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公开(公告)号：CN114600232A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080064711.9
申请日：2020-09-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 尤凯鸿 , 约迪·格热希科维亚克 , 尼古拉斯·乔伊 , 杰弗里·史密斯
IPC: H01L21/768 , H01L21/74 , H01L21/8238 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/535
Abstract: 金属化的方法包括接收在其中形成有凹陷的衬底。该凹陷具有底部和侧壁，并且在凹陷的底部和侧壁上沉积共形衬里。从凹陷的上部去除共形衬里，以露出凹陷的上侧壁，同时留下凹陷的下部中的共形衬里，从而覆盖凹陷的底部和下侧壁。在凹陷的下部中沉积金属以形成金属化特征，该金属化特征包括在凹陷的下部中的共形衬里和金属。
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公开(公告)号：CN112805818A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980066266.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上；以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
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公开(公告)号：CN107836034B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201680040035.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 尤凯鸿 , 赫里特·J·勒斯因克 , 考利·瓦吉达 , 石坂忠大 , 袴田隆宏
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/16 , C23C16/455 , C23C16/46
Abstract: 提供了一种用于至少部分地填充基底中的特征部的方法。该方法包括提供包括特征部的基底，沉积钌(Ru)金属层以至少部分地填充所述特征部，和热处理所述基底以使所述特征部中的Ru金属层回流。
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公开(公告)号：CN111699550A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201980012407.7
申请日：2019-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 杰弗里·史密斯 , 安东·J·德维莱尔 , 塔皮利·N·坎达巴拉 , 约迪·格热希科维亚克 , 尤凯鸿
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/768
Abstract: 披露了一种半导体器件，该半导体器件包括多个第一源极/漏极和在第一源极/漏极上方形成的多个第一源极/漏极(S/D)触点。该器件还包括多个第一电介质盖。该多个第一电介质盖中的每一个均定位在相应的第一S/D触点上方以覆盖该相应的第一S/D触点的顶部部分和多个侧部部分的至少一部分。该器件还包括多个第二源极/漏极和多个第二S/D触点，该多个第二源极/漏极和多个第二S/D触点在该多个第一S/D触点上方交错布置以形成阶梯构型。多个第二电介质盖在该多个第二S/D触点上方形成。该多个第二电介质盖中的每一个均定位在相应的第二S/D触点上方以覆盖该相应的第二S/D触点的顶部部分和多个侧部部分的至少一部分。
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公开(公告)号：CN110010465B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811574685.5
申请日：2018-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种去除方法和处理方法。一种去除方法，其是选择性地去除在处理容器内的基板上形成的多个凹部内的多种金属氧化膜的方法，其中，该去除方法包括反复多次进行如下工序的内容：使所述多种金属氧化膜暴露于BCl3气体或导入BCl3气体而生成的等离子体的工序；使BCl3气体的导入停止而进行吹扫的工序；使所述多种金属氧化膜暴露于导入非活性气体而生成的等离子体的工序；以及使非活性气体的导入停止而进行吹扫的工序，在使所述多种金属氧化膜暴露于所述等离子体的工序中，使所述多种金属氧化膜暴露于由单一气体生成的至少1个的不同的等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110010465A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811574685.5
申请日：2018-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种去除方法和处理方法。一种去除方法，其是选择性地去除在处理容器内的基板上形成的多个凹部内的多种金属氧化膜的方法，其中，该去除方法包括反复多次进行如下工序的内容：使所述多种金属氧化膜暴露于BCl3气体或导入BCl3气体而生成的等离子体的工序；使BCl3气体的导入停止而进行吹扫的工序；使所述多种金属氧化膜暴露于导入非活性气体而生成的等离子体的工序；以及使非活性气体的导入停止而进行吹扫的工序，在使所述多种金属氧化膜暴露于所述等离子体的工序中，使所述多种金属氧化膜暴露于由单一气体生成的至少1个的不同的等离子体。
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公开(公告)号：CN112805818B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980066266.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上；以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
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公开(公告)号：CN117751443A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202280032255.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/311
Abstract: 一种方法包括：提供衬底，该衬底包括沿该衬底的表面交替布置的金属栅极叠层和源极/漏极接触区，这些源极/漏极接触区中的每一个凹陷在相邻的金属栅极叠层之间的相应开口内，使得这些源极/漏极接触区提供该开口的底部并且相邻的金属栅极叠层提供侧壁，并且该衬底包括电介质，该电介质覆盖衬底使得该电介质填充每个开口。将该衬底暴露于初始等离子体蚀刻工艺，以从每个开口向下移除该电介质的第一部分至第一深度，并且在该衬底上形成牺牲栅极覆盖层，同时保持这些开口中的每一个不被覆盖。将该衬底暴露于另一等离子体蚀刻工艺，以移除该牺牲栅极覆盖层，同时从每个开口向下移除该电介质的第二部分至第二深度。
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公开(公告)号：CN111699550B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201980012407.7
申请日：2019-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 杰弗里·史密斯 , 安东·J·德维莱尔 , 塔皮利·N·坎达巴拉 , 约迪·格热希科维亚克 , 尤凯鸿
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/768
Abstract: 披露了一种半导体器件，该半导体器件包括多个第一源极/漏极和在第一源极/漏极上方形成的多个第一源极/漏极(S/D)触点。该器件还包括多个第一电介质盖。该多个第一电介质盖中的每一个均定位在相应的第一S/D触点上方以覆盖该相应的第一S/D触点的顶部部分和多个侧部部分的至少一部分。该器件还包括多个第二源极/漏极和多个第二S/D触点，该多个第二源极/漏极和多个第二S/D触点在该多个第一S/D触点上方交错布置以形成阶梯构型。多个第二电介质盖在该多个第二S/D触点上方形成。该多个第二电介质盖中的每一个均定位在相应的第二S/D触点上方以覆盖该相应的第二S/D触点的顶部部分和多个侧部部分的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107836034A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680040035.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 尤凯鸿 , 赫里特·J·勒斯因克 , 考利·瓦吉达 , 石坂忠大 , 袴田隆宏
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/16 , C23C16/455 , C23C16/46
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76876 , H01L21/76879 , H01L21/76882 , H01L23/53242
Abstract: 提供了一种用于至少部分地填充基底中的特征部的方法。该方法包括提供包括特征部的基底，沉积钌(Ru)金属层以至少部分地填充所述特征部，和热处理所述基底以使所述特征部中的Ru金属层回流。
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