公开(公告)号：CN107354508A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710645102.2

申请日：2017-08-01

Applicant: 尚成荣

Inventor： 尚成荣

IPC: C30B29/02 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B29/02 ,  C30B11/001

Abstract: 本发明公开了一种单晶导电铜杆熔炼装置，包括上引连铸熔料炉和封闭混合熔料炉；所述封闭混合熔料炉的顶部设置有熔料炉封闭顶盖，所述熔料炉封闭顶盖上设置有还原气体排出管，所述封闭混合熔料炉的底部设置有还原气体鼓入管、熔融铜液导流管和导流管密封导套，所述熔融铜液导流管的下端位于所述上引连铸熔料炉中熔融铜液的液面下方；所述熔融铜液导流管匀速下降，使所述封闭混合熔料炉中的熔融铜液匀速流入所述上引连铸熔料炉中，且单位时间内所述熔融铜液导流管中流过的熔融铜液质量与单位时间内上引结晶器中流过的熔融铜液总质量相等。本发明能够实现单晶导电铜材中特定配方组成的添加成分的均匀添加和融合。

公开(公告)号：CN103442825B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201280013618.0

申请日：2012-03-07

Applicant: 康萨克公司

Inventor： 格雷姆·A·基奥

IPC: B22D7/12 ,  B22D27/02 ,  B22D41/005

CPC classification number: F27B14/061 ,  B22D11/001 ,  B22D11/115 ,  B22D11/141 ,  B22D23/06 ,  B22D27/02 ,  C30B11/001 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06 ,  F27B14/10 ,  F27B14/14

Abstract: 一种用于电磁铸造过程中产生铸块的开底式电感应冷却坩埚，该开底式电感应冷却坩埚具有开槽式壁，该开槽式壁在围绕该坩埚的部分外部高度的一个或多个感应线圈下方延伸。在壁槽和底部连接构件的底部开口和底部终端附近的该坩埚的开槽式壁外围提供底部磁屏蔽。

公开(公告)号：CN106077535A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610556508.9

申请日：2016-07-14

Applicant: 深圳市烯世传奇科技有限公司

Inventor： 孙学栋 ,  姚永健

IPC: B22D11/00 ,  B22D11/11 ,  C30B11/00 ,  C30B11/06 ,  C30B29/52

CPC classification number: B22D11/004 ,  B22D11/005 ,  B22D11/11 ,  C30B11/001 ,  C30B11/06 ,  C30B29/52

Abstract: 本发明提供一种石墨烯改性单晶铜的方法。该石墨烯改性单晶铜的方法包括以下步骤：(1)在保护气氛下，将粗铜置于坩埚中加热熔化，得到铜液；(2)所述铜液引入到铸型中，加热、加入石墨烯粉体，搅拌；(3)在铸型的出口对铜液进行冷却、使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固，并连续牵引连铸，得到铜锭；(4)将所述铜锭经过热处理、冷拉，制得单晶铜线材。本发明制备的石墨烯改性单晶铜具有良好的导电性，且信号传输稳定和可靠，电阻率比单晶铜降低25％以上。

公开(公告)号：CN103180493B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180051012.1

申请日：2011-10-17

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 洪性完 ,  金荣率

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/002 ,  C30B11/001 ,  C30B15/02 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02628 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1056

Abstract: 本发明提供了利用溶液法制造碳化硅单晶的方法，包括将用于生长碳化硅的晶种基体与包括至少一种添加金属的Si-C合金溶液接触，并在生长碳化硅的晶种上生长碳化硅单晶，所述方法包括，随着反应的进行，当Si与添加金属的摩尔比低于最初设定的值时，将硅原料供给至合金溶液。当利用溶液生长法制造碳化硅单晶时，所述方法提高了晶体生长速度，维持该生长速度，并防止生长被动终止。

公开(公告)号：CN104169475A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380017179.5

申请日：2013-03-01

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 八木大地 ,  安部贵裕

IPC: C30B29/06 ,  C30B28/06 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC classification number: C30B28/10 ,  C30B11/001 ,  C30B11/065 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供适合于具有高转换效率的太阳能电池的多晶硅及其铸造方法。本发明的多晶硅的铸造方法如下：在室的感应线圈内配置轴方向的至少一部分在周方向被分割成几段、且内表面涂布有含氮脱模材料的无底的无底冷却坩埚，通过上述感应线圈的电磁感应加热将多晶硅的原料在上述无底冷却坩埚内熔融，再将所得的熔融硅冷却使其凝固，同时向下方牵拉，其中，上述凝固的熔融硅的牵拉是在将该熔融硅中的碳浓度调整至4.0×1017原子/cm3以上且6.0×1017原子/cm3以下、将氧浓度调整至0.3×1017原子/cm3以上且5.0×1017原子/cm3以下、并且将氮浓度调整至8.0×1013原子/cm3以上且1.0×1018原子/cm3以下来进行的。

公开(公告)号：CN102187474B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980141470.7

申请日：2009-10-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  菲德梨克·卡尔森 ,  法兰克·辛克莱

IPC: H01L31/042 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B11/003 ,  C30B11/001 ,  C30B28/06 ,  C30B29/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B29/403 ,  C30B29/64 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10S588/90 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1092

Abstract: 冷却一材料的熔化物且在此熔化物中形成此材料的板材。输送此板材，将此板材切割成至少一片段，再于冷却腔室中冷却此片段。此材料可为硅、硅及锗、镓、或氮化镓。冷却是为了避免对此片段造成应力或应变。在一实例中，此冷却腔室具有气体冷却。

公开(公告)号：CN103038167A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201080068565.3

申请日：2010-11-17

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 海老大辅 ,  吉原光夫

IPC: C01B33/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: B22D27/04 ,  C01B33/02 ,  C30B11/001 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明是能稳定地制造作为太阳能电池的基板材料所使用的多晶硅的装置，是具有无底冷却铸模（1）和加热用感应线圈（2），并将通过基于所述感应线圈的电磁感应加热进行熔融的硅降低到下方使其凝固的硅的电磁铸造装置，进而，是具有产生移行式等离子体电弧的等离子体焰炬且具备能与熔融硅（4）表面相向地构成的通过基于所述感应线圈的电磁感应进行发热的顶部加热器（3）的电磁铸造装置。本发明在并用等离子体加热制造作为太阳能电池的基板材料的高品质的多晶硅铸锭时，能在最终凝固位置不产生裂缝地稳定地进行制造。

公开(公告)号：CN102549200A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080037571.2

申请日：2010-08-20

Applicant: 皮拉股份公司 ,  TESYS有限公司 ,  硅太阳能电池公司

Inventor： S·白令戈夫 ,  V·奥尼先科 ,  A·斯库尔科夫 ,  Y·沙尔帕克 ,  S·波辛刚 ,  S·马切科 ,  A·舍甫丘克

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/06 ,  C30B11/04

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B11/001 ,  C30B11/003 ,  C30B11/006

Abstract: 一种通过感应方法生产多晶硅锭的方法，包括将硅原料装入到被电感器包围的冷坩埚的熔化室内，形成熔体表面，以及熔化，其中，装入硅原料的质量速率和锭的拉出速度，设定至可以使熔体表面位置在电感器的上平面下，但是不低于其高度的1/3，且熔体表面保持在相同水平。通过保持电感器供给输出参数之一在预定的范围内，使熔体表面位置保持在相同水平上。该工艺提供的铸造多晶硅锭适用于太阳能电池的制作，重要的是其生产效率提高，能量的消耗降低。

公开(公告)号：CN102534755A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110455221.4

申请日：2011-12-27

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 加藤英生 ,  吉村聡子 ,  二宮武士

IPC: C30B15/02

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B11/001 ,  C30B15/002 ,  C30B15/02 ,  Y10T117/1056

Abstract: 为了提供再装填原料多晶硅的方法，所述方法能够再装填大块多晶硅，同时防止坩埚被损坏、破裂以及限制所生长的锭的无位错率和质量的下降。当再装填多晶硅块时，首先引入缓冲层形成多晶硅块Sb，其为小尺寸多晶硅块S1或中尺寸多晶硅块S2。所述缓冲层形成多晶硅块Sb沉积在坩埚20中的硅熔体40的表面41上，并且形成缓冲层50。由于接下来将大尺寸多晶硅块S3引入到所述缓冲层50上，所述缓冲层50缓冲由于大尺寸多晶硅块S3落下而引起的冲击。

公开(公告)号：CN101532171B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200910002240.4

申请日：2009-01-13

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： L·阿尔特曼绍弗尔 ,  J·菲舍尔 ,  H·里曼 ,  W·v·阿蒙

IPC: C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  C30B13/08 ,  C30B13/20

CPC classification number: H05B6/10 ,  C30B11/001 ,  C30B11/003 ,  C30B13/20 ,  H05B6/36

Abstract: 本发明涉及感应加热线圈和在不具有出口管道的板上熔化由半导体材料组成的颗粒的方法。加热线圈包括一线圈体，该线圈体具有导流槽，还具有上下侧面，在线圈体区域内位于中心外侧具有颗粒通道开口，和载流区部，所述载流区部在线圈体的下侧中心突出，并通过网状物在下端导电的连接。