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公开(公告)号：CN110010465B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811574685.5
申请日：2018-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种去除方法和处理方法。一种去除方法，其是选择性地去除在处理容器内的基板上形成的多个凹部内的多种金属氧化膜的方法，其中，该去除方法包括反复多次进行如下工序的内容：使所述多种金属氧化膜暴露于BCl3气体或导入BCl3气体而生成的等离子体的工序；使BCl3气体的导入停止而进行吹扫的工序；使所述多种金属氧化膜暴露于导入非活性气体而生成的等离子体的工序；以及使非活性气体的导入停止而进行吹扫的工序，在使所述多种金属氧化膜暴露于所述等离子体的工序中，使所述多种金属氧化膜暴露于由单一气体生成的至少1个的不同的等离子体。
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