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公开(公告)号：CN115066735A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202080095949.8
申请日：2020-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体加工方法包括：在第一源功率(SP)脉冲持续时间内向SP耦合元件提供第一SP脉冲，以在加工室中生成等离子体；在与该第一SP脉冲持续时间重叠的高频偏置功率(HBP)脉冲持续时间内向设置在该加工室中的衬底固持器提供HBP脉冲；以及在不与该第一SP脉冲持续时间重叠的第一低频偏置功率(LBP)脉冲持续时间内向该衬底固持器提供第一LBP脉冲。该HBP脉冲包括大于800kHz的HBP脉冲频率。该第一LBP脉冲包括小于约800kHz的LBP脉冲频率。
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公开(公告)号：CN112424904B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201980045152.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体加工系统包括真空室、第一耦合电极、布置在该真空室中的衬底固持器、第二耦合电极以及控制器。该衬底固持器被配置为支撑衬底。该第一耦合电极被配置为提供用于在该真空室中生成等离子体的功率。该第一耦合电极被进一步配置为将源功率脉冲耦合到该等离子体。该第二耦合电极被配置为将偏置功率脉冲耦合到该衬底。该控制器被配置为控制这些源功率脉冲这些偏置功率脉冲之间的第一偏移持续时间。
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公开(公告)号：CN114207766A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080055216.1
申请日：2020-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体加工方法包括执行反应性物质控制阶段、执行离子/自由基控制阶段以及执行副产物控制阶段。反应性物质控制阶段包括以脉冲方式向加工室施加源功率以在等离子体中生成离子和自由基。在反应性物质控制阶段之后执行离子/自由基控制阶段。离子/自由基控制阶段包括降低到加工室的源功率并且以脉冲方式向加工室中的衬底施加偏置功率。在离子/自由基控制阶段之后执行副产物控制阶段。副产物控制阶段包括相对于反应性物质控制阶段降低到加工室的源功率并且相对于离子/自由基控制阶段降低到衬底的偏置功率。
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公开(公告)号：CN112424904A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980045152.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体加工系统包括真空室、第一耦合电极、布置在该真空室中的衬底固持器、第二耦合电极以及控制器。该衬底固持器被配置为支撑衬底。该第一耦合电极被配置为提供用于在该真空室中生成等离子体的功率。该第一耦合电极被进一步配置为将源功率脉冲耦合到该等离子体。该第二耦合电极被配置为将偏置功率脉冲耦合到该衬底。该控制器被配置为控制这些源功率脉冲这些偏置功率脉冲之间的第一偏移持续时间。
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