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公开(公告)号:CN111630637B
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN201980009009.X
申请日:2019-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B05C11/00 , B05C11/10 , G03F7/30 , H01L21/027 , B05C11/08
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置,即使在不向基板照射可见光的状况下也能够探测基板的液处理有无异常。基板处理装置具备处理室(20)、基板保持部、处理液供给部(40)、红外线摄像机(60)以及控制部。基板保持部设置于处理室(20)内,对基板(W)进行保持。处理液供给部(40)向保持于基板保持部的基板(W)供给处理液(L)。红外线摄像机获取处理室(20)内的红外线图像。控制部基于红外线图像至少对处理液(L)的状态进行探测,并对异常的有无进行监视。
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公开(公告)号:CN117836908A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202280056923.1
申请日:2022-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/306
Abstract: 一种基板处理方法,用于处理基板,所述基板处理方法包括:对所述基板的表面进行磨削;向磨削后的所述基板的表面供给蚀刻液,来蚀刻该表面;以及向蚀刻后的所述基板的表面供给清洗液,来去除附着于该表面的金属。另外,一种基板处理系统,用于处理基板,所述基板处理系统具有:磨削部,其对所述基板的表面进行磨削;蚀刻液供给部,其向磨削后的所述基板的表面供给蚀刻液,来蚀刻该表面;以及清洗液供给部,其向蚀刻后的所述基板的表面供给清洗液,来去除附着于该表面的金属。
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公开(公告)号:CN117501415A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202280042497.6
申请日:2022-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
Abstract: 一种基板处理方法,对基板进行处理,所述基板处理方法包括对基板的一个面供给至少包含氢氟酸和硝酸的蚀刻液,来对该一个面进行蚀刻,所述一个面的蚀刻包括:将隔着所述基板的旋转中心设定于往复运动的两端部的折返地点之间的距离即扫描宽度、以及使蚀刻液供给部往复运动的扫描速度决定为使第一时间比第二时间短的条件,所述第一时间是在该蚀刻液供给部通过所述旋转中心后直到在所述往复运动的端部折返并再次通过所述旋转中心为止的时间,所述第二时间是直到供给到所述旋转中心的所述蚀刻液由于伴随所述基板的旋转产生的离心力而被排出到所述基板的外周部为止的时间;以及以所决定的所述扫描宽度和所述扫描速度对所述一个面进行蚀刻。
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公开(公告)号:CN112103209A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202010511151.9
申请日:2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 冈村尚幸
Abstract: 本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括处理液供给步骤、两种液体供给步骤、第1移动步骤和第2移动步骤。处理液供给步骤,向基片供给处理液。两种液体供给步骤,在处理液供给步骤之后,一边向基片供给处理液,一边还向基片供给挥发性比处理液高的干燥用液体。第1移动步骤,在两种液体供给步骤中,使处理液的排出位置向基片的外周部移动。第2移动步骤,在第1移动步骤之后,且从开始向基片供给干燥用液体起经过了预先设定的时间之后,使干燥用液体的排出位置向基片的外周部移动。根据本发明,能够降低附着于基片的颗粒的量。
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公开(公告)号:CN117836911A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202280056879.4
申请日:2022-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
Abstract: 一种基板处理方法,用于处理基板,所述基板处理方法包括:向所述基板的表面供给包含氢氟酸和磷酸的蚀刻液,来蚀刻该表面;回收蚀刻后的所述蚀刻液;测定蚀刻后的所述基板的厚度分布;以及基于所测定出的所述厚度分布,针对在蚀刻后回收到的所述蚀刻液至少选择氢氟酸或磷酸进行添加,来调整该蚀刻液的组成比率。
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公开(公告)号:CN111630637A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201980009009.X
申请日:2019-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B05C11/00 , B05C11/10 , G03F7/30 , H01L21/027 , B05C11/08
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置,即使在不向基板照射可见光的状况下也能够探测基板的液处理有无异常。基板处理装置具备处理室(20)、基板保持部、处理液供给部(40)、红外线摄像机(60)以及控制部。基板保持部设置于处理室(20)内,对基板(W)进行保持。处理液供给部(40)向保持于基板保持部的基板(W)供给处理液(L)。红外线摄像机获取处理室(20)内的红外线图像。控制部基于红外线图像至少对处理液(L)的状态进行探测,并对异常的有无进行监视。
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