抗静电有机硅离型膜
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111716832B

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202010013793.6

    申请日:2020-01-07

    摘要: 本发明提供了抗静电有机硅离型膜,其中当该膜从粘合剂上被除去时提供了优异的抗静电特性而不产生静电副作用,获得了固化层与基底之间的优异粘附,并且固化层具有高的交联度,从而实现了稳定的离型特性。本发明的抗静电有机硅离型膜包括:基底膜;和至少设置在基底膜的一个表面上的抗静电有机硅离型组合物的固化层,其中固化层包括抗静电区域和有机硅离型区域,在抗静电区域中表现出有机硅离型特性的硅离子与表现出抗静电特性的硫化物离子之间的强度比(Si‑/S‑)小于1,在有机硅离型区域中所述强度比大于10。

    双面抗静电有机硅离型膜
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117120569A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202180097051.9

    申请日:2021-10-14

    IPC分类号: C09J7/40

    摘要: 本发明涉及双面抗静电有机硅离型膜,其中,由于优异的抗静电功能,因此当与粘合剂剥离时不会出现由于静电而引起的问题,以及由于固化层与基底之间的优异粘合性和固化层的高交联度,因此不存在物理特性根据时间推移、温度和湿度随时间而变化,并且离型特性稳定。

    抗静电有机硅离型膜
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111716832A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010013793.6

    申请日:2020-01-07

    摘要: 本发明提供了抗静电有机硅离型膜,其中当该膜从粘合剂上被除去时提供了优异的抗静电特性而不产生静电副作用,获得了固化层与基底之间的优异粘附,并且固化层具有高的交联度,从而实现了稳定的离型特性。本发明的抗静电有机硅离型膜包括:基底膜;和至少设置在基底膜的一个表面上的抗静电有机硅离型组合物的固化层,其中固化层包括抗静电区域和有机硅离型区域,在抗静电区域中表现出有机硅离型特性的硅离子与表现出抗静电特性的硫化物离子之间的强度比(Si-/S-)小于1,在有机硅离型区域中所述强度比大于10。