公开(公告)号：CN101681870B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200880015806.0

申请日：2008-03-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 拉达·桑达拉拉珍 ,  陈立 ,  麦里特·法克

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68714

Abstract: 本发明控制处理过程中沿着衬底控制径向或非径向温度分布，来补偿非均匀的影响，其包括由系统或处理引起的多种非均匀性。通过沿着晶片支撑卡盘(衬底支撑台20、20a)上不同的区域以不同的方式流出背部气体来控制温度，优选动态的控制，以改变沿着晶片的热传导。对支撑台(20、20a)中的多个气体端口(26、26a)进行分组，并且通过不同的阀(32)分别控制流入或流出各组的气体，阀对应于控制器(35)，控制器控制每个区域的气体压强以空间的并且优选动态的控制晶片温度，以补偿系统和处理的非均匀性。通过分别动态控制阀(32)，通过在不同的气体端口(26、26a)处分别控制背部气体压强来改变晶片变形，以控制施加到衬底背部的局部力，阀改变流向气体端口(26、26a)和环绕气体端口(26、26a)的气体端口(26、26a)的气流。

公开(公告)号：CN101681870A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880015806.0

申请日：2008-03-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 拉达·桑达拉拉珍 ,  陈立 ,  麦里特·法克

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68714

Abstract: 本发明控制处理过程中沿着衬底控制径向或非径向温度分布，来补偿非均匀的影响，其包括由系统或处理引起的多种非均匀性。通过沿着晶片支撑卡盘(衬底支撑台20、20a)上不同的区域以不同的方式流出背部气体来控制温度，优选动态的控制，以改变沿着晶片的热传导。对支撑台(20、20a)中的多个气体端口(26、26a)进行分组，并且通过不同的阀(32)分别控制流入或流出各组的气体，阀对应于控制器(35)，控制器控制每个区域的气体压强以空间的并且优选动态的控制晶片温度，以补偿系统和处理的非均匀性。通过分别动态控制阀(32)，通过在不同的气体端口(26、26a)处分别控制背部气体压强来改变晶片变形，以控制施加到衬底背部的局部力，阀改变流向气体端口(26、26a)和环绕气体端口(26、26a)的气体端口(26、26a)的气流。