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公开(公告)号：CN109633467A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811547730.8
申请日：2018-12-18
申请人： 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC分类号： G01R31/385
摘要： 本发明一种宇航用锂电池管理芯片可靠性验证方法，步骤如下：步骤一、设计评价指标体系，对宇航用锂电池管理芯片可靠性关键参数进行分析；步骤二、根据评价指标体系设计评价验证试验项目；步骤三、开展结构分析工作；步骤四、开展电特性一致性分析；步骤五、开展极限性能评估；步骤六、开展抗辐射性能评估；步骤七、开展电特性适应性验证；步骤八、开展力学环境和热学环境适应性验证。本发明为获取元器件的应用特性数据，并降低锂离子蓄电池管理芯片在航天器应用电路内的风险，可有效对宇航用锂电池管理芯片开展相关可靠性验证，以评估其宇航应用适应性。
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公开(公告)号：CN108226748A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711268879.8
申请日：2017-12-05
申请人： 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
摘要： 本发明提供了一种用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法，本发明包括对SoC处理器内部CPU单元、存储器单元、用户定义逻辑单元以及AD和DA、串行接口电路等外设单元单粒子效应的测试，可以对SoC处理器内部不同结构单元的单粒子效应进行有效测试，实现对SoC处理器单粒子效应的全面、合理评估。
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公开(公告)号：CN106686065A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611121520.3
申请日：2016-12-08
申请人： 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC分类号： H04L29/08
CPC分类号： H04L67/12
摘要： 本发明提供一种用于辐射效应自动化采集的通信管理装置，包括工业机箱，还包括：通信板，每一通信板具有六路串行接口及MAX系列通信芯片，每一MAX通信芯片支持至少两种通信方式，所述通信板用于辐射效应测试系统的通信数据采集；后台监控系统，用于向通信板发出指令，接收并显示来自通信板的数据，监控通信板的状态；总线板，与每一通信板以及后台监控系统电连接，将电源板的电信号提供给通信板及后台监控系统。本发明能够实现不同自动化设备的通信集成，实现数据共享的同时，具有较高的实时性。
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公开(公告)号：CN109580305B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201811509557.2
申请日：2018-12-11
申请人： 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 一种横向元器件制样研磨的方法，该方法步骤如下：步骤一、根据元器件的高度首先确定样品高度，并在制样前于模具内侧标记第一高度，以及第二高度，确保元器件位于样品高度上的中心；步骤二、按要求配置环氧树脂，并将环氧树脂加至模具内的第一高度处；步骤三、待环氧树脂固化后，将元器件横向置于其表面的正中心处；步骤四、再次将环氧树脂加至第二高度，此时元器件位于样品高度上的中心；步骤五、固化后完成制样，新方法与传统制样方法相比，样品体积会有效减小；步骤六、粗磨；步骤七、精磨：使用细砂纸进行精磨，直至形貌达到最佳观测效果；步骤八、抛光：用抛光液及相匹配的抛光布抛光，直至形貌达到最佳观测效果。
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公开(公告)号：CN108226748B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201711268879.8
申请日：2017-12-05
申请人： 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
摘要： 本发明提供了一种用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法，本发明包括对SoC处理器内部CPU单元、存储器单元、用户定义逻辑单元以及AD和DA、串行接口电路等外设单元单粒子效应的测试，可以对SoC处理器内部不同结构单元的单粒子效应进行有效测试，实现对SoC处理器单粒子效应的全面、合理评估。
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公开(公告)号：CN108267298A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711223104.9
申请日：2017-11-29
申请人： 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC分类号： G01M11/02
CPC分类号： G01M11/00
摘要： 本发明提供了一种CMOS图像传感器光谱响应空间辐射损伤的测试设备及其方法：利用溴钨灯等卤素灯光源发出光，经过积分球无数次反射后输出均匀光，均匀光通过滤波轮上不同的滤光片变成不同波长的单色光，调整放置在三维样品调整台上的待测CMOS图像传感器，使不同波长的单色光照射在光敏面上，根据所采集的图像信息得出CMOS图像传感器的光谱响应，再将CMOS图像传感器受高能粒子辐照后，再进行一次测试，得到器件的光谱响应辐射损伤。本发明能够对CMOS图像传感器光谱响应的辐射损伤进行定量的分析评价，为星用CMOS图像传感器的选型、抗辐射加固设计以及器件受辐照后光响应性能退化的机理研究提供检测手段。
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公开(公告)号：CN108181521A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711226250.7
申请日：2017-11-29
申请人： 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子效应检测的设备及检测方法，本发明采用脉冲激光单粒子微束试验，可以准确定位到不同功能模块。根据器件版图工艺结构，对CMOS图像传感器不同子电路逐点扫描，实时监测、记录、识别器件不同区域发生单粒子效应时图像异常表现形式，获得单粒子效应异常图像特征库，建立CMOS图像传感器单粒子效应表征技术；本发明实现了在线实时识别不同的CMOS图像传感器单粒子效应，可在线实时检测CMOS图像传感器的单粒子瞬态、单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子锁定；本发明可实现图像实时无损传输，解决图像在传输过程中诸如噪声干扰、卡屏等问题。
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公开(公告)号：CN109580305A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811509557.2
申请日：2018-12-11
申请人： 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 一种横向元器件制样研磨的方法，该方法步骤如下：步骤一、根据元器件的高度首先确定样品高度，并在制样前于模具内侧标记第一高度，以及第二高度，确保元器件位于样品高度上的中心；步骤二、按要求配置环氧树脂，并将环氧树脂加至模具内的第一高度处；步骤三、待环氧树脂固化后，将元器件横向置于其表面的正中心处；步骤四、再次将环氧树脂加至第二高度，此时元器件位于样品高度上的中心；步骤五、固化后完成制样，新方法与传统制样方法相比，样品体积会有效减小；步骤六、粗磨；步骤七、精磨：使用细砂纸进行精磨，直至形貌达到最佳观测效果；步骤八、抛光：用抛光液及相匹配的抛光布抛光，直至形貌达到最佳观测效果。
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公开(公告)号：CN114414971B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
申请人： 上海精密计量测试研究所
摘要： 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114414971A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
申请人： 上海精密计量测试研究所
摘要： 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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