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公开(公告)号：CN102703947A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210164994.1
申请日：2012-05-23
申请人： 上海飞机制造有限公司 , 上海交通大学
IPC分类号： C25D11/04
摘要： 本发明提供一种微弧氧化离子交换膜电解槽槽液补加方法，包括：测定阴极室溶液中的氢氧化物含量；根据测定的氢氧化物含量和拟补加微弧氧化溶液量和微弧氧化溶液中起始氢氧化物含量，将一定体积量的阴极室溶液转移到微弧氧化溶液补加槽中；计算拟补加微弧氧化溶液中其它添加剂的用量并将其加入补加槽中，充分搅拌使其溶解；添加纯净水，使得氢氧化物含量和其它添加剂的含量稀释到微弧氧化电解液的起始含量，得到补加溶液；将调整好的补加溶液加入电解槽的阳极室中，控制补加溶液的流量并测量补加后溶液的pH值，使其在起始pH值范围内；对阳极室溶液进行循环搅拌后即可正常进行微弧氧化操作。
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公开(公告)号：CN102703947B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210164994.1
申请日：2012-05-23
申请人： 上海飞机制造有限公司 , 上海交通大学
IPC分类号： C25D11/04
摘要： 本发明提供一种微弧氧化离子交换膜电解槽槽液补加方法，包括：测定阴极室溶液中的氢氧化物含量；根据测定的氢氧化物含量和拟补加微弧氧化溶液量和微弧氧化溶液中起始氢氧化物含量，将一定体积量的阴极室溶液转移到微弧氧化溶液补加槽中；计算拟补加微弧氧化溶液中其它添加剂的用量并将其加入补加槽中，充分搅拌使其溶解；添加纯净水，使得氢氧化物含量和其它添加剂的含量稀释到微弧氧化电解液的起始含量，得到补加溶液；将调整好的补加溶液加入电解槽的阳极室中，控制补加溶液的流量并测量补加后溶液的pH值，使其在起始pH值范围内；对阳极室溶液进行循环搅拌后即可正常进行微弧氧化操作。
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公开(公告)号：CN113321427B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110820578.1
申请日：2021-07-20
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： C03C17/36
摘要： 本发明涉及一种快速氢致变色WO3薄膜及其制备方法，是在ITO玻璃表面制备快速氢致变色WO3薄膜的膜层结构设计和制备方法，涉及薄膜结构设计和膜层材料制备技术领域。发明包括在ITO玻璃上先制备WO3种子层；负载底层催化剂，溶剂热法生长纳米结构WO3薄膜；负载面层催化剂；真空干燥退火等步骤。催化剂分两次负载，可以使其在薄膜内更加均匀地分布，从而大幅度提高WO3薄膜对氢气的响应速度。本发明可为纳米结构WO3氢致变色薄膜在调光玻璃和氢气传感器等领域的应用提供技术支持，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105624608B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201511019061.3
申请日：2015-12-29
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供了一种高导热石墨膜表面金属涂层的制备方法，所述方法首先将石墨膜用酒精超声清洗干净，然后将石墨膜置于PVD设备中，利用氩离子轰击清洗石墨膜表面，最后通过调控磁场电流、偏压、氩气流量、镀膜温度以及镀膜时间对石墨膜进行金属涂覆处理。本发明所述方法具有涂覆完全且均匀、高效、涂层厚度可控以及结合良好等特点；所制备的高导热金属涂层石墨膜可直接用于热管理领域，也可以用于制备热管理用复合材料。
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公开(公告)号：CN101928976B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010257749.6
申请日：2010-08-20
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 一种金属表面处理技术领域的镁合金阳极氧化用离子交换膜电解槽及其氧化方法，包括：阴极室和置于阴极室内部的阳极室，其中：阳极室和阴极室之间设有电解质溶液，所述的阴极室和阳极室均为矩形结构，所述的阳极室的四个侧壁上设有离子交换膜作为隔墙，该离子交换膜包括：两两相对设置的阴离子交换膜和阳离子交换膜。本发明的离子交换膜电解槽适用于所有的镁合金的表面阳极(微弧或者等离子体电解液)氧化处理工艺。
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公开(公告)号：CN101892484B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201010257747.7
申请日：2010-08-20
申请人： 上海交通大学
摘要： 一种合金制造技术领域的镁合金表面施压工装及其处理方法，通过将镁合金和纯铝薄板进行抛光处理后，将镁合金和纯铝薄板置于施压工装中并施加10-20MPa压力后置于真空热处理炉中在200-300℃下保温热处理6-18小时后随炉冷却，在镁合金上获得光亮表面的金属间化合物膜层。本发明能够在较低温度下在镁合金表面形成致密、均匀的镁铝金属间化合物，工艺步骤简单，成本低，环保，得到的膜层质量稳定，使镁合金表面腐蚀性能和耐磨性能均得到提高，并最终推动镁合金在相关领域的广泛使用。
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公开(公告)号：CN115672320B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211377895.1
申请日：2022-11-04
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供了一种在WO3薄膜上负载贵金属催化剂纳米颗粒的方法；包括制备贵金属催化剂纳米颗粒的胶体，物理吸附方法，等离子清洗的步骤；等离子清洗时，使用的气体为氧气或者空气，等离子清洗可去除贵金属催化剂纳米颗粒和WO3薄膜表面的有机物，显著提升催化性能。本发明可为纳米结构WO3薄膜在氢致变色、光解水和光催化等领域的应用提供技术支持，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110510890B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201910925076.8
申请日：2019-09-27
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： C03C17/34
摘要： 本发明提供了一种在ITO玻璃表面制备纳米结构WO3薄膜的方法，涉及薄膜材料制备技术领域；包括在ITO玻璃上依次用电沉积加酸洗的方法制备WO3种子层和溶剂热法生长纳米结构WO3薄膜的步骤；制备种子层时，电沉积采用的电镀液包括钨酸盐和无机酸，酸洗所用的溶液为无机酸；本发明在ITO玻璃上依次用电沉积加酸洗的方法制备WO3种子层，并通过溶剂热法生出纳米结构WO3薄膜，电沉积种子层既保证了WO3薄膜与ITO的高结合强度，又克服了传统配制前驱体溶液随后旋涂热分解制备种子层存在的高能耗低效率的问题，为纳米结构WO3薄膜在调光玻璃、氢气传感器和电致变色等领域的应用提供了技术支持，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111020505A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911294596.X
申请日：2019-12-16
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开一种在镁合金表面用氩离子刻蚀制备高耐腐蚀Al薄膜的方法；包括：将基体装入带有偏压电源的磁控溅射镀膜机真空室；抽真空，进行辉光清洗；磁控溅射Al薄膜，每沉积一段时间的Al膜层后进行氩离子刻蚀；依次重复n次，最后再沉积一段时间的Al膜层。通过调整氩气流量、负偏压大小以及刻蚀时间等最终在镁合金表面制得具有高耐腐蚀性能的Al薄膜。本发明在AZ91D镁合金上制备得到的在不同负偏压下经过氩离子刻蚀的Al薄膜的耐腐蚀性能明显优于未经刻蚀的Al薄膜。其中，在600V下经过刻蚀的Al薄膜的耐腐蚀性能最佳，自腐蚀电流密度降低了两个数量级，从49.7μA/cm2降为0.1μA/cm2。
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公开(公告)号：CN103757614A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410002018.5
申请日：2014-01-02
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种镁及镁合金的镀层，镀层依次包括沉积在镁及镁合金表面的镍金属镀层、过渡层和主体镀层；过渡层为金属元素镀层，主体镀层为金属氮化物镀层或类石墨碳镀层；镍金属镀层通过化学镀镍技术沉积在镁及镁合金表面，过渡层通过物理气相沉积的方法沉积在镍金属镀层上，主体镀层通过物理气相沉积的方法沉积在过渡层上；镁及镁合金的镍金属镀层的厚度为1～100μm，镁及镁合金的过渡层和主体镀层的厚度为0.1～20μm。本发明大幅提高了镀层与镁及镁合金基体间的结合力和镀层本身的致密度，使得具有镀层的镁及镁合金具有优异的耐腐蚀性能和耐磨损性能。
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