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公开(公告)号：CN113930841B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111202574.3
申请日：2017-04-19
申请人： 国立大学法人信州大学 , 不二越机械工业株式会社
摘要： 本发明的课题在于提供能够实现氧化镓晶体的大型化、高品质化的氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)由具备基体(12)、炉主体(14)、盖体(18)、发热体(20)、坩埚支承轴(24)和坩埚(30)的垂直布里奇曼炉构成，本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)的特征在于，坩埚(30)为Pt系合金制的坩埚，炉主体(14)的内壁形成为由两个以上具有所需高度的环状的耐热部件(32b)层叠而成的耐热壁(32)，并且，环状的耐热部件(32b)通过将两个以上的分割片(32a)接合而形成为环状。
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公开(公告)号：CN107304481B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201710256274.0
申请日：2017-04-19
申请人： 国立大学法人信州大学 , 不二越机械工业株式会社
摘要： 本发明的课题在于提供能够实现氧化镓晶体的大型化、高品质化的氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)由具备基体(12)、炉主体(14)、盖体(18)、发热体(20)、坩埚支承轴(24)和坩埚(30)的垂直布里奇曼炉构成，本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)的特征在于，坩埚(30)为Pt系合金制的坩埚，炉主体(14)的内壁形成为由两个以上具有所需高度的环状的耐热部件(32b)层叠而成的耐热壁(32)，并且，环状的耐热部件(32b)通过将两个以上的分割片(32a)接合而形成为环状。
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公开(公告)号：CN111041556A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910935595.2
申请日：2019-09-29
申请人： 国立大学法人信州大学 , 不二越机械工业株式会社 , 丰田自动车株式会社
摘要： 本发明提供能够生长不着色且杂质少的高纯度的氧化镓单晶的氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法以及用于它们的氧化镓晶体生长用的坩埚。一种在大气气氛下使用Ir含量为20～30wt％的Pt-Ir系合金坩埚，应用VB法、HB法或VGF法来生长氧化镓晶体的制造装置和制造方法，其特征在于，该制造装置(10)由垂直布里奇曼炉构成，该垂直布里奇曼炉具备：基体(12)；炉主体(14)；盖体(18)；发热体(20)；坩埚支承轴(30)；和坩埚(34)，上述坩埚(34)是Ir含量为20～30wt％的Pt-Ir系合金制的坩埚(34)。
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公开(公告)号：CN114808126A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111676694.7
申请日：2021-12-31
申请人： 不二越机械工业株式会社 , 国立大学法人信州大学
摘要： 本发明提供一种氧化镓晶体的制造装置以及使用该装置的氧化镓晶体的制造方法，该装置是应用了垂直布里奇曼法的晶体制造装置，其能够将炉内空间维持在特定温度，防止因坩埚的骤冷所致的晶体品质的降低，将氧化镓晶体稳定地取出到装置外。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)具备：由耐热材料(14a)构成的炉主体(14)；坩埚支承轴(16)，其沿上下方向贯通炉主体(14)的底部而在炉主体(14)内延伸设置，构成为上下移动自如；坩埚(22)，其配置在坩埚支承轴(16)上，存储氧化镓晶体的原料；主体加热器(34)，其配设在坩埚(22)的周围，对坩埚(22)进行加热；以及缓冷室(36)，其与炉主体(14)的炉内空间(15)连通地设置在炉主体(14)的下方，将坩埚(22)缓慢冷却。
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公开(公告)号：CN107304481A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710256274.0
申请日：2017-04-19
申请人： 国立大学法人信州大学 , 不二越机械工业株式会社
CPC分类号： C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/16 , H01L21/02565 , H01L21/02625 , C30B11/001 , C30B11/006
摘要： 本发明的课题在于提供能够实现氧化镓晶体的大型化、高品质化的氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)由具备基体(12)、炉主体(14)、盖体(18)、发热体(20)、坩埚支承轴(24)和坩埚(30)的垂直布里奇曼炉构成，本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)的特征在于，坩埚(30)为Pt系合金制的坩埚，炉主体(14)的内壁形成为由两个以上具有所需高度的环状的耐热部件(32b)层叠而成的耐热壁(32)，并且，环状的耐热部件(32b)通过将两个以上的分割片(32a)接合而形成为环状。
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公开(公告)号：CN102191535B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201110049244.5
申请日：2011-03-01
申请人： 国立大学法人信州大学 , 不二越机械工业株式会社
摘要： 本发明提供一种能防止产生由晶体取向错位引起的晶体缺陷的蓝宝石单晶体的制造装置。本发明的蓝宝石单晶体的制造装置(1)将晶种和原料收纳在被支承构件(3)支承的坩埚(20)内，将该坩埚(20)配置在生长炉(10)内的筒状加热器(14)内，利用筒状加热器(14)对该坩埚进行加热而使原料和一部分晶种熔化而结晶化，该蓝宝石单晶体的制造装置包括用于以圆环状冷却形成为杯状的上述坩埚(20)的规定的外周位置的冷却部件。
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公开(公告)号：CN102191535A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110049244.5
申请日：2011-03-01
申请人： 国立大学法人信州大学 , 不二越机械工业株式会社
摘要： 本发明提供一种能防止产生由晶体取向错位引起的晶体缺陷的蓝宝石单晶体的制造装置。本发明的蓝宝石单晶体的制造装置(1)将晶种和原料收纳在被支承构件(3)支承的坩埚(20)内，将该坩埚(20)配置在生长炉(10)内的筒状加热器(14)内，利用筒状加热器(14)对该坩埚进行加热而使原料和一部分晶种熔化而结晶化，该蓝宝石单晶体的制造装置包括用于以圆环状冷却形成为杯状的上述坩埚(20)的规定的外周位置的冷却部件。
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公开(公告)号：CN116479515A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202211660661.8
申请日：2022-12-23
申请人： 国立大学法人信州大学 , 不二越机械工业株式会社
摘要： 提供金属氧化物单晶的制造装置和制造方法，在金属氧化物单晶的制造装置、特别是在氧化气氛下制造高熔点的金属氧化物单晶的金属氧化物单晶的制造装置中，在进行加种时，在种晶中可靠地产生结晶培育方向的温度差，可靠地进行加种。本发明的金属氧化物单晶的制造装置(10)具备：用于收纳结晶原料(36)和种晶(34)的坩埚(18)，其具有第1端部(18a)和第2端部(18b)，在第1端部(18a)侧配置结晶原料(36)，在第2端部(18b)侧配置种晶(34)；对坩埚(18)进行加热的发热体(30)；以及冷却棒(44)，其具有第3端部(44a)和第4端部(44b)，第3端部(44a)与坩埚(18)的第2端部(18b)抵接或靠近地进行设置，通过夺取第2端部(18b)的热而将第2端部(18b)冷却。
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公开(公告)号：CN113930841A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111202574.3
申请日：2017-04-19
申请人： 国立大学法人信州大学 , 不二越机械工业株式会社
摘要： 本发明的课题在于提供能够实现氧化镓晶体的大型化、高品质化的氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)由具备基体(12)、炉主体(14)、盖体(18)、发热体(20)、坩埚支承轴(24)和坩埚(30)的垂直布里奇曼炉构成，本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)的特征在于，坩埚(30)为Pt系合金制的坩埚，炉主体(14)的内壁形成为由两个以上具有所需高度的环状的耐热部件(32b)层叠而成的耐热壁(32)，并且，环状的耐热部件(32b)通过将两个以上的分割片(32a)接合而形成为环状。
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公开(公告)号：CN108531990A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810132067.9
申请日：2018-02-09
申请人： 不二越机械工业株式会社 , 国立大学法人信州大学
摘要： 本发明提供实现发热体的长寿命化、实现成本的降低化的单晶制造装置。本发明的单晶制造装置(10)是在氧化气氛中制造金属氧化物的单晶的单晶制造装置(10)，其具备：基体(12)；配设在该基体(12)上的具有耐热性的筒状的炉主体(14)；将该炉主体(14)封闭的盖体(16)；配设于炉主体(14)内的发热体(20)；利用高频感应加热对该发热体(20)进行加热的高频线圈(22)；以及由发热体(20)进行加热的坩埚(28)，单晶制造装置(10)的特征在于，发热体(20)由Pt系合金构成，在整个面上施有氧化锆涂层。
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