超低剥离强度的离型膜
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114667329B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202080078371.5

    申请日:2020-01-06

    发明人: 张民怄 尹宗郁

    摘要: 本发明涉及超低剥离强度的离型膜,并且更具体地涉及这样的超低剥离强度的离型膜:通过使用在与聚硅氧烷反应方面低的聚酯粘结剂树脂和含唑啉基团的树脂,实现良好的对基底的粘附性和耐溶剂性,并且使离型区域的在高温下随时间的变化最小化。

    抗静电有机硅离型涂覆膜

    公开(公告)号:CN101421104B

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN200780013037.6

    申请日:2007-09-05

    IPC分类号: B32B27/16

    摘要: 本发明涉及一种抗静电有机硅离型膜,其具有以抗静电有机硅离型组合物涂覆的层且用于半导体、电子和显示装置,同时解决了当普通离型膜与粘合剂或粘合剂层分离时产生的静电问题以及由这种引起严重产品缺陷的静电造成的污染问题。本发明还涉及一种抗静电有机硅离型膜,其可减少在将所述膜从粘合剂或粘合剂层剥离时由静电所导致的产品污染,并且由于在固化离型层时没有阻碍而获得基底与涂覆的层之间的紧密粘合,且也由此具有稳定的离型性能。

    超低剥离强度的离型膜
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114667329B9

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202080078371.5

    申请日:2020-01-06

    发明人: 张民怄 尹宗郁

    摘要: 本发明涉及超低剥离强度的离型膜,并且更具体地涉及这样的超低剥离强度的离型膜:通过使用在与聚硅氧烷反应方面低的聚酯粘结剂树脂和含唑啉基团的树脂,实现良好的对基底的粘附性和耐溶剂性,并且使离型区域的在高温下随时间的变化最小化。

    双面抗静电有机硅离型膜
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117120569A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202180097051.9

    申请日:2021-10-14

    IPC分类号: C09J7/40

    摘要: 本发明涉及双面抗静电有机硅离型膜,其中,由于优异的抗静电功能,因此当与粘合剂剥离时不会出现由于静电而引起的问题,以及由于固化层与基底之间的优异粘合性和固化层的高交联度,因此不存在物理特性根据时间推移、温度和湿度随时间而变化,并且离型特性稳定。

    含有氟基团的离型膜
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112601791B

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN201980055353.2

    申请日:2019-08-19

    发明人: 尹宗郁 禹惠美

    摘要: 本发明涉及含有氟基团的离型膜。本发明可以提供这样的含有氟基团的离型膜,所述含有氟基团的离型膜由于改善的涂层特性而具有优异的可剥离性,其离型层的优异的外观特性,可以减少在涂覆期间发生的缺陷(例如针孔)的数量,并且可以提高产品的成本效益。

    超低剥离强度的离型膜
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114667329A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202080078371.5

    申请日:2020-01-06

    发明人: 张民怄 尹宗郁

    摘要: 本发明涉及超低剥离强度的离型膜,并且更具体地涉及这样的超低剥离强度的离型膜:通过使用在与聚硅氧烷反应方面低的聚酯粘结剂树脂和含唑啉基团的树脂,实现良好的对基底的粘附性和耐溶剂性,并且使离型区域的在高温下随时间的变化最小化。

    含有氟基团的离型膜
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112601791A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201980055353.2

    申请日:2019-08-19

    发明人: 尹宗郁 禹惠美

    摘要: 本发明涉及含有氟基团的离型膜。本发明可以提供这样的含有氟基团的离型膜,所述含有氟基团的离型膜由于改善的涂层特性而具有优异的可剥离性,其离型层的优异的外观特性,可以减少在涂覆期间发生的缺陷(例如针孔)的数量,并且可以提高产品的成本效益。