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公开(公告)号：CN103890899A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280047707.7
申请日：2012-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32247 , H01J37/32256 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供了多个等离子体调谐杆子系统。该等离子体调谐杆子系统可以包括一个或更多个微波腔，该微波腔被配置成通过在等离子体内和/或与等离子体邻近的一个或更多个等离子体调谐杆中产生谐振微波能量，来将期望的电磁（EM）波模式的EM能量耦合到等离子体。一个或更多个微波腔组件可以耦合到处理室，并且可以包括一个或更多个调谐空间/腔。每个调谐空间/腔可以具有与其耦合的一个或更多个等离子体调谐杆。一些等离子体调谐杆可以被配置成将EM能量从一个或更多个谐振腔耦合到处理室内的处理空间，由此在处理空间内产生均匀的等离子体。
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公开(公告)号：CN102804933A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180014211.5
申请日：2011-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H3/00
CPC classification number: H01L21/32139 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/28123
Abstract: 本发明可提供利用可切换准中性束系统实时处理衬底以改善光致抗蚀层的抗蚀刻性的装置和方法。此外，经修改的光致抗蚀层可用于蚀刻工序中以更准确地控制栅极和/或间隔区临界尺寸（CD）、控制栅极和/或间隔区CD均一性并且消除线边缘粗糙（LER）和线宽度粗糙（LWR）。
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公开(公告)号：CN101809715B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200880109229.1
申请日：2008-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32422 , H01J37/32357 , H01J37/3447
Abstract: 描述了一种用于制造负电荷等离子体的处理系统，其中，制造了具有负电荷离子的静止等离子体。该处理系统包括用于利用第一处理气体产生等离子体的第一室区域，以及通过分离构件与第一室区域分离的第二室区域。来自第一区域中的等离子体的电子被传输至第二区域以通过与第二处理气体碰撞而形成静止等离子体。利用耦合至第二室区域的压力控制系统来控制第二室区域中的压力，以使来自第一室区域的电子与第二处理气体发生碰撞猝灭以形成较少的高能电子，该高能电子产生具有负电荷离子的静止等离子体。
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公开(公告)号：CN101681870B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200880015806.0
申请日：2008-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/68735 , C23C16/4586 , C23C16/466 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/68714
Abstract: 本发明控制处理过程中沿着衬底控制径向或非径向温度分布，来补偿非均匀的影响，其包括由系统或处理引起的多种非均匀性。通过沿着晶片支撑卡盘(衬底支撑台20、20a)上不同的区域以不同的方式流出背部气体来控制温度，优选动态的控制，以改变沿着晶片的热传导。对支撑台(20、20a)中的多个气体端口(26、26a)进行分组，并且通过不同的阀(32)分别控制流入或流出各组的气体，阀对应于控制器(35)，控制器控制每个区域的气体压强以空间的并且优选动态的控制晶片温度，以补偿系统和处理的非均匀性。通过分别动态控制阀(32)，通过在不同的气体端口(26、26a)处分别控制背部气体压强来改变晶片变形，以控制施加到衬底背部的局部力，阀改变流向气体端口(26、26a)和环绕气体端口(26、26a)的气体端口(26、26a)的气流。
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公开(公告)号：CN101809715A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109229.1
申请日：2008-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/32422 , H01J37/32357 , H01J37/3447
Abstract: 描述了一种用于制造负电荷等离子体的处理系统，其中，制造了具有负电荷离子的静止等离子体。该处理系统包括用于利用第一处理气体产生等离子体的第一室区域，以及通过分离构件与第一室区域分离的第二室区域。来自第一区域中的等离子体的电子被传输至第二区域以通过与第二处理气体碰撞而形成静止等离子体。利用耦合至第二室区域的压力控制系统来控制第二室区域中的压力，以使来自第一室区域的电子与第二处理气体发生碰撞猝灭以形成较少的高能电子，该高能电子产生具有负电荷离子的静止等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102804933B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180014211.5
申请日：2011-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H3/00
CPC classification number: H01L21/32139 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/28123
Abstract: 本发明可提供利用可切换准中性束系统实时处理衬底以改善光致抗蚀层的抗蚀刻性的装置和方法。此外，经修改的光致抗蚀层可用于蚀刻工序中以更准确地控制栅极和/或间隔区临界尺寸（CD）、控制栅极和/或间隔区CD均一性并且消除线边缘粗糙（LER）和线宽度粗糙（LWR）。
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公开(公告)号：CN103534780A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023721.3
申请日：2012-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J49/04
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J49/488 , H05H1/0081 , Y10T29/49002
Abstract: 一种离子能量分析仪（74，122，174），用于确定等离子体（66）的离子能量分布，并且包括进入栅网（80，126，160）、选择栅网（82，134，134’）和离子收集器（84，136，136’）。进入栅网（80，126，160）包括尺寸小于等离子体（66）的德拜长度的第一多个开口。离子收集器（84，136，136’）经由第一电压源（182）耦合到进入栅网（80，126，160）。选择栅网（82，134，134’）位于进入栅网（80，126，160）与离子收集器（84，136，136’）之间并且经由第二电压源（180）耦合到进入栅网（80，126，160）。离子电流计（106）耦合到离子收集器（84，136，136’），以测量离子收集器（84，136，136’）上的离子通量并传送与该离子通量相关的信号。
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公开(公告)号：CN101999155A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200980110185.9
申请日：2009-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 陈立
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/3255 , H01J2237/3341 , H01L21/3065
Abstract: 本发明描述了化学处理系统和使用化学处理系统用单能空间电荷中性化的中性束激活的化学处理处理衬底的方法。化学处理系统包括第一等离子体室，其用于在第一等离子体电位下形成第一等离子体；和第二等离子体室，其用于在高于第一等离子体电位的第二等离子体电位下形成第二等离子体，其中使用来自第一等离子体的电子通量来形成第二等离子体。此外，化学处理系统包括衬底支架，其配置为将衬底定位在第二等离子体室中。
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公开(公告)号：CN101180418B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200580031980.0
申请日：2005-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00 , C23F1/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/32192 , H01J37/3222
Abstract: 本发明描述了一种用于改善表面波等离子体(SWP)源和等离子体空间之间的耦合的方法和系统。表面波等离子体源包括电磁波发射器，例如具有谐振片的缝隙天线，其中在谐振片和等离子体之间的等离子体表面处，利用扰模器来改善到等离子体的耦合。
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公开(公告)号：CN101308775A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810093274.4
申请日：2008-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 本发明描述了一种通过室部件引入处理流体的方法和系统。该室部件包括室元件，所述室元件包括处于所述室元件的供应侧的第一表面和处于所述室元件的处理侧的第二表面，所述处理侧与所述供应侧相反。此外，所述室部件包括螺旋通道，所述螺旋通道穿过所述室元件从所述供应侧延伸到所述处理侧，所述螺旋通道包括构造来接收处理流体的入口和构造来分配所述处理流体的出口。
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