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公开(公告)号：CN118176566A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280069361.4
申请日：2022-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置具备：膜形成部，其在具有与预定被进行薄化的第一基板接合的接合面以及朝向与所述接合面的朝向相反的非接合面的第二基板的所述非接合面形成膜；以及控制部，其控制所述膜形成部。所述控制部进行以下控制：基于所述第二基板的厚度分布，来在所述非接合面的一部分形成所述膜，或者在所述非接合面的一部分相比于在其它一部分而言较厚地形成所述膜。
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公开(公告)号：CN116711054A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202280010039.4
申请日：2022-01-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板加工方法包括以下的(A)～(C)。在(A)中，准备基板，该基板具有第一主表面以及与所述第一主表面朝向相反的第二主表面，并且所述第一主表面和所述第二主表面分别具有波纹。在(B)中，基于所述基板的所述第一主表面和所述第二主表面中的一面的波纹的测定结果来对所述一面照射激光光线，以使所述一面平坦化。在(C)中，在使所述基板的所述一面平坦化之后，对所述基板的与所述一面朝向相反的相反面进行磨削，以使所述相反面平坦化。
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公开(公告)号：CN118786516A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380024025.2
申请日：2023-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/50 , H01L21/677
Abstract: 芯片贴合装置相对于在主表面具有多个第1器件的器件基板贴合具有与所述第1器件电连接的第2器件的芯片。所述芯片贴合装置具备第1载体保持部、基板保持部、拾取部以及安装部。所述第1载体保持部保持在表面具有多个对所述芯片进行静电吸附的吸附部的芯片载体。所述基板保持部保持所述器件基板。所述拾取部将所述芯片从由所述第1载体保持部保持的所述芯片载体分离。所述安装部将由所述拾取部自所述芯片载体分离出的所述芯片安装于由所述基板保持部保持的所述器件基板。
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公开(公告)号：CN118696404A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202280089335.8
申请日：2022-01-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 基板处理装置具备基板清洗部、芯片清洗部、芯片贴合部、搬送区域、第一基板搬送臂以及第一框架搬送臂。所述基板清洗部对基板进行清洗。所述芯片清洗部在多个芯片借助带安装于框架的状态下对多个所述芯片进行清洗。所述芯片贴合部对所述基板的主面的不同的贴合区域贴合多个所述芯片。所述搬送区域与所述基板清洗部、所述芯片清洗部以及所述芯片贴合部邻接。所述第一基板搬送臂在所述搬送区域中保持所述基板并搬送所述基板。所述第一框架搬送臂在所述搬送区域中保持所述框架并将多个所述芯片同所述框架一起搬送。所述第一基板搬送臂将所述基板从所述基板清洗部搬送到所述芯片贴合部，所述第一框架搬送臂将多个所述芯片同所述框架一起从所述芯片清洗部搬送到所述芯片贴合部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119256388A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380042527.8
申请日：2023-04-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , B23K26/57 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 一种基板处理系统，对基板进行处理，所述基板处理系统具备：基板保持部，其具有用于保持所述基板的保持面；驱动机构，其使所述基板保持部在水平方向上移动；旋转机构，其使所述基板保持部旋转；激光照射部，其对被保持于所述保持面的所述基板照射激光束，来形成作为该基板的分离的基点的分离面；以及探测机构，其用于探测被保持于所述基板保持部的所述基板中以所述分离面为基点的分离。
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公开(公告)号：CN118215992A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280074613.2
申请日：2022-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/673 , H01L21/02 , H01L21/60 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 一种处理系统，对芯片进行处理，该处理系统具有芯片配置装置，所述芯片配置装置对所述芯片进行拾取并将所述芯片排列配置于第一静电承载件的吸附面上，所述芯片配置装置具备：配置用承载件保持部，其保持所述第一静电承载件；以及电力供给部，其对被保持于所述配置用承载件保持部的所述第一静电承载件施加电压。
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公开(公告)号：CN115461195A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180029625.9
申请日：2021-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 更换装置对在加工装置中使用的加工工具进行更换。所述加工装置包括：保持部，其用于保持处理体；加工机构，其以能够更换的方式安装对在所述保持部保持的所述处理体进行加工的加工工具；以及外罩，其容纳所述保持部和所述加工机构。所述更换装置包括更换机构、移动机构、行进台以及行进机构。所述更换机构向所述加工机构安装所述加工工具，或者从所述加工机构拆除所述加工工具。所述移动机构使所述更换机构经由所述外罩的进入口从所述外罩的外部向内部移动。所述行进台支承所述移动机构。所述行进机构使所述行进台行进。
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公开(公告)号：CN119137711A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380037482.5
申请日：2023-05-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 一种基板处理方法，用于对基板进行处理，该基板处理方法包括：对所述基板的一个面进行磨削来形成所述一个面的中心部相对于外周部凹陷的凹部；对磨削后的所述基板的厚度进行测定来获取该基板的厚度分布；基于所述厚度分布来计算使对所述一个面进行蚀刻时的蚀刻量偏差分布最优化的最优蚀刻条件；以及基于所述最优蚀刻条件，从蚀刻液供给部向磨削后的所述基板的所述一个面供给蚀刻液来对该一个面进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN118251752A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280076289.8
申请日：2022-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/677
Abstract: 一种基板处理方法，其对基板进行处理，其中，该基板处理方法包括以下步骤：对所述基板的第1面进行磨削；以及在对所述第1面进行了磨削之后，对所述基板的与所述第1面相反的一侧的第2面进行磨削，在磨削所述第1面时，形成有自该第1面的中心部朝向外周部弯曲地延伸的第1磨削痕，在磨削所述第2面时，形成有自该第2面的中心部朝向外周部弯曲地延伸的第2磨削痕，在从一个面透视时，所述第1磨削痕的弯曲方向与所述第2磨削痕的弯曲方向相反。
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