公开(公告)号：CN1908228A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108370.2

申请日：2006-08-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  周保华 ,  小川淳 ,  金採虎 ,  福岛讲平 ,  高桥俊树 ,  佐藤润

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在第一、第二、第三和第四工序中，分别供给第一处理气体、吹扫气体、第二处理气体以及吹扫气体，停止剩下的两种气体的供给。在第一工序至第四工序，通过配置开度调整用阀的排气通路继续给处理区域内真空排气。将第一工序的阀开度设定为第二和第四工序的阀开度的5～95％。

公开(公告)号：CN1831192B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200610058179.1

申请日：2006-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  金採虎 ,  李丙勋 ,  周保华

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。

公开(公告)号：CN1908228B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610108370.2

申请日：2006-08-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  周保华 ,  小川淳 ,  金採虎 ,  福岛讲平 ,  高桥俊树 ,  佐藤润

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在第一、第二、第三和第四工序中，分别供给第一处理气体、吹扫气体、第二处理气体以及吹扫气体，停止剩下的两种气体的供给。在第一工序至第四工序，通过配置开度调整用阀的排气通路继续给处理区域内真空排气。将第一工序的阀开度设定为第二和第四工序的阀开度的5～95％。

公开(公告)号：CN1831192A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610058179.1

申请日：2006-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  金採虎 ,  李丙勋 ,  周保华

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。