子材料基底为热塑性聚酯和阻燃剂原位复合薄膜；对高分子材料基底进行大气压下氧气介质阻挡等离子体处理；在高分子材料基底表面制备第一金属层；对第一金属层进行大气压下氮气介质阻挡等离子体处理；在第一金属层表面制备锂金属层。本发明还公开了一种由上述锂金属负极的制备方法得到的锂金属负极。本发明还公开了一种包含上述锂金属负极的锂金属电池，根据正极材料不同，可为锂金属一次电池或锂金属二次电池。本发明能够有效提高锂金属电池的能量密度，同时具备优异的安全性能。
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公开(公告)号：CN111509056A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010356911.3
申请日：2020-04-29
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/0693
Abstract: 本发明涉及一种可有效利用窗口层内电子空穴对的太阳电池的窗口层结构，生长在太阳电池的吸收层上方，包含具有不同掺杂浓度的多层掺杂材料层，各层掺杂材料层的掺杂浓度由最靠近吸收层至最远离吸收层的次序逐层增加，以在窗口层结构内部形成强电场分布和能带弯曲，实现对窗口层结构内的光生电子空穴对的分离与输运，提高太阳电池在窗口层结构吸收谱段的量子效率。本发明在不影响太阳电池电压特性的前提下，降低入射光能量的损失，改善太阳电池的电流特性，提升太阳电池能量转换效率。
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公开(公告)号：CN106252463B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201610801789.X
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种采用数字‑指数混合方式掺杂功能区的太阳电池及其制备方法，该制备方法采用数字掺杂配合指数掺杂的方式制备该太阳电池的功能区；其中，数字掺杂配合指数掺杂的方式是指：掺杂区分段进行数字式掺杂，掺杂剂的流量以数字式跃变掺入到反应室中；而在相邻的两个掺杂浓度之间采用指数式变化。本发明提供的采用数字‑指数混合掺杂方式的太阳电池，在太阳电池的主要功能层中采用该数字‑指数混合掺杂方式，以形成增强的内建电场，促进光生载流子更有效地分离。采用该结构能显著增强光生载流子的寿命，从而提高载流子的迁移率，对电池的开路电压提升尤为显著，为下一代超高效太阳电池的研制奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN106503374A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610966723.6
申请日：2016-10-28
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 本发明公开复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法，包含：分析器件结构的几何特征、物理特征、数值特征参数表现形式生成五种典型数据类型；确定典型数据类型对应的成员赋值语法规则；化合物半导体器件结构分解成五种典型数据类型并写成结构描述文件；生成面向器件结构描述文件的动态指针，依据描述语法规则读取结构描述文件；确定数值计算专属文件的储存排列及数据格式；以实验数据和动态指针储存的器件结构转换成模型参数、位置和维数固定数组表达得数值计算专属文件。本发明使得输入含有多个内部异质结界面、多个内部面掺杂、多个量子限制区域、多个非局域量子隧穿区域的复杂结构化合物半导体器件的结构变得可能与方便。
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公开(公告)号：CN106252450A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610801796.X
申请日：2016-09-05
Applicant: 上海空间电源研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , H01L31/06875 , H01L31/0693 , H01L31/184
Abstract: 本发明提供了一种含有末端小失配子电池的多结太阳电池及其制备方法，该多结电池包含设置在多结电池末端的底电池，该底电池与衬底存在晶格失配。本发明通过在电池结构末端引入小失配底电池，降低了底电池材料的禁带宽度，提高了底电池光生电流，弥补了因底电池电流不足导致的多结电池电流失配。与此同时，小失配生长的底电池由于处于外延生长的末期，因晶格失配产生的晶格质量变差并不会对其它子电池产生影响。
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