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公开(公告)号：CN116829762A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202180063927.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/30
Abstract: 一种氮化方法，该方法包括在低于约400℃的温度下在加工室内原位循环进行以下步骤：在加工室中处理衬底的非反应性表面，以通过将非反应性表面暴露于能量通量而将非反应性表面转化为反应性表面，以及使用氮基气体使反应性表面氮化，以将反应性表面转化成包括后续非反应性表面的氮化物层。
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公开(公告)号：CN111357077A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074291.5
申请日：2018-09-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 描述了一种用于使用等离子体来处理衬底的系统和方法。该系统包括：衬底固持器，该衬底固持器设置在等离子体加工系统内并且被布置成支撑衬底；第一信号发生器，该第一信号发生器用于以第一频率将第一信号耦合到该等离子体加工系统中的等离子体；以及第二信号发生器，该第二信号发生器用于以第二频率将第二信号耦合到该等离子体加工系统中的等离子体，其中，该第二频率小于该第一频率。该系统进一步包括：振幅调制电路，该振幅调制电路用于响应于振幅调制信号而在高振幅状态与低振幅状态之间调制该第一信号；以及定时电路，该定时电路被配置为限定该振幅调制信号以使该第一信号的振幅调制与该第二信号的每个周期内的目标相位同步。
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公开(公告)号：CN119487609A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380051422.9
申请日：2023-07-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体系统包括等离子体装置，该等离子体装置包括：等离子体室；基座，该基座被配置为在该室中固持衬底；以及射频(RF)电极，该RF电极被配置为在该室中激发等离子体；电磁(EM)电路块，该EM电路块耦合到该RF电极，该EM电路块包括：函数发生器，该函数发生器被配置为输出宽带RF波形，该波形的EM功率分布在一定频率范围内；宽带放大器，该宽带放大器耦合到该函数发生器的输出端，该放大器的工作频率范围包括该频率范围；以及宽带阻抗匹配网络，该宽带阻抗匹配网络具有耦合到该宽带放大器的输出端的输入端以及耦合到该RF电极的端子的输出端，该宽带阻抗匹配网络的工作频率范围包括该频率范围；以及控制器，该控制器被配置为调整该EM电路块的输入参数。
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公开(公告)号：CN117280440A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202280034067.X
申请日：2022-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述了用于控制脉冲等离子体的系统和方法的各种实施例。可以基于从(多个)测量装置接收到的测量数据来控制等离子体发生源的脉冲时序参数(例如，脉冲开启时间和/或脉冲关闭时间)，以在等离子体工艺室内动态控制的脉冲序列期间控制衬底的等离子体暴露。另外或可替代地，可以基于从(多个)测量装置接收到的测量数据将脉冲时序参数(例如，脉冲开启时间和/或脉冲关闭时间)应用于源功率、偏置功率和/或这两者，以控制衬底的等离子体暴露。脉冲时序改变可以以前馈或反馈方式进行。
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公开(公告)号：CN112424904A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980045152.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体加工系统包括真空室、第一耦合电极、布置在该真空室中的衬底固持器、第二耦合电极以及控制器。该衬底固持器被配置为支撑衬底。该第一耦合电极被配置为提供用于在该真空室中生成等离子体的功率。该第一耦合电极被进一步配置为将源功率脉冲耦合到该等离子体。该第二耦合电极被配置为将偏置功率脉冲耦合到该衬底。该控制器被配置为控制这些源功率脉冲这些偏置功率脉冲之间的第一偏移持续时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112385015A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980046209.2
申请日：2019-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/3213 , G03F7/20
Abstract: 提供了一种方法，其中使用包含钌的硬掩膜材料。钌提供了一种硬掩膜材料，该材料对典型地用于处理衬底图案化层的许多等离子体化学过程具有抗蚀刻性，这些层包括例如像氮化物、氧化物、抗反射涂层(ARC)材料等的层。此外，可以通过不去除氮化物、氧化物、ARC材料等的等离子体化学过程去除钌。例如，可以通过使用氧(O2)等离子体容易地去除钌。此外，钌可以沉积为在氧化物和氮化物上的10nm级平坦薄膜，并且可以沉积为平坦层。
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公开(公告)号：CN112154528B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980029558.3
申请日：2019-05-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明描述了与自由基源相关的技术，该自由基源具有壳体，该壳体包括等离子体腔，该等离子体腔被设计为容纳由等离子体发生器产生的等离子体。该壳体具有至少一个气体喷射器，该至少一个气体喷射器被设计为将工艺气体喷射到该等离子体中。该等离子体由喷射到该等离子体中的气体产生自由基。该腔中形成有出口或开口，该出口或开口将这些自由基从该腔中喷出。所喷出的自由基可以被引导向自由基源下面的主体晶片衬底。提交了本摘要，应理解，本摘要将不会用于解释或限制权利要求的范围或含义。
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公开(公告)号：CN117999629A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280061195.3
申请日：2022-08-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于等离子体加工的方法包括：在等离子体加工室中维持等离子体，该等离子体加工室包括第一射频(RF)电极和第二RF电极，其中，维持该等离子体包括：将RF源信号耦合到该第一RF电极；以及将偏置信号耦合在该第一RF电极与该第二RF电极之间，该偏置信号具有双极DC(B‑DC)波形，该B‑DC波形包括多个B‑DC脉冲，这些B‑DC脉冲中的每一个包括：负偏置持续时间，在此期间该脉冲相对于参考电势具有负极性；正偏置持续时间，在此期间该脉冲相对于该参考电势具有正极性；以及中性偏置持续时间，在此期间该脉冲相对于该参考电势具有中性极性。
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公开(公告)号：CN115066735A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202080095949.8
申请日：2020-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体加工方法包括：在第一源功率(SP)脉冲持续时间内向SP耦合元件提供第一SP脉冲，以在加工室中生成等离子体；在与该第一SP脉冲持续时间重叠的高频偏置功率(HBP)脉冲持续时间内向设置在该加工室中的衬底固持器提供HBP脉冲；以及在不与该第一SP脉冲持续时间重叠的第一低频偏置功率(LBP)脉冲持续时间内向该衬底固持器提供第一LBP脉冲。该HBP脉冲包括大于800kHz的HBP脉冲频率。该第一LBP脉冲包括小于约800kHz的LBP脉冲频率。
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公开(公告)号：CN112154528A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201980029558.3
申请日：2019-05-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明描述了与自由基源相关的技术，该自由基源具有壳体，该壳体包括等离子体腔，该等离子体腔被设计为容纳由等离子体发生器产生的等离子体。该壳体具有至少一个气体喷射器，该至少一个气体喷射器被设计为将工艺气体喷射到该等离子体中。该等离子体由喷射到该等离子体中的气体产生自由基。该腔中形成有出口或开口，该出口或开口将这些自由基从该腔中喷出。所喷出的自由基可以被引导向自由基源下面的主体晶片衬底。提交了本摘要，应理解，本摘要将不会用于解释或限制权利要求的范围或含义。
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