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公开(公告)号：CN104425242B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410426160.2
申请日：2014-08-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31144
摘要： 本发明提供半导体器件的制造方法，其维持被蚀刻层相对于掩模的蚀刻的选择比且抑制形成于被蚀刻层的空间的方向变化。在半导体器件的制造方法(MT)中，包括：(a)将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到处理容器(12)内，激发该第一气体的工序(ST2)；和(b)将含有氧气和稀有气体的第二气体供给到处理容器(12)内，激发该第二气体的工序(ST3)，进行分别包含激发第一气体的工序(ST2)和激发第二气体的工序(ST3)的多个循环。
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公开(公告)号：CN109427534B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810995793.3
申请日：2018-08-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/687
摘要： 本发明的目的在于提供一种容易进行被处理体从静电卡盘的脱离的脱离控制方法和等离子体处理装置。使被静电吸附于静电卡盘的被处理体脱离的脱离控制方法具有以下工序：在利用支承机构升起所述被处理体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使被处理体脱离。
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公开(公告)号：CN107068557B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201710069319.3
申请日：2014-08-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01J37/32
摘要： 本发明提供半导体器件的制造方法，其维持被蚀刻层相对于掩模的蚀刻的选择比且抑制形成于被蚀刻层的空间的方向变化。在半导体器件的制造方法(MT)中，包括：(a)将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到处理容器(12)内，激发该第一气体的工序(ST2)；和(b)将含有氧气和稀有气体的第二气体供给到处理容器(12)内，激发该第二气体的工序(ST3)，进行分别包含激发第一气体的工序(ST2)和激发第二气体的工序(ST3)的多个循环。
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公开(公告)号：CN109148349A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810618819.2
申请日：2018-06-15
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L21/6833
摘要： 本发明的目的在于提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对设置在上述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在上述第二步骤之后，进行停止施加上述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低上述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在上述第三步骤之后，停止施加上述直流电压。由此，无需提高直流电压的功率，就能够提高静电吸盘的吸附力。
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公开(公告)号：CN104425242A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410426160.2
申请日：2014-08-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31144
摘要： 本发明提供半导体器件的制造方法，其维持被蚀刻层相对于掩模的蚀刻的选择比且抑制形成于被蚀刻层的空间的方向变化。在半导体器件的制造方法(MT)中，包括：(a)将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到处理容器(12)内，激发该第一气体的工序(ST2)；和(b)将含有氧气和稀有气体的第二气体供给到处理容器(12)内，激发该第二气体的工序(ST3)，进行分别包含激发第一气体的工序(ST2)和激发第二气体的工序(ST3)的多个循环。
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公开(公告)号：CN109148349B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810618819.2
申请日：2018-06-15
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明的目的在于提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对设置在上述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在上述第二步骤之后，进行停止施加上述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低上述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在上述第三步骤之后，停止施加上述直流电压。由此，无需提高直流电压的功率，就能够提高静电吸盘的吸附力。
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公开(公告)号：CN109427534A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810995793.3
申请日：2018-08-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/687
摘要： 本发明的目的在于提供一种容易进行被处理体从静电卡盘的脱离的脱离控制方法和等离子体处理装置。使被静电吸附于静电卡盘的被处理体脱离的脱离控制方法具有以下工序：在利用支承机构升起所述被处理体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使被处理体脱离。
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公开(公告)号：CN107068557A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710069319.3
申请日：2014-08-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01J37/32
摘要： 本发明提供半导体器件的制造方法，其维持被蚀刻层相对于掩模的蚀刻的选择比且抑制形成于被蚀刻层的空间的方向变化。在半导体器件的制造方法(MT)中，包括：(a)将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到处理容器(12)内，激发该第一气体的工序(ST2)；和(b)将含有氧气和稀有气体的第二气体供给到处理容器(12)内，激发该第二气体的工序(ST3)，进行分别包含激发第一气体的工序(ST2)和激发第二气体的工序(ST3)的多个循环。
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