公开(公告)号：CN1831192B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200610058179.1

申请日：2006-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  金採虎 ,  李丙勋 ,  周保华

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。

公开(公告)号：CN1831192A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610058179.1

申请日：2006-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  金採虎 ,  李丙勋 ,  周保华

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。