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公开(公告)号：CN116210356A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180065121.2
申请日：2021-10-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，该方法包括形成垂直访问晶体管，形成垂直访问晶体管包括：在衬底上沿第一方向形成位线；在位线中的每个位线上方形成多晶硅柱体作为牺牲柱体；在多晶硅柱体的侧表面上形成栅极氧化物；在多晶硅柱体上沿第二方向形成字线，其中栅极氧化物置于字线与多晶硅柱体之间，第二方向不基本平行于第一方向；在形成字线之后，去除多晶硅柱体以留下垂直空隙来代替多晶硅柱体；使用氧化物半导体填充垂直空隙，该氧化物半导体用作垂直访问晶体管的沟道；以及在垂直访问晶体管的沟道上形成单元电容器。
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