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公开(公告)号：CN111383936B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201911381483.3
申请日：2019-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 坂上贵志
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种能够在带芯片组的基板的芯片组的减薄过程中测定芯片组的厚度的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有：保持部，其保持带芯片组的基板，该带芯片组的基板具有基板和包括多个芯片的芯片组，多个所述芯片以彼此隔开间隔的方式分别与所述基板的接合面接合；加工部，其将被所述保持部经由所述基板保持的所述芯片组减薄；测定部，在所述芯片组的减薄过程中，所述测定部向所述基板的所述接合面的露出部分照射光并接收由所述露出部分反射的光，并且向被实施将所述芯片组减薄的加工的加工面照射光并接收由所述芯片组的所述加工面反射的光，由此测定所述芯片组的厚度；以及控制部，其基于所述测定部的结果来控制所述加工部。
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公开(公告)号：CN111480216A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880080171.6
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B7/04 , B24B9/00
Abstract: 用于处理基板的基板处理系统具有：第1周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；第2周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具，在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后，将该周缘部进一步磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小。
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公开(公告)号：CN118322002A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410561778.3
申请日：2021-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 坂上贵志
Abstract: 本公开涉及一种加工方法以及加工装置。加工方法是加工装置中的基板的加工方法，所述方法包括：在第一磨削部中对所述基板实施第一磨削处理；在第二磨削部中对所述基板实施第二磨削处理；在所述第一磨削部中对所述基板实施第一再次磨削处理；以及在所述第二磨削部中对所述基板实施第二再次磨削处理，所述基板在所述第二再次磨削处理中被精磨削为最终精磨削厚度。
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公开(公告)号：CN118176566A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280069361.4
申请日：2022-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置具备：膜形成部，其在具有与预定被进行薄化的第一基板接合的接合面以及朝向与所述接合面的朝向相反的非接合面的第二基板的所述非接合面形成膜；以及控制部，其控制所述膜形成部。所述控制部进行以下控制：基于所述第二基板的厚度分布，来在所述非接合面的一部分形成所述膜，或者在所述非接合面的一部分相比于在其它一部分而言较厚地形成所述膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115066314A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180013896.5
申请日：2021-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 坂上贵志
IPC: B24B7/00 , B24B49/02 , H01L21/304
Abstract: 一种加工方法，是加工装置中的基板的加工方法，所述方法包括：在第一磨削部中对所述基板实施第一磨削处理；在第二磨削部中对所述基板实施第二磨削处理；在所述第一磨削部中对所述基板实施第一再次磨削处理；以及在所述第二磨削部中对所述基板实施第二再次磨削处理，所述基板在所述第二再次磨削处理中被精磨削为最终精磨削厚度。
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公开(公告)号：CN119252757A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410827877.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种剥离装置、剥离系统以及剥离方法。剥离装置具备：切入部，其将锋利构件插入第一基板与第二基板接合而成的重合基板的侧面中的位于剥离的最开始的起点侧的位置的侧面来进行切入；第一保持部，其对第一基板进行吸附保持，包括对第一基板的外周部中的位于剥离的最开始的起点侧的位置的外周部的周缘进行吸附的起点侧吸附部和使起点侧吸附部升降起点侧升降机构；第二保持部，其对第二基板进行吸附保持；探测部，其探测起点侧吸附部对第一基板的吸附；以及控制部。在切入处理中，控制切入部来在重合基板的侧面中的位于剥离的最开始的起点侧的位置的侧面进行切入。在吸附处理中，控制起点侧升降机构来使起点侧吸附部下降并吸附于第一基板。
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公开(公告)号：CN115066314B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202180013896.5
申请日：2021-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 坂上贵志
IPC: B24B7/00 , B24B49/02 , H01L21/304
Abstract: 一种加工方法，是加工装置中的基板的加工方法，所述方法包括：在第一磨削部中对所述基板实施第一磨削处理；在第二磨削部中对所述基板实施第二磨削处理；在所述第一磨削部中对所述基板实施第一再次磨削处理；以及在所述第二磨削部中对所述基板实施第二再次磨削处理，所述基板在所述第二再次磨削处理中被精磨削为最终精磨削厚度。
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公开(公告)号：CN111480216B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201880080171.6
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B7/04 , B24B9/00
Abstract: 用于处理基板的基板处理系统具有：第1周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第1磨具，将所述周缘部磨削至第1深度地去除；第2周缘去除部，其具备与所述基板的周缘部抵接的第2磨具，在利用所述第1周缘去除部去除所述周缘部之后，将该周缘部进一步磨削至比所述第1深度深的第2深度地去除，所述第2磨具所具备的磨粒的粒度比所述第1磨具所具备的磨粒的粒度小。
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公开(公告)号：CN111383936A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911381483.3
申请日：2019-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 坂上贵志
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种能够在带芯片组的基板的芯片组的减薄过程中测定芯片组的厚度的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有：保持部，其保持带芯片组的基板，该带芯片组的基板具有基板和包括多个芯片的芯片组，多个所述芯片以彼此隔开间隔的方式分别与所述基板的接合面接合；加工部，其将被所述保持部经由所述基板保持的所述芯片组减薄；测定部，在所述芯片组的减薄过程中，所述测定部向所述基板的所述接合面的露出部分照射光并接收由所述露出部分反射的光，并且向被实施将所述芯片组减薄的加工的加工面照射光并接收由所述芯片组的所述加工面反射的光，由此测定所述芯片组的厚度；以及控制部，其基于所述测定部的结果来控制所述加工部。
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