薄型温度熔断器用助熔剂及薄型温度熔断器

    公开(公告)号:CN101465252B

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN200810205284.2

    申请日:2008-12-31

    Abstract: 本发明薄型温度熔断器用助熔剂及薄型温度熔断器涉及电子类相关产品用过温保护薄型元件,尤其是一种手机电池用薄型温度熔断器用助熔剂、助熔剂制备方法和薄型温度熔断器。一种薄型温度熔断器用助熔剂,由松香、醇胺类化合物、醇类化合物、硅油组成,按重量百分比计为:松香70~80%、醇胺类化合物10~20%、醇类化合物5~8%和硅油0.5~3%。本发明的助熔剂酸值低,对金属腐蚀性大大降低,长期耐久性好,且助熔效果显著,能快速润湿金属使其熔断,高低温交变不析晶、抗氧化、闪点高、挥发性小、绝缘性好,是配合温度熔断器的理想助熔剂。

    薄型温度熔断器用助熔剂及薄型温度熔断器

    公开(公告)号:CN101465252A

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200810205284.2

    申请日:2008-12-31

    Abstract: 本发明薄型温度熔断器用助熔剂及薄型温度熔断器涉及电子类相关产品用过温保护薄型元件,尤其是一种手机电池用薄型温度熔断器用助熔剂、助熔剂制备方法和薄型温度熔断器。一种薄型温度熔断器用助熔剂,由松香、醇胺类化合物、醇类化合物、硅油组成,按重量百分比计为:松香70~80%、醇胺类化合物10~20%、醇类化合物5~8%和硅油0.5~3%。本发明的助熔剂酸值低,对金属腐蚀性大大降低,长期耐久性好,且助熔效果显著,能快速润湿金属使其熔断,高低温交变不析晶、抗氧化、闪点高、挥发性小、绝缘性好,是配合温度熔断器的理想助熔剂。

    塑封材料及包含塑封材料的薄型温度保护元件及制备工艺

    公开(公告)号:CN101746096A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200810204348.7

    申请日:2008-12-10

    Abstract: 本发明涉及电子产品用塑封材料,及用该塑封材料封装的薄型温度保护元件及其制备方法。一种塑封材料,由外层、中层和内层构成层状结构,其中,外层为聚对苯二甲酸丁二酯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯;中层为超高分子量聚乙烯、聚丙烯或聚烯烃;内层为聚氨酯、聚烯烃、聚醚砜、聚酰胺、聚亚氨酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物或聚乙烯醇。一种利用上述塑封材料封装的薄型温度保护元件,由熔芯、一对引脚和塑封材料构成,所述的熔芯为哑铃型,具有两个圆形端部,所述引脚的端部均形成有圆弧形缺口,熔芯的两个圆弧形端部嵌在引脚端部的圆弧形缺口内相互过盈配合,熔芯的表面涂覆有助熔剂,塑封材料包覆熔芯和助熔剂的全部以及引脚的端部。

    贴片保险丝及其制造方法

    公开(公告)号:CN101202186A

    公开(公告)日:2008-06-18

    申请号:CN200710172255.6

    申请日:2007-12-13

    Abstract: 本发明涉及一种贴片保险丝及其制造方法,贴片保险丝以玻璃陶瓷层为基体,与玻璃陶瓷层之间的金属薄膜构成独石结构,独石结构的两个端部设有端电极,其中,金属薄膜从基体之间延伸至基体的端面,且至少覆盖基体一部分端面,该延伸至端面的金属薄膜与端电极之间面接触。制造方法包括:先在玻璃陶瓷层基体表面至少一次涂覆金属薄膜浆料;在玻璃陶瓷层宽度方向上切割形成缝隙,再至少一次涂覆金属薄膜浆料,浆料渗入该缝隙内;然后再涂覆一层玻璃陶瓷层,制成独石结构生膜片,根据设计要求上述步骤可重复制成多层结构;生膜片切割成多数个保险丝单元,烧结、封端、电镀,至成品。本发明内电极与端电极为面一面接触,工艺简单,利用传统设备,产品可靠。

    面电极敏感元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101221845A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200710172254.1

    申请日:2007-12-13

    Abstract: 本发明涉及一种面电极敏感元件及其制造方法,面电极敏感元件的制造方法,先将原料经烧结制成陶瓷芯材大片;再在陶瓷芯材的表面设置电极材料,制成面电极,陶瓷芯材至少有一部分表面裸露;然后按设计阻值将陶瓷芯材大片切割成多数个陶瓷芯片,且面电极至少位于切割后陶瓷芯片表面的一端;最后陶瓷芯片用端电极封端,制成成品。其成品由芯片,电极及两端的端电极构成,所述的电极为至少设在芯片一个表面的面电极,面电极设有一个或以上,且至少有一部分表面裸露芯片,芯片的端部设有端电极,至少有一个面电极与端电极接触。其面电极无需耐高温,可用于陶瓷烧结温度高的元件;产品小型化、片式化、低电阻、低功耗,工艺简便,成品率高,成本低。

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