半导体发光元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN111656542B

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN201980010196.3

    申请日:2019-04-23

    发明人: 吉英运 全水根

    摘要: 本公开涉及半导体发光元件,基板;第一半导体层,其设置在基板上,具有第一导电性;有源层,其设置在第一半导体层上,通过电子和空穴的再结合而生成紫外线;第二半导体层,其设置在有源层上,具有与第一导电性不同的第二导电性;第一电极,其与第一半导体层电连接;第二电极,其与第二半导体层电连接;第二区域,其具备多个突出部以及设置在多个突出部之间的槽部,多个突出部在截面观察时从第一半导体层突出,并且包括有源层和第二半导体层;以及第一区域,其以包围第二区域的方式形成。

    半导体发光元件及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111656542A

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN201980010196.3

    申请日:2019-04-23

    发明人: 吉英运 全水根

    摘要: 本公开涉及半导体发光元件,基板;第一半导体层,其设置在基板上,具有第一导电性;有源层,其设置在第一半导体层上,通过电子和空穴的再结合而生成紫外线;第二半导体层,其设置在有源层上,具有与第一导电性不同的第二导电性;第一电极,其与第一半导体层电连接;第二电极,其与第二半导体层电连接;第二区域,其具备多个突出部以及设置在多个突出部之间的槽部,多个突出部在截面观察时从第一半导体层突出,并且包括有源层和第二半导体层;以及第一区域,其以包围第二区域的方式形成。