公开(公告)号：CN118103956A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068972.7

申请日：2022-10-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂口庆介 ,  丸本洋

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

Abstract: 基板处理方法包括以下工序：决定最优蚀刻条件；以及基于最优蚀刻条件向基板的蚀刻对象的表面供给蚀刻液，来对该表面进行蚀刻，其中，决定最优蚀刻条件包括：获取在以多个不同的蚀刻条件蚀刻了蚀刻对象的表面时的、该蚀刻对象的径向上的蚀刻指标分布；使用优化方法，以将与多个蚀刻条件对应的蚀刻指标分布叠加而蚀刻对象的表面的形状成为目标形状的方式将用于叠加的蚀刻指标分布与对该蚀刻指标分布进行叠加的次数的组合进行优化；以及将与优化后的组合对应的蚀刻条件整合来决定最优蚀刻条件。

公开(公告)号：CN114674234A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111517217.6

申请日：2021-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂口庆介 ,  田所真任 ,  柴和宏 ,  榎本正志

IPC: G01B11/06 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明提供能够基于来自基片的反射光高精度地推算膜厚的膜厚推算方法、存储介质和膜厚推算装置。本发明的一个方面的膜厚推算方法包括：在使基片旋转以使得在正面上形成处理液的膜的旋转期间，向与基片的正面重叠的部位照射光的步骤；通过接收反射光来获取表示在旋转期间中反射光的强度随时间的变化的信号波形的步骤，其中，该反射光是由在基片的正面反射后经由处理液的膜出射的光和在处理液的膜的外表面反射的光合成的；根据信号波形中的、旋转期间内的规定的测量时间点与在测量时间点以前信号波形满足规定条件的时间点之间的波形，获取特征量的步骤；以及基于获取到的特征量，计算测量时间点处的处理液的膜的厚度的步骤。

公开(公告)号：CN119137711A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380037482.5

申请日：2023-05-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂口庆介 ,  早川晋

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

Abstract: 一种基板处理方法，用于对基板进行处理，该基板处理方法包括：对所述基板的一个面进行磨削来形成所述一个面的中心部相对于外周部凹陷的凹部；对磨削后的所述基板的厚度进行测定来获取该基板的厚度分布；基于所述厚度分布来计算使对所述一个面进行蚀刻时的蚀刻量偏差分布最优化的最优蚀刻条件；以及基于所述最优蚀刻条件，从蚀刻液供给部向磨削后的所述基板的所述一个面供给蚀刻液来对该一个面进行蚀刻。

公开(公告)号：CN117836911A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280056879.4

申请日：2022-08-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 乌野崇 ,  冈村尚幸 ,  松木胜文 ,  坂口庆介

IPC: H01L21/306

Abstract: 一种基板处理方法，用于处理基板，所述基板处理方法包括：向所述基板的表面供给包含氢氟酸和磷酸的蚀刻液，来蚀刻该表面；回收蚀刻后的所述蚀刻液；测定蚀刻后的所述基板的厚度分布；以及基于所测定出的所述厚度分布，针对在蚀刻后回收到的所述蚀刻液至少选择氢氟酸或磷酸进行添加，来调整该蚀刻液的组成比率。

公开(公告)号：CN116913803A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310378218.X

申请日：2023-04-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂口庆介 ,  丸本洋

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，在对多个基板一并地进行蚀刻的技术中，提高蚀刻处理的均匀性。本公开的一个方式的基板处理装置具备处理槽、流速调整部以及控制部。处理槽用于使多个基板浸在处理液中来对该多个基板进行蚀刻处理。流速调整部调整处理槽内的处理液的多个部位的流速。控制部控制各部。另外，控制部具有获取部和调整部。获取部获取处理槽内的处理液的多个部位的流速与基板的多个部位的蚀刻量进行了对应的信息。调整部基于由获取部获取到的信息来调整处理槽内的处理液的多个部位的流速。