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公开(公告)号：CN117937404A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211253318.1
申请日：2022-10-13
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 本申请公开一种静电放电保护电路以及电子电路；其中所述静电放电保护电路，包括第一晶体管至第三晶体管以及一放电电路。第一晶体管的漏极耦接接合垫，且其源极耦接第一节点。第二晶体管的栅极耦接电源端、其漏极耦接第一晶体管的栅极、以及其源极耦接接地。第三晶体管的栅极耦接电源端、其漏极耦接第一节点、以及其源极耦接接地。放电电路耦接于接合垫与接地之间且受控第一节点上的驱动电压。当在接合垫上发生一静电放电事件时，放电电路根据驱动电压提供介于接合垫与接地之间的放电路径。
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公开(公告)号：CN110571271B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201810567981.6
申请日：2018-06-05
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明提出一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基底、阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一漏极区、一源极区以及一栅极区。基底具有一第一导电型。阱设置于基底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第二掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第一掺杂区与第二掺杂区在空间上彼此分隔。漏极区设置于阱之中，并具有第二导电型。源极区设置于阱之中，并具有第二导电型。栅极区设置于阱之中，并位于源极区与漏极区之间。栅极区具有第一导电型并重叠第一掺杂区。采用本发明方案可以有效提升结型场效应晶体管JFET的空乏能力及驱动电流，并降低JFET的通道截止电压。
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公开(公告)号：CN110634834B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201810658647.1
申请日：2018-06-25
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/06
摘要： 本发明提供了一种半导体结构，包括一基底、一第一井区、一场氧化层、一第一导线以及一第二导线。基底具有一第一导电型。第一井区形成在基底中，并具有一第二导电型。场氧化层设于第一井区上。第一导线形成在场氧化层上，并直接接触场氧化层。第二导线形成在场氧化层上，并直接接触场氧化层。第一及第二导线在空间上彼此分隔。
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公开(公告)号：CN112289844A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910671073.6
申请日：2019-07-24
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含半导体基底及设置于半导体基底内的第一阱，第一阱具有第一导电型态。上述半导体装置结构亦包含第一掺杂区，其镶入于第一阱内，具有与第一导电型态不同的第二导电型态。上述半导体装置结构更包含第二阱，其具有第二导电型态。此外，上述半导体装置结构包含第一金属电极及第二金属电极，第一金属电极设置于半导体基底的第一掺杂区上。第二金属电极设置于半导体基底的第二阱上。本发明提供了一种半导体装置结构，在电连接至高压端的区域设置阱取代浓度较大的掺杂区，能提升半导体装置结构作为静电保护装置的能力。
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公开(公告)号：CN110571271A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810567981.6
申请日：2018-06-05
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明提出一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基底、阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一漏极区、一源极区以及一栅极区。基底具有一第一导电型。阱设置于基底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第二掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第一掺杂区与第二掺杂区在空间上彼此分隔。漏极区设置于阱之中，并具有第二导电型。源极区设置于阱之中，并具有第二导电型。栅极区设置于阱之中，并位于源极区与漏极区之间。栅极区具有第一导电型并重叠第一掺杂区。采用本发明方案可以有效提升结型场效应晶体管JFET的空乏能力及驱动电流，并降低JFET的通道截止电压。
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公开(公告)号：CN106487220B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201510545990.1
申请日：2015-08-31
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
摘要： 一种切换式转换器，包括：上桥驱动器、上桥晶体管、下桥驱动器、下桥晶体管、电容以及主动式二极管。上桥驱动器接收自举节点的自举电压以及浮动参考节点的浮动参考电压，并产生上桥输出信号。上桥晶体管根据上桥输出信号，将输入电压提供至浮动参考节点。下桥驱动器产生下桥输出信号。下桥晶体管根据下桥输出信号，将浮动参考节点耦接至接地端。电容耦接于自举节点以及浮动参考节点之间。主动式二极管将供应电压提供至自举节点。当自举电压高于供应电压时，单向开关元件根据控制电压，将供应电压与自举节点隔离。
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公开(公告)号：CN104810398A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410043603.X
申请日：2014-01-29
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/0611 , H01L29/0684 , H01L29/08 , H01L29/7816
摘要： 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：半导体基底，具有第一导电型；外延结构，具有第一导电型；阱，具有第二导电型，其中第二导电型与第一导电型相反；漏极区及源极区；至少一组第一、第二及第三重掺杂区，形成于漏极区与源极区之间的阱内，其中第一、第二及第三重掺杂区由下而上依序邻接，且第二重掺杂区的掺杂浓度大于阱的掺杂浓度，第一及第三重掺杂区的掺杂浓度相似于阱的掺杂浓度，其中第二重掺杂区具有第一导电型，第一及第三重掺杂区具有第二导电型；以及栅极结构，设置于外延结构上。本发明能提供更多电流路径、更有效地分散电流以避免电流过于集中于漂移区的某一部分而造成元件损坏。
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公开(公告)号：CN109841669B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201711201454.5
申请日：2017-11-27
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
摘要： 本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括：本体区，位于基板中，具有第一导电类型；飘移区，位于基板中，具有与第一导电类型相反的第二导电类型；源极区，位于本体区中，具有第二导电类型；漏极区，位于飘移区中，具有第二导电类型；隔离区，位于源极区与漏极区之间的飘移区中；栅极，位于本体区与飘移区之上；源极场板，电连接源极区；漏极场板，电连接漏极区；及第一栅极板，电连接栅极，其中第一栅极板对应设置于栅极的上方，且第一栅极板与栅极在俯视图中的形状大抵相同。本发明能够在不需增加额外金属绕线面积的情形下，降低栅极电阻，并使元件均匀导通，可缩短开关的关闭时间，减少切换耗损。
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公开(公告)号：CN109216453B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201710535726.9
申请日：2017-07-04
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种高压半导体装置。此装置包括一外延层形成于一半导体基底上。半导体基底内包括具有第一导电型的一第一掺杂区，且外延层内包括具有第二导电型的一基体区以及具有第一导电型的一第二掺杂区及一第三掺杂区。第二掺杂区及第三掺杂区分别位于基体区两相对侧。一源极区及一漏极区分别位于基体区及第二掺杂区内，且一栅极结构位于外延层上。源极区下方且邻近于基体区底部处包括具有第二导电型的一第四掺杂区。第四掺杂区的掺杂浓度大于基体区的掺杂浓度。本发明亦提供上述高压半导体装置的制造方法。本发明可降低或消除基体效应而避免驱动电流随着施加于源极区的电压的增加而下降，进而提升或维持高压半导体装置的效能。
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公开(公告)号：CN113345881A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010098557.9
申请日：2020-02-18
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/778 , H01L29/20
摘要： 一种控制电路，应用于一特定器件中，特定器件具有三五族半导体材料，并包括一控制电极、一第一电极以及一第二电极，控制电路包括一第一晶体管以及一静电放电保护电路，第一晶体管耦接于第一及第二电极之间，并具有三五族半导体材料，静电放电保护电路耦接控制电极、第一晶体管及第二电极，当一静电放电事件发生时，静电放电保护电路提供一放电路径，用以将一静电放电电流由控制电极释放至第二电极。
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