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公开(公告)号：CN104051216B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410098636.4
申请日：2014-03-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 赵建平 , 岩俊彦 , 陈立 , 彼得·L·G·文泽克 , 梅里特·芬克
摘要： 本发明涉及微波谐振器处理系统中的等离子体调谐杆。等离子体调谐杆系统设有一个或多个微波腔，一个或多个微波腔被配置成在等离子体内和/或邻近等离子体处通过在一个或多个等离子体调谐杆中生成共振微波能量来将期望的电磁（EM）波模式的EM能量耦合至等离子体。一个或多个微波腔组件可以耦合至处理室，并可以包括一个或多个调谐空间/腔。每个调谐空间/腔可以具有耦合至调谐空间/腔的一个或多个等离子体调谐杆。等离子体调谐杆可以被配置成在处理室内将EM能量从共振腔耦合至处理空间，并由此在处理空间内产生均匀等离子体。
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公开(公告)号：CN102473629B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201080035809.8
申请日：2010-08-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137
摘要： 本发明涉及通过重力引起的气体扩散分离(GIGDS)技术来控制等离子体产生。本发明可以提供一种使用由重力引起的气体扩散分离技术而引起的等离子体分离来处理衬底的设备和方法。通过增加或使用包括具有不同重力(即，气体成分的分子量与基准分子重之间的比例)的惰性和处理气体的气体，可以形成双区或多区等离子体，其中，一种气体可以被高度限制到等离子体产生区域附近并且另一种气体可以由于相异重力引起的扩散而从上述气体极大地分离，并且被限制到相比于上述气体更加接近晶片处理区域。
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公开(公告)号：CN104040679A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280026144.3
申请日：2012-03-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L22/20 , H01J37/32082 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/6708 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种处理晶圆的方法使用可以包括一个或更多个测量制程、一个或更多个离子能量控制（IEC）蚀刻工序以及一个或更多个离子能量优化（IEO）蚀刻制程的离子能量（IE）相关多层处理工序以及离子能量控制多输入/多输出（IEC-MIMO）模型和库。IEC-MIMO处理控制使用在多个层和/或多个IEC蚀刻工序之间的动态相互作用的行为建模。多个层和/或多个IEC蚀刻工序可以与可以使用IEO蚀刻制程来形成的线结构、沟槽结构、通孔结构、间隔结构、接触结构以及栅结构的形成相关联。
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公开(公告)号：CN102473629A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080035809.8
申请日：2010-08-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137
摘要： 本发明涉及通过重力引起的气体扩散分离(GIGDS)技术来控制等离子体产生。本发明可以提供一种使用由重力引起的气体扩散分离技术而引起的等离子体分离来处理衬底的设备和方法。通过增加或使用包括具有不同重力(即，气体成分的分子量与基准分子重之间的比例)的惰性和处理气体的气体，可以形成双区或多区等离子体，其中，一种气体可以被高度限制到等离子体产生区域附近并且另一种气体可以由于相异重力引起的扩散而从上述气体极大地分离，并且被限制到相比于上述气体更加接近晶片处理区域。
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公开(公告)号：CN101308775B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810093274.4
申请日：2008-05-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01J37/3244
摘要： 本发明描述了一种通过室部件引入处理流体的方法和系统。该室部件包括室元件，所述室元件包括处于所述室元件的供应侧的第一表面和处于所述室元件的处理侧的第二表面，所述处理侧与所述供应侧相反。此外，所述室部件包括螺旋通道，所述螺旋通道穿过所述室元件从所述供应侧延伸到所述处理侧，所述螺旋通道包括构造来接收处理流体的入口和构造来分配所述处理流体的出口。
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公开(公告)号：CN100505177C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480014635.1
申请日：2004-05-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO2。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO2相对于Si和SiO2的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN1682338A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821971.9
申请日：2003-09-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种用于分析等离子体工艺的多变量数据的方法和系统，其中使用了响应面和神经网络来改进或查找优化等离子体工艺的工艺设置，使得特性测量与模型测量相比较，以修改当前等离子体工艺以获得最优化的工艺性能。
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公开(公告)号：CN102804933B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180014211.5
申请日：2011-01-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H05H3/00
CPC分类号： H01L21/32139 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/28123
摘要： 本发明可提供利用可切换准中性束系统实时处理衬底以改善光致抗蚀层的抗蚀刻性的装置和方法。此外，经修改的光致抗蚀层可用于蚀刻工序中以更准确地控制栅极和/或间隔区临界尺寸（CD）、控制栅极和/或间隔区CD均一性并且消除线边缘粗糙（LER）和线宽度粗糙（LWR）。
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公开(公告)号：CN103534780A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023721.3
申请日：2012-03-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J49/04
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J49/488 , H05H1/0081 , Y10T29/49002
摘要： 一种离子能量分析仪（74，122，174），用于确定等离子体（66）的离子能量分布，并且包括进入栅网（80，126，160）、选择栅网（82，134，134’）和离子收集器（84，136，136’）。进入栅网（80，126，160）包括尺寸小于等离子体（66）的德拜长度的第一多个开口。离子收集器（84，136，136’）经由第一电压源（182）耦合到进入栅网（80，126，160）。选择栅网（82，134，134’）位于进入栅网（80，126，160）与离子收集器（84，136，136’）之间并且经由第二电压源（180）耦合到进入栅网（80，126，160）。离子电流计（106）耦合到离子收集器（84，136，136’），以测量离子收集器（84，136，136’）上的离子通量并传送与该离子通量相关的信号。
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公开(公告)号：CN101999155A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200980110185.9
申请日：2009-03-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 陈立
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/3255 , H01J2237/3341 , H01L21/3065
摘要： 本发明描述了化学处理系统和使用化学处理系统用单能空间电荷中性化的中性束激活的化学处理处理衬底的方法。化学处理系统包括第一等离子体室，其用于在第一等离子体电位下形成第一等离子体；和第二等离子体室，其用于在高于第一等离子体电位的第二等离子体电位下形成第二等离子体，其中使用来自第一等离子体的电子通量来形成第二等离子体。此外，化学处理系统包括衬底支架，其配置为将衬底定位在第二等离子体室中。
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