公开(公告)号：CN110346056B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201910217576.6

申请日：2019-03-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  望月隆 ,  板谷刚司

IPC: G01K1/14 ,  G01K7/02

Abstract: 本发明提供一种能够在利用热电偶测量线状加热器的温度之际抑制线状加热器的输出的偏差的热电偶固定治具。将热电偶固定于线状加热器的热电偶固定治具具有以夹着线状加热器的方式设置的第1构件和第2构件，第2构件具有夹持热电偶的温度检测部的第1夹持部和第2夹持部。

公开(公告)号：CN110473782B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201910309894.5

申请日：2019-04-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂本雅人 ,  石坂忠大 ,  板谷刚司

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供能够提高异种氧化膜间的蚀刻选择比的技术。本发明的蚀刻方法具备吸附工序和蚀刻工序。在吸附工序中，将包含BCl3气体的处理气体和H2气供给至配置有作为蚀刻对象的被处理体的处理空间，在停止H2气的供给的同时，对处理空间施加规定频率的电力，从而在处理空间产生等离子体，使被处理体吸附基于处理气体的吸附物。在蚀刻工序中，在处理空间产生惰性气体的等离子体而将吸附物活化，从而对被处理体进行蚀刻。

公开(公告)号：CN110346056A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910217576.6

申请日：2019-03-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  望月隆 ,  板谷刚司

IPC: G01K1/14 ,  G01K7/02

Abstract: 本发明提供一种能够在利用热电偶测量线状加热器的温度之际抑制线状加热器的输出的偏差的热电偶固定治具。将热电偶固定于线状加热器的热电偶固定治具具有以夹着线状加热器的方式设置的第1构件和第2构件，第2构件具有夹持热电偶的温度检测部的第1夹持部和第2夹持部。

公开(公告)号：CN110010465B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811574685.5

申请日：2018-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 板谷刚司 ,  石坂忠大 ,  康达巴拉塔皮里 ,  尤凯鸿 ,  朴玩哉

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种去除方法和处理方法。一种去除方法，其是选择性地去除在处理容器内的基板上形成的多个凹部内的多种金属氧化膜的方法，其中，该去除方法包括反复多次进行如下工序的内容：使所述多种金属氧化膜暴露于BCl3气体或导入BCl3气体而生成的等离子体的工序；使BCl3气体的导入停止而进行吹扫的工序；使所述多种金属氧化膜暴露于导入非活性气体而生成的等离子体的工序；以及使非活性气体的导入停止而进行吹扫的工序，在使所述多种金属氧化膜暴露于所述等离子体的工序中，使所述多种金属氧化膜暴露于由单一气体生成的至少1个的不同的等离子体。

公开(公告)号：CN110473782A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910309894.5

申请日：2019-04-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂本雅人 ,  石坂忠大 ,  板谷刚司

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供能够提高异种氧化膜间的蚀刻选择比的技术。本发明的蚀刻方法具备吸附工序和蚀刻工序。在吸附工序中，将包含BCl3气体的处理气体和H2气供给至配置有作为蚀刻对象的被处理体的处理空间，在停止H2气的供给的同时，对处理空间施加规定频率的电力，从而在处理空间产生等离子体，使被处理体吸附基于处理气体的吸附物。在蚀刻工序中，在处理空间产生惰性气体的等离子体而将吸附物活化，从而对被处理体进行蚀刻。

公开(公告)号：CN110010465A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811574685.5

申请日：2018-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 板谷刚司 ,  石坂忠大 ,  康达巴拉 ,  塔皮里 ,  尤凯鸿 ,  朴玩哉

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种去除方法和处理方法。一种去除方法，其是选择性地去除在处理容器内的基板上形成的多个凹部内的多种金属氧化膜的方法，其中，该去除方法包括反复多次进行如下工序的内容：使所述多种金属氧化膜暴露于BCl3气体或导入BCl3气体而生成的等离子体的工序；使BCl3气体的导入停止而进行吹扫的工序；使所述多种金属氧化膜暴露于导入非活性气体而生成的等离子体的工序；以及使非活性气体的导入停止而进行吹扫的工序，在使所述多种金属氧化膜暴露于所述等离子体的工序中，使所述多种金属氧化膜暴露于由单一气体生成的至少1个的不同的等离子体。