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公开(公告)号：CN117810668A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311797555.9
申请日：2023-12-26
申请人： 上海精密计量测试研究所
摘要： 本发明提出一种可3D集成毫米波双腔滤波装置和耦合方法。与现有技术相比，本发明解决了传统开放式传输线构建的毫米波器件在自由空间内易辐射和损耗高的问题；同时基于将二维电路堆叠成三维滤波装置的方法，与传统金属波导滤波装置相比较，降低了制备成本，准圆波导谐振腔的可调谐参数更丰富，适用于灵活构建耦合窗口。采用了多种隔离方法来降低高密度SIP集成中的电磁波互耦合问题，激励了正交模式的准TE和TM模，构建了独立的正负耦合路径。本滤波装置的双零点灵活可调，端口适配于多种电磁波传输和耦合，既可以单独构建器件，也可用于毫米波器件的测试，或直接与SIP器件集成。
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公开(公告)号：CN111060796B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911262362.7
申请日：2019-12-11
申请人： 上海精密计量测试研究所 , 上海航天控制技术研究所
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明实施例提供了一种用于光敏三级管空间位移效应检测方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：将辐照电路单元送入位于质子加速器束流出口处；其中，辐照电路单元包括：光电转换单元、电压采集单元、偏置电路以及至少两个光敏三级管；步骤2：加工作电压对辐照电路单元进行辐照前通电测试，确保其能正常工作；步骤3：开始质子辐照试验，试验过程中通过路径选通切换单元实时记录采样电压；步骤4：改变试验条件，测试光敏三级管质子辐射下的测试数据。
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公开(公告)号：CN108181521A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711226250.7
申请日：2017-11-29
申请人： 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子效应检测的设备及检测方法，本发明采用脉冲激光单粒子微束试验，可以准确定位到不同功能模块。根据器件版图工艺结构，对CMOS图像传感器不同子电路逐点扫描，实时监测、记录、识别器件不同区域发生单粒子效应时图像异常表现形式，获得单粒子效应异常图像特征库，建立CMOS图像传感器单粒子效应表征技术；本发明实现了在线实时识别不同的CMOS图像传感器单粒子效应，可在线实时检测CMOS图像传感器的单粒子瞬态、单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子锁定；本发明可实现图像实时无损传输，解决图像在传输过程中诸如噪声干扰、卡屏等问题。
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公开(公告)号：CN118209149A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410373385.X
申请日：2024-03-29
申请人： 上海精密计量测试研究所
IPC分类号： G01D18/00
摘要： 本发明公开了批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法，测试装置包括：光源、拆换法兰盘、滤波轮、隔热玻璃、高低温试验箱、测试板、三维运动模组、Y轴伺服电机、环境控制装置、X轴伺服电机、操作台。三维运动模组安装在高低温试验箱内部底座上，X轴伺服电机和Y轴伺服电机组分别与三维运动模组连接，测试板安装在三维运动模组的平台上。本发明通过创新性试验装置的设计，实现了宽温域试验条件下的原位测试，解决了传统光电探测器在进行宽温域变化的试验项目时，需要在多台设备间转移的问题；同时实现了测试板对待测光电器件一对多的控制，降低了试验成本，并通过试验方法设计，保证了对光电探测器批量化试验中测试条件的一致性。
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公开(公告)号：CN114414971B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
申请人： 上海精密计量测试研究所
摘要： 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117872073A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311695083.6
申请日：2023-12-11
申请人： 上海精密计量测试研究所
IPC分类号： G01R31/26 , G01R1/36 , G05B19/042
摘要： 本发明公开了一种绝缘栅极双极性晶体管环境试验的高压偏置系统，系统采用集成化设计，将开关电路控制模块，开关指令模块和保护电路模块集成于一体。实现在IGBT器件环境可靠性试验过程中对试验系统的保护；实现在线对高压偏置下受试器件的切换功能，避免了因为对受试验器件偏置切换而中环境试验，提高了功率半导体器件环境可靠性试验的效率和安全性。该技术提高了IGBT器件环境可靠性试验的效率，同时保证了IGBT器件在环境可靠性试验中高压偏置下的安全性。本发明的设计方法简单易懂，工程实现容易，对功率半导体器件环境可靠性试验偏置电路的设计具有重要的工程应用价值。
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公开(公告)号：CN114966252A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111505888.0
申请日：2021-12-10
申请人： 上海精密计量测试研究所
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提供了一种数字信号处理电路辐照测试系统，所述数字信号处理电路辐照测试系统包括FPGA母板电路、DSP子板电路、上位机和电源模块，所述数字信号处理电路辐照测试系统置于辐照室中进行辐照测试；所述上位机通过网口与FPGA母板电路连接，上位机通过控制FPGA母板电路来控制DSP子板电路的偏置状态；所述电源模块对FPGA母板电路和DSP子板电路进行供电，所述电源模块采用TPS54310芯片，输入电压为5V，输出电压在0.9V‑3.3V之间调节。本发明通过字母板的设计方案，可以同时对两块DSP进行配置，提高了辐射实验的效率，并且能够进行动态偏置和静态偏置两种偏置实验。
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公开(公告)号：CN114414971A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
申请人： 上海精密计量测试研究所
摘要： 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114414322A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111504593.1
申请日：2021-12-10
申请人： 上海精密计量测试研究所
摘要： 本发明实施例提供了一种浇注可逆元器件制样研磨方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：将在80℃熔化成液体的石蜡引流致放置有样品的模具中；步骤2：将冷却固化的石蜡连同其中的样品从模具中取下，开展研磨、抛光，对抛光后的制样进行镜检、拍照；步骤3：采用对样品无损的方式将石蜡熔化成液态，从液状石蜡中取出完成镜检、拍照流程的样品，并对样品进行清洗。
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公开(公告)号：CN114408309A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111536195.8
申请日：2021-12-14
申请人： 上海精密计量测试研究所
摘要： 本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、导线前处理：包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理；S2、导线组件包装：包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装，所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放，并通过采用自封袋打孔的包装方法，使得包装内含氟物质通过打孔向外散发，从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率；或者采用真空干燥包装方法，除去空气中的水气，以有利于延长贮存时间，有效解决了腐蚀的问题。
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