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公开(公告)号:CN108155143A
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201711278199.4
申请日:2017-12-06
申请人: 捷普有限公司
IPC分类号: H01L21/687
CPC分类号: B25J15/0014 , B25J11/0095 , H01L21/68707 , Y10S414/141 , H01L21/68714 , H01L21/68721
摘要: 本发明提供了用于提供末端执行器的装置、系统和方法。所述末端执行器可以为能够适用不同尺寸的半导体晶圆,并可以包括以下部件:晶圆支撑件;支承臂,所述支承臂能够与至少一个机器人元件进行配合,且在所述支撑臂一端至少部分地支承该晶圆支撑件;多个支撑垫,所述多个支撑垫位于晶圆支撑件上,以用于与多个半导体晶圆中的一个物理配合;以及低摩擦移动夹具,所述低摩擦移动夹具,该低摩擦移动夹具沿着至少部分地由该支承臂提供的平面获得双向驱动,其中,所述低摩擦移动夹具对半导体晶圆的近端边缘可缩回地施加作用力。
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公开(公告)号:CN107924833A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680044815.7
申请日:2016-07-28
申请人: 株式会社爱发科
IPC分类号: H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/768
CPC分类号: H01L21/3065 , H01J2237/3341 , H01L21/304 , H01L21/68714 , H01L21/768
摘要: 基板处理装置(10)具备:收容基板(S)的收容部(11);供给等离子生成用气体的气体供给部(13);以及由等离子生成用气体生成等离子,并供给等离子至收容部(11)的等离子供给部(12)。等离子生成用气体包含氮原子及氧原子的至少一方。气体供给部(13)将等离子生成用气体供给至等离子供给部(12),使添加气体的流量与氢气的流量之比为1/500以上。
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公开(公告)号:CN107818942A
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201711270805.8
申请日:2017-12-05
申请人: 上海大族富创得科技有限公司
IPC分类号: H01L21/687
CPC分类号: H01L21/68721 , H01L21/68714 , H01L2221/683
摘要: 本发明提供了一种寻边器,包含:底座、一端固定在底座上的支架、夹持部和传感器,夹持部包含:安装在支架的另一端的安装平台、两个滑动安装在安装平台上的半圆形的夹紧支架、多个分别转动安装在两个夹紧支架上的夹紧轮、安装在安装平台上且与两个加紧支架驱动连接用于驱动两个夹紧支架靠近和远离的夹紧驱动单元、安装在安装平台上用于驱动所有夹紧轮转动的转动驱动单元;其中,两个夹紧支架平行于安装平台且位于同一水平面,两个夹紧支架凹的一侧相对,组成一个圆形,夹紧驱动单元驱动两个夹紧支架靠近和远离时,驱动两个夹紧支架同时向相反的方向移动相同的距离,本发明的寻边器具有找原迅速、制造成本低的优点。
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公开(公告)号:CN105103268B
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201480019122.3
申请日:2014-03-25
申请人: 芝浦机械电子株式会社
IPC分类号: H01L21/027 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号: H01L21/67051 , B08B3/10 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67253 , H01L21/68714 , H01L22/12
摘要: 实施方式的基板处理装置(1)具备:支承部(4),在平面内支承基板(W);旋转机构(5),以与通过此支承部(4)支承的基板(W)的表面相交的轴作为旋转轴,使支承部(4)旋转;多个喷嘴(6a,6b和6c),设置为从通过支承部(4)支承的基板(W)的中心向周缘排列,将处理液分别排出至通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面;控制部(9),根据形成于通过旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面的处理液的液膜厚度,使多根喷嘴(6a,6b和6c)分别以不同的定时排出处理液。
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公开(公告)号:CN107301941A
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201610232603.3
申请日:2016-04-14
申请人: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号: H01J37/32
CPC分类号: H01J37/32715 , H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32477 , H01J37/32816 , H01J37/32834 , H01L21/3065 , H01L21/68714 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01J37/32458 , H01J37/32798
摘要: 本发明提供了一种半导体制造设备及其操作方法。所述半导体制造设备包括反应室、支撑件与衬层。反应室用于等离子体工艺,并且具有室壁。支撑件固定晶圆於反应室內。衬层围绕支撑件,并且具有顶侧与底侧,顶侧可拆卸地挂在该室壁上,而底侧则具有多个气体通道以允许等离子体粒子通过衬层。
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公开(公告)号:CN107039262A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201611033132.X
申请日:2016-11-22
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人: 林长生
IPC分类号: H01L21/306 , B24B37/10 , B24B37/30
CPC分类号: H01L21/68714 , B24B37/042 , B24B37/105 , B24B53/017 , B24B57/02 , H01L21/67075 , H01L21/67092 , H01L21/30625 , B24B37/10 , B24B37/30
摘要: 公开提供多种化学机械研磨(CMP)装置、工具及方法。在一些实施例中,一种用于一CMP工具的装置包括一载具及一耦合于该载具的嵌入式虚设盘。该嵌入式虚设盘包括一基板及一设于基板上方的薄膜。载具可耦合于CMP工具的一处理器的一臂。载具与嵌入式虚设盘被配置成嵌入CMP工具的一外壳内。在准备一晶片的一研磨制程时,嵌入式虚设盘适用于被CMP工具所研磨。
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公开(公告)号:CN106985060A
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201710037784.9
申请日:2017-01-18
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: H01L21/67092 , B24B7/228 , B24B41/068 , B24B49/12 , B24B55/02 , H01L21/67051 , H01L21/68714 , B24B37/107 , B08B3/02 , B24B37/30 , B24B53/017 , H01L21/78
摘要: 基板减薄装置包括:能够支撑基板的工作盘;可旋转研磨装置,包括能够研磨被工作盘支撑的基板的轮顶端;清洁装置,配置为在研磨装置旋转的同时执行轮顶端的同步清洁。当使用基板减薄装置时,甚至可以以相当高的可靠性制造非常薄的半导体器件。
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公开(公告)号:CN106783724A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201710017763.0
申请日:2017-01-11
申请人: 惠科股份有限公司 , 重庆惠科金渝光电科技有限公司
发明人: 蔡佳仁
IPC分类号: H01L21/687 , H05F3/02
CPC分类号: B65G47/22 , G09G3/00 , H01L21/6734 , H01L21/67346 , H01L21/68714 , H01L21/68785 , H05F3/02
摘要: 本发明是有关于一种基板承载装置,适用于液晶显示器制造,所述基板承载装置,包括:一承载台,用以承载一基板;一导电体,具有一受电端及一接地端,所述受电端电性连接所述基板,所述接地端接地。藉此即可随时导离或中和电性,消除基板传送中跟空气摩擦或是外来所产生的静电,以避免静电问题产生,本发明的效益更包括可免除已知所用的静电中和器或静电消除器,因此可不需要额外电力,节省成本,上述之外,本发明的效益更包括本发明利用导电体电性连接位于所述承载台上的基板,安装简易,可有效地节省时间,上述之外,本发明的效益更包括本发明利用除静电绳为导电体,具有不会酸化、不会生锈的特点,所以不会造成污染。
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公开(公告)号:CN106716615A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201480079964.8
申请日:2014-06-27
申请人: 埃里希·塔尔纳
发明人: 埃里希·塔尔纳
IPC分类号: H01L21/67 , B32B43/00 , H01L21/683
CPC分类号: H01L21/67092 , B32B37/08 , B32B43/006 , B32B2309/105 , B32B2457/00 , H01L21/67103 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/68714 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , Y10S156/93 , Y10S156/941 , Y10T156/1153 , Y10T156/1189 , Y10T156/1911 , Y10T156/1972
摘要: 本发明涉及一种用于通过连接层(3、3'、3"、3"'、3IV)的脆化来将第一衬底(2)与第二衬底(4)分离的方法,其中所述第一衬底通过所述连接层(3、3'、3"、3"'、3IV)与所述第二衬底(4)连接。此外,本发明涉及相应的装置。此外,本发明涉及一种方法,所述方法用于利用尤其通过冷却能够脆化的连接层(3、3'、3"、3"'、3IV)来将第一衬底(2)与第二衬底(4)接合。此外,本发明涉及一种能够脆化的材料的用途,将所述材料用于制造第一衬底(2)与第二衬底(4)之间的连接层(3、3'、3"、3"'、3IV),来构造由所述第一衬底(2)、所述第二衬底(4)和被布置在其之间的连接层(3、3'、3"、3"'、3IV)构成的衬底堆叠(1、1'、1"、1"'、1IV、1V)。此外,本发明涉及一种衬底堆叠,其由第一衬底(2)、第二衬底(4)和被布置在其之间的连接层(3、3'、3"、3"'、3IV)构成,其中所述连接层(3、3'、3"、3"'、3IV)由能够脆化的材料构成。此外,本发明涉及一种试样固持器,其用于在将第一衬底(2)与第二衬底(4)分离时利用能够通过温度降低激活的固定装置来固持所述第一衬底(2)。
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公开(公告)号:CN106684032A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201510746891.X
申请日:2015-11-05
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L23/544 , G03F7/20
CPC分类号: H01L21/68 , G03F7/705 , G03F7/70633 , G03F9/7015 , H01L21/027 , H01L21/67259 , H01L21/68714 , H01L21/76811 , H01L21/76834 , H01L21/76892 , H01L22/20 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L21/768 , G03F7/20 , H01L21/76897
摘要: 一种互连结构的形成方法和曝光对准系统,本发明在形成互连结构的曝光过程中,根据第一对准件的标准坐标和测量坐标以及第二对准件的标准坐标和测量坐标获得晶圆坐标,以表征所述晶圆位置的偏差;在第二掩膜层中形成第二开口的过程中,根据所述晶圆坐标调整晶圆位置,由第二开口定义位置而形成的互联结构能够与所述第一待连接件和所述第二待连接件均具有较好的对准,能够有效提高所形成半导体器件的性能,提高器件制造良品率。
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