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公开(公告)号：CN109841669A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711201454.5
申请日：2017-11-27
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
摘要： 本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括：本体区，位于基板中，具有第一导电类型；飘移区，位于基板中，具有与第一导电类型相反的第二导电类型；源极区，位于本体区中，具有第二导电类型；漏极区，位于飘移区中，具有第二导电类型；隔离区，位于源极区与漏极区之间的飘移区中；栅极，位于本体区与飘移区之上；源极场板，电连接源极区；漏极场板，电连接漏极区；及第一栅极板，电连接栅极，其中第一栅极板对应设置于栅极的上方，且第一栅极板与栅极在俯视图中的形状大抵相同。本发明能够在不需增加额外金属绕线面积的情形下，降低栅极电阻，并使元件均匀导通，可缩短开关的关闭时间，减少切换耗损。
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公开(公告)号：CN109037178A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201710438574.0
申请日：2017-06-12
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
摘要： 本发明提出了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括一基底、一第一阱、一第一掺杂区、一第二阱、一第二掺杂区、一场氧化层、一第一导电层、一第一绝缘层以及一第二导电层。基底具有一第一导电型。第一阱形成在基底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区形成在第一阱之中，并具有第二导电型。第二阱形成在基底之中，并具有第一导电型。第二掺杂区形成在第二阱之中，并具有第一导电型。场氧化层设于基底上，并位于第一与第二掺杂区之间。第一导电层重叠场氧化层。第一绝缘层重叠第一导电层。第二导电层重叠第一绝缘层。
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公开(公告)号：CN108807512B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201710310685.3
申请日：2017-05-05
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提出一种半导体装置及其形成方法，其中半导体装置包含具有第一导电类型的半导体基底，以及设置于半导体基底内的第一阱，其中第一阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。半导体装置也包含设置于半导体基底内和第一阱下的埋置层，其中埋置层具有第一导电类型且接触第一阱。半导体装置更包含设置于半导体基底上的源极电极、漏极电极和栅极结构，其中栅极结构位于源极电极和漏极电极之间。
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公开(公告)号：CN107146814B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201610114910.1
申请日：2016-03-01
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种高压半导体装置。此装置包括具有一第一导电型的一半导体基底。具有一第二导电型的一第一掺杂区，位于半导体基底内。一外延层形成于半导体基底上。具有第一导电型的一基体区，位于第一掺杂区上的外延层内。具有第二导电型及相同掺杂浓度的一第二掺杂区及一第三掺杂区，分别位于基体区两相对侧的外延层内而邻接基体区。一源极区及一漏极区分别位于基体区及第二掺杂区内。一栅极结构位于外延层上，且局部覆盖位于源极区及漏极区之间的场绝缘层。本发明亦提供上述高压半导体装置的制造方法。本发明可降低或消除基体效应，提升或维持该装置的性能，可使该装置具有稳定的峰值电场，并且不需额外的制造成本。
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公开(公告)号：CN108878513A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201710320448.5
申请日：2017-05-09
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/36 , H01L21/337 , H01L29/80
摘要： 本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，其半导体装置包括一半导体基底、一第一阱、一第二阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区以及一第四掺杂区。半导体基底具有一第一导电型。第一阱形成于半导体基底中，并具有一第二导电型。第一阱具有一第一区域以及一第二区域。第一区域的掺杂浓度高于第二区域的掺杂浓度。第二阱具有第一导电型，并形成于第一区域之中。第一掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。第二导电型不同于第一导电型。第二掺杂区具有第一导电型，并形成于第二阱之中。第三掺杂区具有第一导电型，并形成于第二区域之中。第四掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。
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公开(公告)号：CN110571271B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201810567981.6
申请日：2018-06-05
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明提出一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基底、阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一漏极区、一源极区以及一栅极区。基底具有一第一导电型。阱设置于基底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第二掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第一掺杂区与第二掺杂区在空间上彼此分隔。漏极区设置于阱之中，并具有第二导电型。源极区设置于阱之中，并具有第二导电型。栅极区设置于阱之中，并位于源极区与漏极区之间。栅极区具有第一导电型并重叠第一掺杂区。采用本发明方案可以有效提升结型场效应晶体管JFET的空乏能力及驱动电流，并降低JFET的通道截止电压。
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公开(公告)号：CN110634834B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201810658647.1
申请日：2018-06-25
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/06
摘要： 本发明提供了一种半导体结构，包括一基底、一第一井区、一场氧化层、一第一导线以及一第二导线。基底具有一第一导电型。第一井区形成在基底中，并具有一第二导电型。场氧化层设于第一井区上。第一导线形成在场氧化层上，并直接接触场氧化层。第二导线形成在场氧化层上，并直接接触场氧化层。第一及第二导线在空间上彼此分隔。
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公开(公告)号：CN110571271A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810567981.6
申请日：2018-06-05
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明提出一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基底、阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一漏极区、一源极区以及一栅极区。基底具有一第一导电型。阱设置于基底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第二掺杂区设置于阱之中，并具有第一导电型。第一掺杂区与第二掺杂区在空间上彼此分隔。漏极区设置于阱之中，并具有第二导电型。源极区设置于阱之中，并具有第二导电型。栅极区设置于阱之中，并位于源极区与漏极区之间。栅极区具有第一导电型并重叠第一掺杂区。采用本发明方案可以有效提升结型场效应晶体管JFET的空乏能力及驱动电流，并降低JFET的通道截止电压。
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公开(公告)号：CN113948573A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010692681.8
申请日：2020-07-17
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
摘要： 高压半导体器件及其形成方法，所述高压半导体器件包括基底，栅极结构、漏极、第一绝缘结构、以及漏极掺杂区。栅极结构设置在基底上。漏极则设置于基底内，并位于栅极结构的一侧。第一绝缘结构设置于基底上，位于栅极结构的下方且部分重叠于栅极结构。漏极掺杂区设置于基底内，位在漏极与第一绝缘结构下方并且具有不连续的一底面。
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公开(公告)号：CN108878513B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201710320448.5
申请日：2017-05-09
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/36 , H01L21/337 , H01L29/80
摘要： 本发明提出了一种半导体装置及其制造方法，其半导体装置包括一半导体基底、一第一阱、一第二阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区以及一第四掺杂区。半导体基底具有一第一导电型。第一阱形成于半导体基底中，并具有一第二导电型。第一阱具有一第一区域以及一第二区域。第一区域的掺杂浓度高于第二区域的掺杂浓度。第二阱具有第一导电型，并形成于第一区域之中。第一掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。第二导电型不同于第一导电型。第二掺杂区具有第一导电型，并形成于第二阱之中。第三掺杂区具有第一导电型，并形成于第二区域之中。第四掺杂区具有第二导电型，并形成于第一区域之中。
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