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公开(公告)号：CN104885349B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201380068716.9
申请日：2013-11-01
申请人： 先进能源工业公司
CPC分类号： H01J37/32064 , H01J37/32027 , H01J37/32055 , H01J37/34 , H05H1/46 , H05H1/48 , H05H2001/4682
摘要： 本公开描述了一种非耗能缓冲器电路，所述非耗能缓冲器电路被配置为在负载的阻抗快速地上升之后升高施加到所述负载的电压。电压升高从而能够在由所述负载的阻抗上升导致的到所述负载的电力递送的降低之后引起更加快速的电流斜坡变化。尤其地，缓冲器能够包括单向开关、电压倍增器、以及电流限制器的组合。在一些情况下，这些部件能够分别是二极管、电压两倍器、以及电感器。
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公开(公告)号：CN107801289A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710769779.7
申请日：2017-08-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01L21/67103 , H01J37/32027 , H01J37/32119 , H01J37/32174 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种对被加工物的离子能量的控制性优异的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置包括：腔室主体；等离子体捕获机构；载置台；等离子体源；和电势调节部。腔室主体提供其内部空间作为腔室。等离子体捕获机构设置成将腔室分为第一空间和第二空间。载置台设置在第二空间。等离子体源构成为使供给到第一空间的气体激发。电势调节部具有电极。该电极设置在腔室主体的外侧，与在第一空间生成的等离子体电容耦合。电势调节部构成为调节在第一空间生成的等离子体的电势。
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公开(公告)号：CN104425242B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410426160.2
申请日：2014-08-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31144
摘要： 本发明提供半导体器件的制造方法，其维持被蚀刻层相对于掩模的蚀刻的选择比且抑制形成于被蚀刻层的空间的方向变化。在半导体器件的制造方法(MT)中，包括：(a)将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到处理容器(12)内，激发该第一气体的工序(ST2)；和(b)将含有氧气和稀有气体的第二气体供给到处理容器(12)内，激发该第二气体的工序(ST3)，进行分别包含激发第一气体的工序(ST2)和激发第二气体的工序(ST3)的多个循环。
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公开(公告)号：CN105990088A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610168860.5
申请日：2016-03-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32174 , H01J37/32577 , H01J37/32027 , H01J2237/334
摘要： 本发明的电源系统、等离子体处理装置和电源控制方法能够抑制电子相对伴随向下部电极的高频电力的供给在被处理体上产生的等离子体鞘的弹回而导致的上部电极侧的放电。电源系统包括：对用于载置被处理体的下部电极供给等离子体生成用的高频电力的高频电源；直流电源，对与下部电极相对地配置的上部电极供给负的第一直流电压或绝对值比第一直流电压的绝对值大的负的第二直流电压；控制部，执行电源控制处理，交替地反复供给高频电力和停止供给，在供给高频电力期间中的、自高频电力的供给开始时起的第一期间停止供给第一直流电压和第二直流电压，并在该期间中的除第一期间外的第二期间供给第一直流电压，在停止高频电力的供给期间供给第二直流电压。
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公开(公告)号：CN102280339B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201110157803.4
申请日：2011-06-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32568 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32577
摘要： 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，该基板处理装置能够防止上部电极消耗且能提高处理空间中的等离子体的密度分布的控制性。基板处理装置包括：基座，其与第1高频电源相连接且用于载置晶圆；上部电极板，其与该基座相对地配置；处理空间，其位于基座与上部电极板之间，该基板处理装置利用等离子体对晶圆实施等离子蚀刻处理，基板处理装置具有覆盖上部电极板中的与处理空间面对的部分的电介质板，上部电极板被分割成与晶圆的中央部相对的内侧电极和与晶圆的周缘部相对的外侧电极，内侧电极与外侧电极彼此电绝缘，自第2可变直流电源对内侧电极施加正的直流电压，并且使外侧电极接地。
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公开(公告)号：CN104604337B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201280075694.4
申请日：2012-09-07
申请人： 株式会社京三制作所
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H02M3/33507 , H02M3/337 , H02M2001/007 , H05H7/001 , H05H2001/4682
摘要： 在点火模式中，通过进行间歇短路控制，使短路电流流过电流型降压斩波部。将短路电流的能量先积蓄在电流型降压斩波部具备的电感器中。积蓄的能量经由到下次短路为止的期间的电流、多相逆变器以及整流部，对直流电源装置的输出电压进行升压。通过基于短路的电流能量的积蓄和重复基于导通的输出电压的升压的升压动作，进行用于提高向等离子体发生装置施加的输出电压的控制。
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公开(公告)号：CN105229199A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480025540.3
申请日：2014-05-01
申请人： 路特斯应用技术有限责任公司 , 凸版印刷有限公司
发明人： 艾瑞克·R·迪基
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/45548 , C23C16/45555 , C23C16/545 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32403 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/3277
摘要： 用于在柔性基片(102)上沉积薄膜的系统(100)，包括由分隔带(110)分隔开的多个处理区(104，106，108)，等离子体发生器(130)用于在通道近侧产生等离子体区(132)，基片沿通道移动；当系统运行时，用于引导基片在处理区之间来回移动的基片传输装置(128)将基片运输到并暴露在等离子体区。
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公开(公告)号：CN104604070A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201280075647.X
申请日：2012-09-05
申请人： 株式会社京三制作所
IPC分类号： H02J1/00
CPC分类号： H02M3/33507 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01T1/02 , H01T15/00 , H02J1/00 , H02M1/36 , H02M3/156 , H02M7/5387 , H02M2001/007 , H02M2001/325 , H05H1/46 , H05H1/48 , H05H2001/4682
摘要： 通过使重新启动时的脉冲控制信号的相位与停止时的脉冲控制信号的相同一致，抑制重新启动时的逆变器的各相的输出电压变动以及向负载的供给电压的变动。在将直流电力供给给等离子体发生装置时，当在等离子体发生装置中发生了电弧放电时，停止直流电力的供给来降低电极或基板的损伤，并且，在电弧放电消弧时，重新开始直流电力的供给。在直流输出的停止/重新开始中，在停止时保持流过斩波部的电流来作为循环电流，在重新启动逆变器部时，通过将该循环电流供给给负载，来降低直流输出重新开始时的向负载的直流电力的供给延迟。
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公开(公告)号：CN102243978B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110132325.1
申请日：2008-02-19
申请人： 因特瓦克公司
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/3444
摘要： 一种用于同时为多个溅射源供电的装置。电源耦合到电荷累计器。所述电荷累计器经由开关装置耦合到几个溅射源。每一个开关装置的占空比用来单独控制传输到每一个溅射源的功率。在另一个装置中，电源耦合到阻抗匹配电路。所述阻抗匹配电路经由几个平衡元件耦合到几个溅射源。操作每一个平衡元件以单独控制传输到所述溅射源的功率。
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公开(公告)号：CN102280339A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110157803.4
申请日：2011-06-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32568 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32577
摘要： 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，该基板处理装置能够防止上部电极消耗且能提高处理空间中的等离子体的密度分布的控制性。基板处理装置包括：基座，其与第1高频电源相连接且用于载置晶圆；上部电极板，其与该基座相对地配置；处理空间，其位于基座与上部电极板之间，该基板处理装置利用等离子体对晶圆实施等离子蚀刻处理，基板处理装置具有覆盖上部电极板中的与处理空间面对的部分的电介质板，上部电极板被分割成与晶圆的中央部相对的内侧电极和与晶圆的周缘部相对的外侧电极，内侧电极与外侧电极彼此电绝缘，自第2可变直流电源对内侧电极施加正的直流电压，并且使外侧电极接地。
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