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公开(公告)号:CN102129936A
公开(公告)日:2011-07-20
申请号:CN201110027599.4
申请日:2011-01-26
Applicant: 上海长园维安电子线路保护股份有限公司
IPC: H01H69/02
Abstract: 本发明涉及一种带垫层结构的薄型温度熔断器的制造工艺,带垫层结构的薄型温度熔断器包括一对金属引脚,金属引脚相对呈直线排列且端部间留有间距,且在间距部设有垫层,在金属引脚端部的下方设有下载带,该垫层将两端部相互横向阻隔,且将熔芯与下载带之间相互纵向阻隔,两端部之间由熔芯焊接相连,在熔芯上涂刷有助熔剂,上载带从上方覆盖,上载带与下载带形成一密闭空间,将金属引脚端部、熔芯以及助熔剂密封于该密闭空间的内部,其中,所述的熔芯是从背面焊接在引脚上。优点是:本发明通过背面焊接来保护熔芯,克服了目前合金正面焊接中形貌上破坏、氧化层加重、熔芯内部普遍有二次结晶并伴随晶体长大的缺陷,极大的减少因熔芯过度焊接受热而引起的熔断温度非正常上升。
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公开(公告)号:CN1792555B
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN200510112412.5
申请日:2005-12-30
Applicant: 上海长园维安电子线路保护股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种镍定位方法,尤其涉及一种用于厚度不超过1毫米的镍片的定位方法。一种新型镍片定位装置,由镍片定位上模板、下模板组成,其中,上模板上有镍片定位槽,下模板上设有吸铁石,上下模板通过定位销定位。利用上述装置的镍片定位方法是:首先,将镍片定位上模板放在设有吸铁石的下模板上面,然后将镍片及其功能件放在镍片定位模板的镍片定位槽中,在焊接后,先将带吸铁石的下模板取掉后,再将定位槽中的镍片及其功能件取出。本发明所采用工艺简单,无需投入新的设备,无需改变镍片冲模的设计,而且取片容易,可以避免镍片的变形。
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公开(公告)号:CN101777467A
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN200910248046.4
申请日:2009-12-31
Applicant: 上海长园维安电子线路保护股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种温度熔断器用助熔树脂及其制法以及温度熔断器的制备,助熔树脂在常温下为固态,加热至40~70℃软化并具流动性,按重量百分比计包括:松香80~90%;乙醇8~18%;水杨酸0.5~3.0%。温度熔断器制备方法包括:将一对金属引脚焊接在下绝缘膜上,端部间留有间距;用低温合金将金属引脚的两端部焊接相连;在低温合金上放置切割后的助熔树脂小片,加热使助熔树脂小片软化并铺设在低温合金表面;上绝缘膜及下绝缘膜将金属引脚端部、低温合金及助熔树脂包裹在内。优点是:助熔树脂能促进低温合金快速熔断,在常温下对低温合金起到保护作用;采用助熔树脂小片加热软化的方式更为均匀地覆盖在低温合金的表面,不损坏低温合金。
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公开(公告)号:CN101763982A
公开(公告)日:2010-06-30
申请号:CN200910247881.6
申请日:2009-12-31
Applicant: 上海长园维安电子线路保护股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种带垫层结构的薄型温度熔断器及其制备方法。所述的薄型温度熔断器包括一对金属引脚,金属引脚相对呈直线排列且端部间留有间距,在金属引脚端部的下方设有下载带,两端部之间由熔芯焊接相连,在熔芯上涂刷有助熔剂,上载带从上方覆盖,上载带与下载带形成一密闭空间,将金属引脚端部、熔芯以及助熔剂密封于该密闭空间的内部,在该熔断器的中部还设有中载带,该中载带中部设有垫层,垫层设在两金属引脚端部之间的间距内,将两端部相互横向阻隔,及熔芯与下载带之间纵向阻隔。而本发明有效的降低了熔断温度,助熔剂不易外溢且金属引脚上的台阶或折弯更符合使用要求。
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公开(公告)号:CN101746096A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200810204348.7
申请日:2008-12-10
Applicant: 上海长园维安电子线路保护股份有限公司
Abstract: 本发明涉及电子产品用塑封材料,及用该塑封材料封装的薄型温度保护元件及其制备方法。一种塑封材料,由外层、中层和内层构成层状结构,其中,外层为聚对苯二甲酸丁二酯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯;中层为超高分子量聚乙烯、聚丙烯或聚烯烃;内层为聚氨酯、聚烯烃、聚醚砜、聚酰胺、聚亚氨酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物或聚乙烯醇。一种利用上述塑封材料封装的薄型温度保护元件,由熔芯、一对引脚和塑封材料构成,所述的熔芯为哑铃型,具有两个圆形端部,所述引脚的端部均形成有圆弧形缺口,熔芯的两个圆弧形端部嵌在引脚端部的圆弧形缺口内相互过盈配合,熔芯的表面涂覆有助熔剂,塑封材料包覆熔芯和助熔剂的全部以及引脚的端部。
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公开(公告)号:CN100485825C
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200410015647.8
申请日:2004-01-06
Applicant: 上海长园维安电子线路保护股份有限公司
Abstract: 本发明环保型无铅焊接在PTC热敏电阻器制造中的应用以绿色环保为主题,在高分子PTC热敏电阻器的制造过程中,通过采用环保型无铅焊接的方法,有效地改善PTC热敏电阻器的产品不含有毒元素“铅”,并能提高焊接可靠性及产品性能。得其高分子PTC热敏电阻器的性能如耐流、耐压、电阻等在原有的基础上一致性更完善,并符合国家工业企业设计GB3095-1996《环境空气质量标准》。
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公开(公告)号:CN100426424C
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200410093325.5
申请日:2004-12-21
Applicant: 上海长园维安电子线路保护股份有限公司
IPC: H01C7/02
Abstract: 本发明一种高温高分子PTC热敏电阻器的制造方法,涉及以结晶半结晶高聚物及其共混物为主要原料的电子元器件制造方法。一种高温PTC热敏电阻器的制造方法,先将芯片成型后,将芯片置于高分子聚合物熔点以上5~30℃的加热设备中5~50分钟,然后将其缓慢冷却到室温,随后进行辐照,辐照剂量范围为20KGy至500KGy的0.2~0.7倍,辐照以后,再将芯片置于高分子聚合物熔点以上5~30℃的加热设备中5~50分钟,然后将其缓慢冷却到室温,再进行第二次辐照,辐照剂量为20KGy至500KGy的0.4~0.8倍。本发明方法使得高温PTC热敏电阻器的室温电阻均匀,耐流或耐压能力好,耐流或耐压后的电阻变化率均一,使用温度上限大大提高,消除了高温时的NTC现象以确保其正常工作。
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公开(公告)号:CN101246768A
公开(公告)日:2008-08-20
申请号:CN200710172263.0
申请日:2007-12-13
Applicant: 上海长园维安电子线路保护股份有限公司
IPC: H01C7/02
Abstract: 一种表面贴装型高分子PTC热敏电阻的制造方法,热敏电阻由芯材、贴覆于芯材上、下表面的二金属电极、分别焊接在该二金属电极外表面上的引脚和包覆在外侧的包封层构成,包括:制备芯材,芯材表面贴装金属电极;辐照交联,切割;一引脚长带的多数个引脚分别与多数个PTC芯片的上金属电极焊接,另一引脚长带的多数个引脚分别与上述每个PTC芯片的下金属电极焊接,构成一体;包封材料进行整体密闭注塑封装;PTC芯片分离;将引脚向同侧相对弯折;其中,所述的引脚长带为由多数个引脚和连接多数个引脚的长条形连接部构成的梳状结构。优点是:在复合芯材外注塑封装包封层,提高热敏电阻的长期电阻稳定性,生产工艺简便,生产效率提高。
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公开(公告)号:CN101202186A
公开(公告)日:2008-06-18
申请号:CN200710172255.6
申请日:2007-12-13
Applicant: 上海长园维安电子线路保护股份有限公司
IPC: H01H85/055 , H01H85/08 , H01H85/143 , H01H69/02
Abstract: 本发明涉及一种贴片保险丝及其制造方法,贴片保险丝以玻璃陶瓷层为基体,与玻璃陶瓷层之间的金属薄膜构成独石结构,独石结构的两个端部设有端电极,其中,金属薄膜从基体之间延伸至基体的端面,且至少覆盖基体一部分端面,该延伸至端面的金属薄膜与端电极之间面接触。制造方法包括:先在玻璃陶瓷层基体表面至少一次涂覆金属薄膜浆料;在玻璃陶瓷层宽度方向上切割形成缝隙,再至少一次涂覆金属薄膜浆料,浆料渗入该缝隙内;然后再涂覆一层玻璃陶瓷层,制成独石结构生膜片,根据设计要求上述步骤可重复制成多层结构;生膜片切割成多数个保险丝单元,烧结、封端、电镀,至成品。本发明内电极与端电极为面一面接触,工艺简单,利用传统设备,产品可靠。
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公开(公告)号:CN102176359A
公开(公告)日:2011-09-07
申请号:CN201110027730.7
申请日:2011-01-26
Applicant: 上海长园维安电子线路保护股份有限公司
Abstract: 本发明涉及圆环状正温度系数热敏电阻器,芯层由包括高分子聚合物、导电填料、无机填料和加工助剂混合制备而成,按重量百分比计包括下述组成:高分子聚合物38-52%;导电填料35-55%;无机填料5-25%;另包含占高分子聚合物总量0.05-3%的加工助剂,其中,高分子聚合物为包含至少两种化学结构相同,物理性质差异较大的聚乙烯为主树脂的共混物组成。优点是:用于二次圆柱锂离子电池过流防护,通过引入具有自增强作用的高分子聚合物体系做基材,特殊结构的导电粒子和填料,对自增强聚合物与填料进行增容处理,增加复合材料的界面相容性,具室温电阻率低、载荷能力高,耐电压能力高,耐电流冲击性能优异的特性,且在耐电流后产品升阻较小。
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